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公开(公告)号：KR1020160127582A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020150059184
申请日：2015-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/426 , G03F7/039 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/425 , H01L21/266 , H01L21/31133 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L29/16
Abstract: 포토레지스트제거용조성물은불화알킬암모늄염 0.5 중량% 내지 10 중량%, 유기술폰산 1 중량% 내지 20 중량%, 및락톤계용매 70 중량% 내지 98.5 중량%를포함한다.
Abstract translation: 基于组合物的总重量，用于除去光致抗蚀剂的组合物，其包含约0.5重量％至约10重量％的烷基铵氟化物盐; 基于组合物的总重量的约1重量％至约20重量％的量的有机磺酸; 和基于组合物总重量的约70重量％至约98.5重量％的内酯类溶剂。
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公开(公告)号：KR1020160112622A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150038686
申请日：2015-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/165 , H01L29/7855 , H01L29/7831 , H01L29/7843
Abstract: 액티브핀을포함하는반도체장치가제공된다. 반도체장치는, 제1 방향으로서로나란하게연장된제1 내지제4 액티브핀, 제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되어제1 내지제4 액티브핀과교차하는제1 게이트전극, 및제2 방향으로연장되어제3 및제4 액티브핀과교차하고, 제1 및제2 액티브핀과교차하지않고, 제1 게이트전극과상기제1 방향으로이격된제2 게이트전극을포함하되, 제1 및제2 액티브핀 사이의간격과제3 및제4 액티브핀 사이의간격은서로다르다.
Abstract translation: 提供具有活动鳍片的半导体器件。 半导体器件包括：第一至第四活性鳍片，沿第一方向平行地相互延伸; 第一栅极电极，沿与第一方向交叉的第二方向延伸，并与第一至第四活性鳍片相交; 以及第二栅极电极，其在第二方向上延伸，与第三和第四活性鳍片交叉，与第一和第二活性鳍片不相交，并且在第一方向上与第一栅极电极分离。 第一和第二活动翅片之间的距离不同于第三和第四活动翅片之间的距离。 半导体器件可以改善操作特性。
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公开(公告)号：KR1020160077331A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020140186235
申请日：2014-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/505 , C09K11/7734 , H01L27/156 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , Y02B20/181 , C09K11/08 , C09K11/0883 , C09K11/59 , C09K11/64 , C09K11/7728 , H05B33/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의일 실시예에따른산질화물계형광체는, β형 SiN결정구조를가지며, 조성식 SiAlON: Eu(0
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例，基于氧氮化物的荧光体具有β型Si_3N_4的晶体结构，并且由Si_（6-x）Al_xO_xN_（8-x）：Eu_y的经验公式表示，其中x是 大于0且小于或等于0.3，y大于或等于0.001且小于或等于0.03。 氮氧化物基荧光体具有多个柱状一次粒子组合的二次粒子的形式。 氧氮化物系荧光体具有可以提高加工性的形式。
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公开(公告)号：KR1020160057788A
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020140158845
申请日：2014-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W4/80 , H02J7/025 , H02J7/04 , H02J50/10 , H04M1/7253 , H04M2250/12 , H04W76/14
Abstract: 다양한실시예들에따르면, 전자장치는, 상기전자장치에근접한다른장치를인식하기위한근접인식모듈상기다른장치와무선으로데이터를송수신하기위한통신모듈및 상기다른장치에대한인식에기반하여, 상기전자장치의내부에충전된전력또는상기다른장치로부터무선으로공급된전력중 적어도하나를상기통신모듈에대한전력으로인가하기위한전원공급모듈을포함을포함할수 있다. 다른실시예들이가능하다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例，电子设备包括：接近识别模块，用于识别靠近电子设备的其他设备; 用于与其他设备无线收发数据的通信模块; 以及电源模块，用于作为所述通信模块上的电源，至少一个来自所述电子设备内部的电力和从其他设备无线提供的电力，基于对所述其他设备的识别，从而有效地管理数据输入上的功耗 并输出。 其他实施例是可能的。
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公开(公告)号：KR1020150090796A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：KR1020140031713
申请日：2014-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8232
Abstract: 제1 핀영역과제2 핀영역을구비하고, 제1 핀영역과제2 핀영역을분리하는아일랜드형의분리절연막을구비하고, 제1 핀영역을가로지르는제1 게이트, 및제2 핀영역을가로지르는제2 게이트을구비하고, 분리절연막의측벽부들및 상면을덮고분리절연막을가로지르는제3 게이트를구비하는반도체장치및 그제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：第一鳍片区域和第二鳍片区域; 隔离绝缘膜，其形状为岛状，将第一鳍片区域与第二鳍片区域分离; 与第一鳍片区域交叉的第一栅极和与第二鳍片区域交叉的第二栅极; 以及覆盖分隔绝缘膜的侧壁部分和上部分并与隔离绝缘膜交叉的第三栅极。
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公开(公告)号：KR101486774B1
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020080069752
申请日：2008-07-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 디지털 촬영 장치의 오동작 방지 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 디지털 촬영 장치의 오동작 방지 방법은 원하지 않은 외부충격이 가해졌을 때, 외부 충격을 감지한 신호를 입력받아, 기준 값보다 크면 광학 구동부가 이전 구동 제어 신호를 출력하도록 제어함으로써 셔터, ND 필터 또는 조리개가 이전 상태로 유지되어 적정 자동 노출하에서 촬영할 수 있도록 한다.
오동작, 자동 노출, 감지 신호-
公开(公告)号：KR101457414B1
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：KR1020080061116
申请日：2008-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/228
Abstract: 본 발명은 디지털 영상 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 디지털 영상 처리 장치로 의도하지 않은 빛이 들어올 경우, 렌즈 또는 고체 촬상 소자를 반대 방향의 위치로 이동시켜 의도하는 빛이 입력되는 것을 막아 촬영자가 의도한 영상을 촬영할 수 있도록 하는 누광 발생을 억제하는 디지털 영상 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 누광 발생을 억제하는 디지털 영상 처리 장치는 렌즈들, 렌즈들 중 어느 하나의 이동을 제어하는 액츄에이터 및 렌즈들을 통하여 실시간으로 입력되는 라이브뷰 영상의 특정 위치에 일정한 패턴을 가지는 데이터가 존재하는 경우, 의도하지 않은 강한 빛이 입력되었다고 판단하고 데이터가 존재하는 위치를 확인한 후 액츄에이터를 반대방향으로 이동시키는 디지털 신호 처리수단을 포함한다.
패턴 검출 영역, 일정 패턴을 갖는 데이터, 액츄에이터 이동-
公开(公告)号：KR1020140075971A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120143824
申请日：2012-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B01J35/004 , B01J21/18 , B01J23/52 , B01J35/0013 , B01J35/0033 , B01J35/006 , H01L31/028 , Y02E10/547
Abstract: Disclosed graphene-nanoparticle structure includes a substrate; a graphene layer disposed on the substrate; and a nanoparticle layer disposed on the graphene layer. The graphene-nanoparticle structure may be formed by alternately stacking the graphene layer and the nanoparticle layer. The graphene-nanoparticle structure may play a role of a complex functional layer performing various functions according to the number of stacking and the selection of materials of the nanoparticles.
Abstract translation: 公开的石墨烯 - 纳米颗粒结构包括基材; 设置在基板上的石墨烯层; 以及设置在石墨烯层上的纳米颗粒层。 可以通过交替堆叠石墨烯层和纳米颗粒层来形成石墨烯纳米颗粒结构。 石墨烯纳米颗粒结构可以起到复合功能层的作用，根据层叠数量和纳米颗粒材料的选择来执行各种功能。
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公开(公告)号：KR1020130066167A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110132881
申请日：2011-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/7792 , H05B33/14
Abstract: PURPOSE: A phosphor with excellent high temperature performance and reliability is provided to improve light emitting efficiency, high temperature performance, and reliability, thereby improving color rendering index, and color reproducibility. CONSTITUTION: A phosphor is represented by chemical formula: Eu_xM_yL_(3-x-y)Si_(6-z)Al_zN_(11-(z+y+z))O_(z+y+z). In the chemical formula, 0.00001
Abstract translation: 目的：提供具有优异的高温性能和可靠性的荧光体，以提高发光效率，高温性能和可靠性，从而提高显色指数和色彩再现性。 构成：荧光体由化学式Eu_xM_yL_（3-x-y）Si_（6-z）Al_zN_（11-（z + y + z））O_（z + y + z）表示。 在化学式中，0.00001 <= x <= 2.9999,0.0001 <= y <= 2.99999，0 <= z <= 6.0; L是选自La，Y，Gd和Lu中的一种或多种元素; M是选自Ca，Sr，Ba和Mn中的一种或多种。 发光器件包括发射激发光的发光二极管; 以及通过吸收激发光而发出可见光的波长转换部。 波长转换部分包括磷光体。 （附图标记）（AA）比较例; （BB）示例
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