公开(公告)号：KR100511948B1

公开(公告)日：2005-11-08

申请号：KR1019980007557

申请日：1998-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  박달 ,  강희세 ,  김진성

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조공정 후 공정챔버에서 발생된 분석가스에 포함된 불순물에 대해서 정성 및 정량분석할 수 있는 반도체장치 제조용 불순물 분석장치에 관한 것이다.
본 발명은, 제어부의 제어에 의해서 설정된 시간동안 개폐동작을 수행하며, 분석가스가 공급되는 개폐수단, 상기 개폐수단과 연결되어 공급되는 상기 분석가스의 압력을 조절하는 오러피스 및 상기 오러피스와 연결되어 공급되는 분석가스에 포함된 불순물을 정성 및 정량분석하는 잔류가스분석기-사중극자질량분석기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 공정챔버 내부의 반응부산물이 불순물 분석장치 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있고, 특정시간, 특정공정환경 아래에서 분석공정을 광범위하게 수행할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050012419A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：KR1020030051381

申请日：2003-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  한은영 ,  곽희진 ,  김진성 ,  박희정

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A sampling apparatus in a semiconductor fabricating equipment is provided to analyze the form and the ingredient of by-products precisely by the non-contact type sampling. CONSTITUTION: A sampling apparatus in a semiconductor fabricating equipment comprises a blowing pass, a vacuum pass, a sampling mount and a hammer unit. The blowing pass(22) is formed on a sampling part(2) of the sampling apparatus. The vacuum pass(20) is formed in the inner side of the blowing pass. The sampling mount(10) is formed adjacent to the top of the vacuum pass for attaching by-products. The hammer unit(6) is formed within the blowing pass for applying the impact on the surface of the sampling part.

Abstract translation: 目的：提供半导体制造设备中的采样设备，通过非接触式采样精确分析副产品的形式和成分。 构成：半导体制造装置中的采样装置包括吹制通道，真空通道，采样支架和锤子单元。 吹扫通道（22）形成在采样设备的采样部分（2）上。 真空通道（20）形成在吹气通道的内侧。 采样支架（10）邻近真空通道的顶部形成以附接副产品。 锤击单元（6）形成在用于在取样部件的表面上施加冲击的吹塑通道内。

公开(公告)号：KR1020010010435A

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：KR1019990029323

申请日：1999-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박희정 ,  박재구

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: An inductive coupled plasma reactor is to prevent the damage of an antenna pin during the plasma process, therefor preventing the generation of a particle due to etching Ar gas. CONSTITUTION: An inductive coupled plasma reactor comprises a reaction chamber(200); a chuck(208) disposed in the reaction chamber and comprising a surface for accepting and supporting a semiconductor wafer(206); and a sealing member for preventing an entry of Ar gas during the plasma process. The chuck comprises the first portion contacted with the semiconductor wafer; the second portion disposed in a lower portion of the first portion and comprising a plurality of holes in its side surface; an antenna pin(214) inserted into the hole of the second portion for measuring a direct current bias of the first portion. Since an antenna pin cap is inserted into a gap between the antenna pin and the hole, the entry of the gas is further prevented during the process.

Abstract translation: 目的：感应耦合等离子体反应器是为了防止在等离子体工艺期间天线引脚的损坏，从而防止由于蚀刻Ar气而产生颗粒。 构成：感应耦合等离子体反应器包括反应室（200）; 设置在反应室中并包括用于接收和支撑半导体晶片（206）的表面的卡盘（208）; 以及密封构件，用于防止等离子体工艺中Ar气的进入。 卡盘包括与半导体晶片接触的第一部分; 所述第二部分设置在所述第一部分的下部并且在其侧表面中包括多个孔; 插入第二部分的孔中的天线引脚（214），用于测量第一部分的直流偏置。 由于天线针帽被插入到天线针和孔之间的间隙中，所以在该过程中进一步防止气体进入。

公开(公告)号：KR1020000031373A

公开(公告)日：2000-06-05

申请号：KR1019980047378

申请日：1998-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정주 ,  김진성 ,  박재구 ,  박희정

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A method for evaluating a sealing efficiency is provided to evaluate the sealing efficiency in-situ at a real performance of the processing after sealing an anodizing cathode. CONSTITUTION: An evaluating method of sealing efficiency is performed an etching process of wafer after loading the wafer in an etching chamber performed the etching process. A polluted degree of an anodizing cathode is evaluated in-situ in the etching chamber using a measuring and analyzing apparatus of metal pollution. The evaluating method of sealing efficiency contains an early washing step(100), an installing step of anodizing cathode inside the chamber(102), an etching step of wafer(104), an evaluating step of metal pollution(106), and an evaluating step of RF time, degree of metal pollution, and sealing efficiency(108). The early washing step(100) is a step to remove dopant and particles remained in the wafer for measuring the polluted degree. Then the measuring of the metal polluted degree is easy by growing an oxide film over 3000 Angstrom on the wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种评估密封效率的方法，以便在密封阳极氧化阴极后的实际处理性能的基础上评估密封效率。 构成：在进行蚀刻工艺的蚀刻室中加载晶片之后，执行密封效率的评估方法。 使用金属污染的测量和分析装置，在蚀刻室中原位评估阳极氧化阴极的污染程度。 密封效率的评估方法包括早期洗涤步骤（100），在室（102）内阳极氧化阴极的安装步骤，晶片（104）的蚀刻步骤，金属污染的评估步骤（106）和评估 RF时间，金属污染程度和密封效率的步骤（108）。 早期洗涤步骤（100）是去除用于测量污染程度的晶片中残留的掺杂剂和颗粒的步骤。 然后通过在晶片上生长3000埃以上的氧化膜，容易测量金属污染程度。

公开(公告)号：KR1019990074152A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980007557

申请日：1998-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  박달 ,  강희세 ,  김진성

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조공정 후 공정챔버에서 발생된 분석가스에 포함된 불순물에 대해서 정성 및 정량분석할 수 있는 반도체장치 제조용 불순물 분석장치에 관한 것이다.
본 발명은, 제어부의 제어에 의해서 설정된 시간동안 개폐동작을 수행하며, 분석가스가 공급되는 개폐수단, 상기 개폐수단과 연결되어 공급되는 상기 분석가스의 압력을 조절하는 오러피스 및 상기 오러피스와 연결되어 공급되는 분석가스에 포함된 불순물을 정성 및 정량분석하는 잔류가스분석기-사중극자질량분석기를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 공정챔버 내부의 반응부산물이 불순물 분석장치 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있고, 특정시간, 특정공정환경 아래에서 분석공정을 광범위하게 수행할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990081118A

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019980014859

申请日：1998-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영구 ,  김정주 ,  박재구 ,  김귀진

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은, 반도체소자 제조용 식각장치의 배플 및 그 재생방법에 관한 것이다.
본 발명의 배플은, 식각챔버로 균일한 식각가스를 분사시킬 수 있도록 상기 식각가스가 유입되는 복수개의 홀들이 형성되는 반도체소자 제조용 식각장치의 배플에 있어서, 상기 홀들의 내면을 포함하는 배플의 표면에 아노다이징처리를 이용한 피보호막이 형성된 것을 특징으로 하고, 그 재생방법은, 식각챔버로 균일한 식각가스를 분사시킬 수 있는 배플을 라이프타임까지로 사용한 반도체소자 제조용 식각장치의 배플의 재생방법에 있어서, 상기 배플을 재사용할 수 있도록 상기 배플의 표면을 아노다이징처리하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 배플로 인한 불량을 최소화시킬 수 있고, 또한 배플을 반영구적으로 사용할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970017905A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950029841

申请日：1995-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  조창민 ,  채승기 ,  문상영

IPC: H01L21/00

Abstract: 반도체에 관련된 여러 가지의 파티클을 평가할 수 있는 파티클 평가용 시험챔버와 이를 이용한 파티클 평가시스템이 포함되어 있다. 또한 파티클 평가 기준시험(Reference Test)을 할 수 있는 파티클 평가 시스템과 파티클의 구조 및 성분 분석을 할 수 있는 파티클 평가 시스템이 포함되어 있다. 본 발명의 파티클 평가 시스템은, 시험챔버 내부 또는 외부에서 샘플링된 파티클이 혼합된 공기를 시험챔버의 이소키네틱 샘플링프루브에 의해 일정하게 샘플링하여, 시험챔버와 연결된 파티클카운터, 멀티플렉서 프로세서, 및 컴퓨터에서 파티클을 카운팅하고 모니터링할 수 있다. 따라서, 크린룸 의복, 제조공정 라인에서 사용되는 여러가지 지원장비, 기타 청정용품, 작업자의 작업행동등에서 발생하는 파티클오염의 정도를 평가할 수 있고, 신규 청정용품의 자격인증에도 적용할 수 있다. 또한 파티클 생성 시스템을 파티클 평가 시스템에 연결하여, 상기 파티클 생성 시스템으로부터 샘플링된 파티클을 공급함으로써 파티클 평가기준시험을 행할 수 있고, 임펙터를 파티클 평가 시스템에 연결하여, 샘플링된 공기에 포함되어 있는 파티클을 상기 임펙터에서 크기별로 샘플링한 후 분석장비를 사용하여 파티클의 구조 및 성분을 분석할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950031170A

公开(公告)日：1995-12-18

申请号：KR1019940010115

申请日：1994-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이중선 ,  박재구 ,  전재강 ,  최상봉

IPC: B01D46/00

Abstract: 본 발명은 클린룸 입실 동선 중 하나인 에어샤워장치에 관한 것으로서, 종래의 다중 필터를 하나의 필터로 단일화하고 에어샤워실의 하부를 클린룸의 지하영역과 접하도록 하여 구조를 간단히 할 뿐 아니라 에어샤워실의 상부를 아치형으로 하여 기체의 흐름을 원활히 하도록 제작하고 작동함으로써 에너지 효율과 입자제거 효율을 높을 수 있는 효과를 제공할 뿐 아니라 이를 자동화하여 체계적으로 입자를 제거할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020070027079A

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020050079462

申请日：2005-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  김진성 ,  임광신 ,  김정주 ,  진태성 ,  한은영 ,  김오순 ,  허명진

IPC: H01L21/304

Abstract: A method for cleaning a boat in a furnace is provided to improve the productivity of semiconductor products by removing effectively contaminants from a surface of the boat using two-step cleaning processes and a rinse process. A first cleaning process is performed on a boat by using a first cleaning solution(S110). The first cleaning solution contains nitric acid, fluoric acid and deionized water. A second cleaning process is performed on the boat by using a second cleaning solution(S120). The second cleaning solution contains the fluoric acid and the deionized water. A rinse process is then performed on the boat by using deionized water(S130).

Abstract translation: 提供了一种用于在炉中清洁船的方法，以通过使用两步清洁过程和冲洗过程从船的表面有效去除污染物来提高半导体产品的生产率。 通过使用第一清洁溶液在船上执行第一清洁处理（S110）。 第一清洗液含有硝酸，氟酸和去离子水。 通过使用第二清洁溶液在船上执行第二清洁处理（S120）。 第二清洗液含有氟酸和去离子水。 然后通过使用去离子水在船上进行漂洗过程（S130）。

公开(公告)号：KR1020010010184A

公开(公告)日：2001-02-05

申请号：KR1019990028924

申请日：1999-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  박희정

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A method for carrying a semiconductor device is provided to prevent a particle generation in a fabrication process by not using adhesive material, and prevents a byproduct contamination such as a scratch. CONSTITUTION: An apparatus for carrying a semiconductor wafer includes an actuator, an upper arm(202), a forearm(204), and a vacuum line(208). The actuator provides a power. The upper arm includes the first and second stages, and the first stage is connected to the actuator. The forearm includes a first stage connected to the second stage of the upper arm, and a second stage for holding the semiconductor wafer. The vacuum line is extended from the first stage of the upper arm to the second stage of the forearm, and passes through the forearm. Thereby, a semiconductor device prevents a particle generation in a fabrication process by not using adhesive material, and prevents a byproduct contamination such as a scratch.

Abstract translation: 目的：提供一种用于携带半导体器件的方法，以通过不使用粘合剂材料来防止制造过程中的颗粒生成，并且防止诸如划痕的副产物污染。 构成：用于承载半导体晶片的装置包括致动器，上臂（202），前臂（204）和真空管线（208）。 执行器提供电源。 上臂包括第一和第二级，第一级连接到致动器。 前臂包括连接到上臂的第二级的第一级和用于保持半导体晶片的第二级。 真空管从上臂的第一阶段延伸到前臂的第二阶段，并通过前臂。 因此，半导体装置通过不使用粘合剂材料来防止制造工艺中的颗粒生成，并且防止诸如划痕的副产物污染。