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公开(公告)号：KR1019970016797A
公开(公告)日：1997-04-28
申请号：KR1019950029511
申请日：1995-09-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박춘근
IPC: G03F7/00
Abstract: 실리레이션(silylation)을 이용한 포토페지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 실리콘을 포함하는 화학종의 확산에 의한 결함 발생을 제거하여 양질의 포토레지스트 패턴의 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리레이션을 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법은 패턴이 형성될 층 위에 서로 다른 실릴화 특성을 갖는 포토레지스트층들을 차례로 형성하는 단계 ; 패턴 마스크를 사용하여 상기 포토레지스트 층들을 노광 및 현상시키는 단계 ; 상기 현상된 포토레지스트층들에 실리콘을 포함하고 있는 화학종을 확산시키는 단계 ; 및 실리레이션 패턴을 마스크로 하부의 포토레지스트층을 식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 있어서는 실리레이션 될 부분 이외의 부분을 미리 부차적인 포토레지스트에 의해 차단시킨 다음에 실리레이션을 행함으로써 양질의 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다는 효과를 갖는다.-
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公开(公告)号：KR200096736Y1
公开(公告)日：1996-05-17
申请号：KR2019950027629
申请日：1995-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/223
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950004464A
公开(公告)日：1995-02-18
申请号：KR1019930013346
申请日：1993-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: 칩 범프의 제조방법이 개시된다. 이는 패드가 완성된 기판의 전면에 베리어메탈을 형성하는 단계, 상기 기판의 전면에 포토레지스트막을 형성하여 패드 부위를 개구하는 단계, 상기 개구 부위에 도금을 통하여 금속 범프를 형성하는 단계, 상기 범프를 마스크로 하여 상기 포토레지스트막을 선택적으로 제거하는 단계, 잔여 포토레지스트막을 마스크로 하여 소정 영역의 베리어메탈을 식각하는 단계 및 상기 잔여 포토레지스트막을 제거하여 패드의 상부에 범프를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데, 공정이 단순화되고 비용이 절감되며 품질이 우수한 칩 범프를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019940020508A
公开(公告)日：1994-09-16
申请号：KR1019930001663
申请日：1993-02-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박춘근
IPC: H01L21/60
Abstract: 반도체 칩 범프의 제조방법에서 범프를 형성하고자 하는 영역을 정의하는 감광막 패턴을 수차례의 사진공정으로 형성하였으며, 각각의 감광액을 포지티브형과 네가트브형을 조합시켜 선택사용할 수 있으며, 이에 적당한 패턴마스크를 사용한다.
따라서 범프의 상부가 하부보다 지름이 작거나 같게 형성되므로 탭패키지의 내부 리이드 본딩공정시의 압력에 의해 범프의 상부가 펴져도 범프간의 접촉은 발생되지 않는다. 또한 수차폐의 사진 공정으로 범프를 정의하기 위한 감광막 패턴이 형성되므로 높은 에스펙트 비(aspect ratio)를 갖는 범프를 형성할 수 있으므로, 내부 리이드가 반도체 칩의 표면과 접촉되는 것을 방지할 수 있다. 또한 범프형성후의 감광막패턴의 제거가 용이하여 공정이 간단하다.-
公开(公告)号：KR1019930018326A
公开(公告)日：1993-09-21
申请号：KR1019920002399
申请日：1992-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/26
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조공정중 포토리소그래피공정에 의한 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 특히 콘택홀 형성을 위한 미세패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, g-line, i-line 및 DUV를 광원으로 사용하는 미세콘택패턴형성시, 포토레지스트를 도포한 후 그 표면을 알칼리 처리하여 알카리막을 형성하는 제1공정과 상기 알카리처리후 노광 및 현상하여 패턴을 형성하고 형성된 패턴을 열처리에 의해 플로우시켜 미세콘택을 형성하는 제2공정으로 이루어 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법이 제공된다. 따라서 본 발명에 의하면, DUV를 광원으로 사용하는 콘택패턴을 형성함에 있어 현재 사용하고 있는 DUV용 노블락 베이스의 포지티브 포토레지스트에서 얻을 수 있는 해상력(0.45∼0.5㎛)보다 높은 해상력(0.3㎛정도)에 의해 더 작은 콘택패턴을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100207448B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019950034015
申请日：1995-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/00
Abstract: 2중층 감광막에 대하여 기재하고 있다.
본 발명에 따른 2중층 감광막은 화학 증폭형의 상층 감광막, 베이스레진의 하층 감광막에 있어서 상기 상층감광막과 상기 하층감광막 사이에 가교결합을 이루는 산의 확산 방지막을 더 구비한다.
상기 상층감광막의 노광에 의해 발생한 산은 확산방지막 때문에 하층감광막으로 확산되지 않으므로 상층감광막 패턴의 불량 현상이 발생하지 않는다.
따라서, 하층감광막이 완전한 패턴을 형성할 수가 있게 되고, 패턴을 형성하고자 하는 막질인 하부 막질에도 완전한 패턴을 전달할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1019980032539A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019970051055
申请日：1997-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/028
Abstract: 본 발명은 화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
식중 R
1 및 R
2 는 히드록시 또는 카르복실산기를 가지는 C
0 ∼C
10 의 지방족 탄화수소이고, R
3 은 수소 또는 메틸이고, R
4 는 t-부틸 또는 테트라히드로피라닐이고, m 및 n은 정수이다.
또한, 본 발명은 화학식 2의 고분자 및 PAG를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
식중, x는 C
5 ∼C
8 의 사이클릭(Cyclic) 또는 앨러사이클릭(Alicyclic) 화합물이고, R
1 은 수소, 메틸(Methyl)로 이루어지는 군에서 선택되며, R
2 는 t-부틸, 테트라히드로피라닐(Tetrahydropyranyl), 아다맨틸(Adamantyl)로 이루어지는 군에서 선택되는 한편, m 및 n은 정수로서 n/(m+n)=0.1∼0.5이다.
본 발명에 의하면, 현상시에 현상액으로서 통상의 방법에서 사용하는 현상액을 사용하는 것이 가능하고, 뛰어난 식각내성을 가지며, 막질에 대하여 우수한 접착력을 제공한다.
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