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公开(公告)号：KR1019980021218A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960040005
申请日：1996-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: 반도체 소자의 건식 식각 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 건식 식각 방법에서는 반도체 소자에 사용되는 도전층 패턴을 형성하기 위하여 패시베이션 가스로서 O
2 /Cl
2 가스를 공급한다. 본 발명에 의하면, 환경 오염에 따른 문제를 방지할 수 있고, 웨이퍼당 공정 진행 시간이 단축될 수 있으며, 애싱 및 스트립 공정시 비교적 짧은 시간이 소요된다.-
公开(公告)号：KR1019980015774A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960035212
申请日：1996-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 커패시터를 형성하는 과정에서 드라이 에칭에 따른 하부전극의 촤아지 업(charge up)과 방전(discharge)에 따른 하부전극에서의 결함발생과 이로 인한 셀 영역의 손상을 방지하는 방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 웨이퍼의 가장자리에서 커패시터의 하부전극부분을 감광막이나 상부전극으로 완전히 감싸서 상부전극의 드라이 에칭 및 오버에칭이 실시되더라도 하부전극이 에칭 플라즈마에 노출되지 않도록하여 순간적인 방전에 의한 하부전극의 손상 및 이로 인한 셀 영역의 손상을 방지한다.
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公开(公告)号：KR1020080030199A
公开(公告)日：2008-04-04
申请号：KR1020060095961
申请日：2006-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32018 , H01J37/32642
Abstract: A plasma processing apparatus is provided to minimize the amount of byproducts including polymers deposited on a control ring by reducing thermal loss of the inside of the control ring. A process chamber performs a plasma process. An upper electrode and a lower electrode are arranged opposite to each other in the inside of the process chamber. A control ring(400) is formed to surround a plasma processing region between the upper electrode and the lower electrode in order to define plasma in the plasma processing region. The control ring includes an internal cavity buffering part(410) in order to minimize the heat of the inside of the plasma processing region to be transmitted through the control ring to the outside.
Abstract translation: 提供等离子体处理装置，通过减少控制环内部的热损失来最小化包括沉积在控制环上的聚合物的副产物的量。 处理室执行等离子体处理。 上部电极和下部电极在处理室的内部彼此相对布置。 形成控制环（400）以包围上电极和下电极之间的等离子体处理区域，以便限定等离子体处理区域中的等离子体。 控制环包括内部空腔缓冲部分（410），以便使待通过控制环传输到外部的等离子体处理区域的内部的热量最小化。
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公开(公告)号：KR1020020088140A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：KR1020010027067
申请日：2001-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: Dry etching equipment is provided to prevent a shadow ring and connection socket from being loosen by changing the connection method of the shadow ring and the socket for wafer edge. CONSTITUTION: The dry etching equipment comprises a process chamber, a source gas supply, a vacuum generator, a couple of plasma electrodes to generate a plasma gas by applying electric field to the source gas, a wafer shadow ring(720) for protecting the wafer edge, and a shadow ring diving unit(730) for a shadow ring pin(710).
Abstract translation: 目的：提供干蚀刻设备，通过改变阴影环和晶片边缘插座的连接方式，防止阴影环和连接插座松动。 构成：干蚀刻设备包括处理室，源气体供应器，真空发生器，一对等离子体电极，以通过向源气体施加电场来产生等离子体气体，用于保护晶片的晶片影子环（720） 边缘，以及用于阴影环销（710）的阴影环潜水单元（730）。
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公开(公告)号：KR100336524B1
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：KR1020000045598
申请日：2000-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 플라즈마의 증착시 챔버내의 열손실이 방지되게 하므로서 투시창에의 폴리머 응착을 극소화시켜 관리가 용이하고, 가공시의 제품 불량률이 저감될 수 있도록 하는 반도체 제조용 화학기상증착 장치의 뷰우포트에 관한 것으로서, 상기의 목적 달성을 위하여 본 발명은 챔버(3)의 외벽을 이루는 제2일렉트로드(10)의 측면 일측에 소정의 크기로 개구(11)를 형성하고, 상기 개구(11)의 외측의 주연부를 돌출되게 형성한 브라켓(20)과; 상기 브라켓(20)의 내부로 삽입되면서 상기 개구(11)의 외측 주연부와는 O링(31)에 의해 긴밀하게 밀착되는 투시창(30)과; 상기 브라켓(20)의 외측면을 개방시킨 홀(21)의 외주연 단부를 따라 구비되며, 상기 브라켓(20)의 서로 대응되는 외주연 단부에 일단이 힌지결합되고, 타단은 체해결이 가능하게 잠금수단(41)에 의해 결합되는 캡부재(40)와; 상기 캡부재(40)의 내측면에 부착되면서 상기 브라켓(20)의 외측면으로 형성한 홀(21)과 상기 투시창(30)의 일면으로 동시에 긴밀하게 밀착되게 삽입되는 단열부재(50)를 포함하는 구성으로 형성되도록 하는데 특징이 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020012342A
公开(公告)日：2002-02-16
申请号：KR1020000045598
申请日：2000-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: B01J3/004 , C23C16/488 , G02B7/007
Abstract: PURPOSE: A view port of a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a semiconductor is provided to increase endurance and to improve production yield, by easily observing the inside of a chamber through a window and by remarkably lengthening a cleaning period caused by contamination of the window. CONSTITUTION: A predetermined size of an opening(11) is formed in a side of the side surface of the second electrode(10) constituting the outer wall of the chamber, and a bracket(20) is so formed that the outer circumferential portion of the opening is protruded. The window(30) is inserted into the bracket, and is closely adhered to the outer circumferential portion of the opening by an O ring(31). A cap unit(40) is formed along the end portion of the outer circumference of a hole(21) opening a side surface of the bracket. One end of the cap unit is hinge-coupled to a corresponding end portion of the outer circumference of the bracket, and the other end of the cap unit is detachably connected to a corresponding end portion of the bracket by a lock unit(41). An adiabatic unit(50) is closely and simultaneously adhered to the hole formed on the outer side surface of the bracket and the one surface of the window while adhered to the inner side surface of the cap unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的化学气相沉积设备的观察口，通过容易地通过窗户观察房间的内部并且显着地延长由窗户的污染引起的清洁周期，从而提高耐久性并提高产量 。 构成：在构成室的外壁的第二电极（10）的侧面的一侧形成开口（11）的预定尺寸，并且支架（20）形成为使得外壳 开口突出。 窗口（30）插入到支架中，并且通过O形环（31）紧密地附着在开口的外周部分上。 沿着开口支架的侧面的孔（21）的外周的端部形成有盖单元（40）。 盖单元的一端铰链连接到托架的外圆周的相应端部，并且盖单元的另一端通过锁定单元（41）可拆卸地连接到支架的相应端部。 绝热单元（50）紧密并同时地粘附在形成在支架的外侧表面上的孔和窗口的一个表面上，同时粘附到盖单元的内侧表面。
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公开(公告)号：KR1020000019096A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980037023
申请日：1998-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A wafer guardring of a semiconductor plasma equipment is provided to achieve uniformed processing degree and prevent wafer defect by suppressing over-etching of a wafer girth. CONSTITUTION: A wafer guardring of a semiconductor plasma equipment comprises a ring-shaped body surrounding a side of a wafer safely attached onto a lower side electrode plate and a ring-shaped block which is parallel with an upper wafer side surface to reduce plasma effect acting on the upper side girth of the wafer and of which a bottom is separated from an upper side surface of the wafer with a predetermined distance to block and surround an upper side room of the wafer.
Abstract translation: 目的：提供半导体等离子体设备的晶片护罩，以实现均匀的加工程度，并通过抑制晶片周长的过度蚀刻来防止晶片缺陷。 构成：半导体等离子体设备的晶片防护装置包括围绕安装在下侧电极板上的晶片的一侧的环状体和与上晶片侧面平行的环状块以降低作用的等离子体效应 在晶片的上边缘上，其底部与晶片的上侧表面以预定距离分隔开并且围绕晶片的上侧房间。
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公开(公告)号：KR100237823B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960020405
申请日：1996-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
Abstract: 주 공급밸브로부터 분기되어 복수개의 챔버에 연결된 라인으로 공급되는 헬륨가스의 압력이 라인별로 일정하게 유지되어 각 챔버로 공급되도록 개선시킨 반도체 공정챔버로의 냉각용 헬륨가스 공급 장치에 관한 것으로서, 헬륨가스가 공급되는 라인에 설치된 공급밸브의 후단으로 둘 이상의 분기된 공급라인을 통해 공정챔버가 각각 연결되어 있는 반도체 공정챔버로의 냉각용 헬륨가스 공급 장치에 있어서, 상기 공급라인상에 설치되어서 상기 헬륨가스의 공급압력을 일정하게 유지하도록 하는 압력레귤레이터가 헬륨공급밸브와 직렬로 상기 공정챔버에 각각 연결되어 이루어진다.
따라서, 두 개 이상의 챔버 내부에서 공정수행 중인 웨이퍼를 냉각시키기 위한 헬륨가스를 각 챔버에 대하여 정압으로 공급하게 되어 공급효율이 개선되고, 설비상의 에러가 발생되지 않으므로, 공정 및 설비의 신뢰성이 극대화되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990018386A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041562
申请日：1997-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 상에 금속막, 산화막 및 질화막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 질화막 상에 식각마스크층으로 폴리이미드막을 형성하는 단계와, 상기 폴리이미드막을 식각마스크로 하고 CF
4 , Ar, O
2 가 혼합된 가스를 이용하여 상기 질화막 및 산화막을 플라즈마식각하여 상기 금속층을 노출한다. 본 발명은 산화막, 질화막 등의 식각시에 CF
4 , Ar, O
2 가 혼합된 가스를 이용하여 플라즈마 식각하기 때문에 레지듀가 발생하지 않는다. -
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