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公开(公告)号：KR1019980015072A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034288
申请日：1996-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 위상반전 마스크 및 그 제조방법을 개시하고 있다. 이는, 투광영역과 차광영역으로 구분된 석영기판, 상기 석영기판의 차광영역 상에 반복적으로 형성된 차광패턴, 상기 투광영역 내에 형성되고, 이웃한 상기 차광패턴 사이의 일부에 형성된 위상비반전영역, 및 이웃한 상기 차광패턴 사이에 상기 위상비반전영역과 교대로 형성되고, 상기 석영기판을 소정깊이로 식각하여 형성된 위상반전영역을 구비하는 교번형 위상반전 마스크에 있어서, 상기 위상반전영역의 선폭이 상기 위상비반전영역의 선폭보다 더 큰 것을 특징으로 한다. 따라서, 위상반전영역과 위상비반전영역을 통과한 빛의 세기를 동일하게 유지하고 이에 의해 형성되는 패턴간의 임계선폭(CD) 차이를 감소시켜 패턴의 균일성을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980011703A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960031100
申请日：1996-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：KR1019980011701A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960031098
申请日：1996-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：KR1020150142900A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140071485
申请日：2014-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F1/78 , G03F1/36 , H01L21/0275
Abstract: 본발명의기술적사상은마스크데이터준비(MDP)에소요되는시간을최소화하여전체노광공정을최적화하고, 또한멀티-빔마스크노광기를기반으로하여인버스솔루션(inverse solution) 개념을통해패턴의품질을향상시킬수 있는전자빔을이용한노광방법과그 노광방법을이용한마스크및 반도체소자제조방법을제공한다. 그노광방법은 OPC을통해얻은 MTO 디자인데이터를입력받는단계; 데이터포맷변환없이상기 MTO 디자인데이터에대한잡-덱을포함한마스크데이터를준비하는단계; 상기마스크데이터에대하여전자빔근접효과에의한에러의보정(PEC)과노광공정(exposure process)에의한에러의보정(MPC: Mask Process Correction)을포함한복합보정을수행하는단계; 상기복합보정이수행된데이터에기초하여픽셀데이터를생성하는단계; 및상기픽셀데이터에기반하여마스크용기판상에전자빔쓰기(writing)를수행하는단계;를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用电子束的曝光方法，其可以通过最小化掩模数据准备（MDP）所需的时间来优化总曝光过程，并且可以通过逆解决方案基于以下方式提高图案的质量： 多光束掩模曝光装置，以及制造掩模的方法和使用其的半导体装置。 曝光方法包括以下步骤：接收通过光学邻近校正（OPC）获得的掩模带出（MTO）设计数据; 准备掩模数据，包括没有数据格式转换的MTO设计数据的工作表; 通过曝光处理执行包括掩模处理校正的复杂校正，以及对掩模数据进行电子束邻近效应校正（PEC）; 基于用复数校正处理的数据生成像素数据; 以及基于像素数据在掩模用基板上进行电子束写入。
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公开(公告)号：KR1020140050936A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：KR1020120117361
申请日：2012-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: The present invention provides a photomask and a manufacturing method of the same. The photomask can minimize the change of CD on a light shielding pattern by not damaging the light shielding pattern in a washing process using ammonia water using an etching prevention film covering a side wall of the light shielding pattern. The photomask comprises: a transparent substrate; the light shielding pattern located on the transparent substrate, and at least containing molybdenum and silicon; and the etching prevention film covering at least the side surface of the light shielding pattern.
Abstract translation: 本发明提供一种光掩模及其制造方法。 光掩模可以通过使用覆盖遮光图案的侧壁的防蚀膜在使用氨水的洗涤过程中不损害遮光图案来最小化遮光图案上的CD的变化。 光掩模包括：透明基板; 所述遮光图案位于所述透明基板上，并且至少含有钼和硅; 以及至少覆盖遮光图案的侧面的防蚀膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130108875A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：KR1020120030691
申请日：2012-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/027
CPC classification number: G01N21/956 , G01N21/21 , G01N2021/95676 , H01L22/24 , H01L22/26
Abstract: PURPOSE: A device of inspecting and measuring a reflective photomask using light accurately measure the line width of a pattern of the reflective photomask by using deep ultra violet (DUV) light. CONSTITUTION: A light irradiation unit (100A) has a light source (110) generating light and a beam forming unit (120). The light irradiation unit includes transmission lens (L1-L3) installed between the light source and the beam forming unit. A reflective photomask (210) is mounted on the lower surface of a photomask stage (200). The reflective photomask includes optical patterns formed on the front surface of a mask substrate (220). A light receiving unit (700) receives optical image information of the reflective photomask mounted on the photomask stage. An image analyzing unit (800) receives digital information from the light receiving unit and analyzes the image information of the patterns of the reflective photomask.
Abstract translation: 目的：使用光检测和测量反光光掩模的装置通过使用深紫外（DUV）光精确地测量反射光掩模图案的线宽。 构成：光照射单元（100A）具有产生光的光源（110）和光束形成单元（120）。 光照射单元包括安装在光源和光束形成单元之间的透射透镜（L1-L3）。 反光光掩模（210）安装在光掩模台（200）的下表面上。 反射光掩模包括形成在掩模基板（220）的前表面上的光学图案。 光接收单元（700）接收安装在光掩模台上的反射光掩模的光学图像信息。 图像分析单元（800）从光接收单元接收数字信息并分析反射光掩模的图案的图像信息。
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公开(公告)号：KR1020130067325A
公开(公告)日：2013-06-24
申请号：KR1020110102665
申请日：2011-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/64
Abstract: PURPOSE: A pellicle and a photomask structure having the pellicle thereon are provided to disperse pressures applied to the upper surface of the photomask from a frame by forming a buffer zone in the frame. CONSTITUTION: A photomask structure(50) includes a photomask(44) and a pellicle(40). Optical patterns(48) are formed on the upper surface of the photomask. The pellicle covers the upper surface of the photomask with the optical patterns. The pellicle includes a rectangular frame and a buffer zone. The buffer zone divides the lower surface of the frame into a plurality of regions. The buffer zone removes a part of the lower surface, internal surface, and external surface of the frame. The upper surface of the frame remains. The frame includes sides, and the buffer zone is formed on one of the sides.
Abstract translation: 目的：提供防护薄膜组件和其上具有防护薄膜的光掩模结构，以通过在框架中形成缓冲区来分散施加到光掩模的上表面的压力。 构成：光掩模结构（50）包括光掩模（44）和防护薄膜（40）。 光学图案（48）形成在光掩模的上表面上。 防护薄膜组件用光学图案覆盖光掩模的上表面。 防护薄膜组件包括矩形框架和缓冲区域。 缓冲区将框架的下表面划分成多个区域。 缓冲区域去除框架的下表面，内表面和外表面的一部分。 框架的上表面保留。 框架包括侧面，缓冲区形成在其中一侧。
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公开(公告)号：KR100618847B1
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：KR1020040056426
申请日：2004-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 포토리소그라피 공정에서 피측정 패턴의 임계치수 변이가 발생한 경우에 피측정 패턴의 임계치수를 보정하는 방법에 대하여 개시한다. 임계치수를 보정하기 위하여 본 발명에서는 먼저 포토리소그라피 공정의 임계치수 변이를 측정하고, 그 임계치수 변이에 따라서 포토리소그라피 공정의 노광원의 파장λ보다 크기가 작은 크기로 포토 마스크의 투명 기판을 식각하여, 리세스, 언더 컷, 수직 홈, 등방성 홈, 리세스된 수직 홈 및/또는 리세스된 등방성 홈을 형성한다.
포토 마스크, 임계치수(critical dimension), 타겟 CD, CD 보정, 균일도-
公开(公告)号：KR100607203B1
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1020050000994
申请日：2005-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/34
Abstract: 크롬리스 위상반전마스크의 제조방법들을 제공한다. 이 방법들은 트렌치 회로 영역 및 메사 회로 영역을 갖는 마스크 본체 표면에 하드마스크 막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 하드마스크 막을 패터닝 하여 상기 트렌치 회로 영역 상에 트렌치 하드마스크 패턴을 형성한다. 상기 트렌치 하드마스크 패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 마스크 본체를 이방성 식각하여 상기 트렌치 회로 영역에 예비 함몰패턴을 형성한다. 상기 트렌치 하드마스크 패턴을 갖는 상기 하드마스크 막을 패터닝 하여 상기 메사 회로 영역 상에 메사 하드마스크 패턴을 형성한다. 동시에, 상기 트렌치 회로 영역 상부면을 노출시킨다. 상기 메사 하드마스크 패턴을 식각마스크로 이용하여 상기 마스크 본체를 이방성 식각하여 상기 메사 회로 영역에 위상반전 돌출패턴들을 형성한다. 동시에, 상기 트렌치 회로 영역에 위상반전 함몰패턴들을 형성한다. 상기 위상반전 함몰패턴들 사이의 돌출부분은 상기 위상반전 돌출패턴의 상부면 보다 하위 레벨에 형성된다.
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公开(公告)号：KR100604814B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020020069665
申请日：2002-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/34
Abstract: 다양한 사이즈 및 피치의 포토레지스트 패턴을 제공할 수 있는 위상 에지 위상 반전 마스크 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 위상 에지 위상 반전 마스크는, 180°위상 반전 영역을 한정하는 트렌치를 갖는 석영 기판으로 구성된다. 상기 석영 기판 상부 소정 부분 및/또는 트렌치 바닥부의 소정 부분에 보조 패턴이 형성된다. 보조 패턴은 석영 기판 상부 및/또는 트렌치 바닥부 상의 적어도 한 곳에 형성되며, 광간섭 물질 또는 불투명 물질로 형성되어, 포토레지스트 패턴의 선폭을 제어한다.
위상 에지 위상 반전 마스크(PEPSM), 보조 패턴, 광간섭
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