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    기억용량을 확장하는 하드디스크 제어장치
    11.
    发明公开
    기억용량을 확장하는 하드디스크 제어장치 失效

    公开(公告)号：KR1019970029631A

    公开(公告)日：1997-06-26

    申请号：KR1019950042983

    申请日：1995-11-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 안형근 ,  권혁은 ,  변태수

    IPC: G11B20/04

    Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
    기억용량을 확장하기 위한 하드 디스크 제어장치에 관한 것이다.
    2. 발명이 해결하고자하는 기술적 과제
    하드디스크의 기억용량을 압축율에 따라 확장한다.
    3. 발명의 해결방법의 요지
    기록시 하드디스크의 최대용량보다 1/K배 압축하여 저장하고, 재생시 압축된 데이타를 신장하므로, 하드디스크의 최대용량보다 K배 더 기억용량을 확장시킨다.
    4. 발명의 중요한 용도
    하드디스크 제어장치에 적용한다.

    콘택 구조체 형성방법, 이를 이용하는 반도체소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 반도체소자
    18.
    发明授权
    콘택 구조체 형성방법, 이를 이용하는 반도체소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 반도체소자 有权
    形成接触结构的方法，使用该接触结构的半导体器件的制造方法以及使用该结构制造的半导体器件

    公开(公告)号：KR101429724B1

    公开(公告)日：2014-08-13

    申请号：KR1020080125301

    申请日：2008-12-10

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박영림 ,  안형근 ,  오규환 ,  안동호 ,  이진일

    IPC: H01L21/28

    CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L27/24

    Abstract: 콘택 구조체 형성방법, 이를 이용하는 반도체소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 반도체소자를 제공한다. 이 반도체소자의 제조방법은 반도체기판 상에 제1 개구부를 갖는 제1 몰딩 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 적어도 상기 제1 개구부의 측벽을 덮는 절연막을 형성한다. 상기 절연막에 의해 측벽이 덮인 상기 제1 개구부의 나머지 부분을 채우는 제2 몰딩 패턴을 형성한다. 상기 절연막을 패터닝하여 절연 패턴을 형성함과 아울러, 상기 제1 및 제2 몰딩 패턴들의 측벽들 및 상기 절연 패턴의 측벽에 의해 한정된 제2 개구부를 형성한다. 상기 제2 개구부 내에 콘택 패턴을 형성한다.

    저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
    19.
    发明公开
    저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 无效
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110123005A

    公开(公告)日：2011-11-14

    申请号：KR1020100042415

    申请日：2010-05-06

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 안형근 ,  조성래 ,  김익수 ,  임동현 ,  조은희

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1226 ,  G11C13/0004

    Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to from a plurality of program areas which stores data in one memory filler by extending a memory filler to a first direction. CONSTITUTION: A conductive pillar(630) is formed by extending to a first direction from a substrates. A variable resistor(620) surrounds the conductive filler. A switching material layer(610) surrounds the variable resistor. A first conductive layer(410_1) is formed to a second direction which crosses with the first direction. A first electrode(510_1) touches with the first conductive layer and the switching material layer.

    Abstract translation: 目的：通过将存储器填充器延伸到第一方向，从多个程序区域提供非易失性存储器件及其制造方法，所述多个程序区域将数据存储在一个存储器填充器中。 构成：通过从衬底延伸到第一方向形成导电柱（630）。 可变电阻器（620）围绕导电填料。 开关材料层（610）围绕可变电阻器。 第一导电层（410_1）形成为与第一方向交叉的第二方向。 第一电极（510_1）与第一导电层和开关材料层接触。

    콘택 구조체, 이를 채택하는 반도체 소자 및 그 제조방법들
    20.
    发明公开
    콘택 구조체, 이를 채택하는 반도체 소자 및 그 제조방법들 失效
    接触结构，使用其的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020090103566A

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：KR1020080029249

    申请日：2008-03-28

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박정희 ,  하용호 ,  안형근 ,  박준상 ,  권현숙 ,  강명진 ,  박두환

    IPC: H01L21/28

    CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

    Abstract: PURPOSE: A contact structure, a semiconductor device using the same, and a manufacturing method thereof are provided to form a stable contact on an information storage pattern having a concave region in a top surface. CONSTITUTION: A contact structure includes a bottom pattern, a flattened buffer pattern(126), and a conductive pattern(131). The bottom pattern is formed on a substrate(100), and has a concave region in a top surface. The flattened buffer pattern is formed on the information storage pattern. The conductive pattern is formed on the flattened buffer pattern, and is self-aligned with the bottom pattern.

    Abstract translation: 目的：提供一种接触结构，使用其的半导体器件及其制造方法，以在上表面具有凹区的信息存储图案上形成稳定的接触。 构成：接触结构包括底部图案，扁平缓冲图案（126）和导电图案（131）。 底部图案形成在基板（100）上，并且在顶面具有凹形区域。 扁平缓冲图案形成在信息存储图案上。 导电图案形成在扁平缓冲图案上，并且与底部图案自对准。

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