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    태양 전지 및 그 제조 방법
    12.
    发明公开
    태양 전지 및 그 제조 방법 审中-实审
    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020130137889A

    公开(公告)日：2013-12-18

    申请号：KR1020120061550

    申请日：2012-06-08

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 자비에 ,  임윤희 ,  장재준

    IPC: H01L31/042 ,  H01L51/42

    CPC classification number: H01L51/4253 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0049 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    Abstract: The present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing the same. The solar cell includes a cathode, an anode facing the cathode, an active layer located between the cathode and the anode, and a middle layer including an amphiphilic fullerene derivative and located between the cathode and the active layer.

    Abstract translation: 太阳能电池及其制造方法技术领域本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括阴极，面向阴极的阳极，位于阴极和阳极之间的有源层，以及包含两亲性富勒烯衍生物并位于阴极和有源层之间的中间层。

    반복적 굽힘 변형이 가능한 에너지 저장용 전기화학소자
    14.
    发明公开
    반복적 굽힘 변형이 가능한 에너지 저장용 전기화학소자 审中-实审
    用于存储能量的可重复弯曲的电化学装置

    公开(公告)号：KR1020170028675A

    公开(公告)日：2017-03-14

    申请号：KR1020150125605

    申请日：2015-09-04

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 권문석 ,  이운회 ,  최재만 ,  장재준

    IPC: H01M10/0585 ,  H01M2/02 ,  H01M10/04

    CPC classification number: H01M2/0275 ,  H01M2/021 ,  H01M2/026 ,  H01M2/0277 ,  H01M2/0287 ,  H01M2/08 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058 ,  H01M2220/30 ,  Y02E60/13

    Abstract: 반복적굽힘변형이가능한에너지저장용전기화학소자가개시된다. 개시된전기화학소자는, 길이방향, 두께방향및 폭방향을갖는전극조립체및 전극조립체를포장하기위한제 1 포장필름과제 2 포장필름을포함할수 있다. 상기개시된전기화학소자는제 1 포장필름의가장자리와상기제 2 포장필름의가장자리를접합하여형성된적어도하나의접합부를포함하고, 상기적어도하나의접합부는길이방향의적어도일부구간에서폭 방향의축을감는방향으로만곡가능하도록구성될수 있다.

    Abstract translation: 电化学装置包括其中限定长度方向，厚度方向和宽度方向的电极组件，以及包括第一包装膜和用于包装电极组件的第二包装膜的包装构件。 电化学装置包括通过将第一包装膜的边缘与第二包装膜的边缘接合而形成的接合部。 接合部构造成能够在长度方向的区域中围绕宽度方向的轴线弯曲。

    반도체 장치
    16.
    发明公开
    반도체 장치 审中-实审
    半导体器件

    公开(公告)号：KR1020130110483A

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：KR1020120032504

    申请日：2012-03-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이응규 ,  장재준 ,  장훈 ,  김민환 ,  배성렬 ,  장동은

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66681

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device generates electric field distribution without degrading the breakdown voltage properties of a transistor by arranging one end of a gate electrode on an epitaxial layer between first and second drift regions. CONSTITUTION: A second conductivity type buried layer (110) is formed on a first conductivity type substrate (100). A second conductivity type epitaxial layer (120) is formed on the buried layer. A first conductivity type pocket well (130) and a first drift region (140) overlap within the epitaxial layer. A second drift region (150) is separated from the first drift region. A first conductivity type body region (160) is formed within the pocket well. A gate electrode (190) is disposed on the epitaxial layer between the first and second drift regions.

    Abstract translation: 目的：半导体器件通过在第一和第二漂移区域之间的外延层上布置栅电极的一端来产生电场分布而不降低晶体管的击穿电压特性。 构成：在第一导电型基板（100）上形成第二导电型掩埋层（110）。 在掩埋层上形成第二导电型外延层（120）。 第一导电类型的凹穴（130）和第一漂移区（140）在外延层内重叠。 第二漂移区域（150）与第一漂移区域分离。 第一导电类型体区域（160）形成在口袋内。 栅电极（190）设置在第一和第二漂移区之间的外延层上。

    전기화학셀
    18.
    发明公开
    전기화학셀 审中-实审
    电化学电池

    公开(公告)号：KR1020170057673A

    公开(公告)日：2017-05-25

    申请号：KR1020150161055

    申请日：2015-11-17

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 손정국 ,  장재준 ,  구준환 ,  송민상 ,  지상민 ,  최재만

    IPC: H01M10/052 ,  H01M2/02

    CPC classification number: H01M2/0287 ,  H01M2/026 ,  H01M2/0277 ,  H01M2/08 ,  H01M2220/30

    Abstract: 전극조립체; 및상기전극조립체를수용하며, 제1 가스차단층과제1 밀봉층을포함하는제1 시트및 제2 가스차단층과제2 밀봉층을포함하는제2 시트를포함하는외장부(housing)를포함하며, 상기외장부가상기제1 시트와제2 시트사이에배치되는전극조립체를수용하는내부영역을가지는수용부및 상기제1 시트와제2 시트의가장자리를접합하여형성된접합부를포함하며, 상기접합부가제1 가스차단층과제2 가스차단층사이에배치되는제3 가스차단층을포함하며, 상기제3 가스차단층이복수의나노구조체를포함하는전기화학셀이제시된다.

    Abstract translation: 电极组件; 以及包含电极组件并且包括具有第一气体阻隔层1密封层的第一片材​​和具有第二气体阻隔层2密封层的第二片材的壳体， 并且通过接合第一片材和第二片材的边缘形成抵接部分，其中抵接部分具有第一部分和第二部分， 气体汽车单层任务2包含设置在单层垫片之间的第三气体汽车单层的电化学电池，其中第三气体汽车单层包含多个纳米结构。

    반도체 소자
    20.
    发明公开
    반도체 소자 审中-实审
    半导体器件

    公开(公告)号：KR1020160071856A

    公开(公告)日：2016-06-22

    申请号：KR1020140179564

    申请日：2014-12-12

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김민환 ,  정재현 ,  김정경 ,  이규옥 ,  장재준 ,  전창기 ,  조수연 ,  고성훈 ,  조규헌

    IPC: H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7824

    Abstract: 제1 도전형의반도체기판, 상기반도체기판상에형성된제2 도전형의에피택셜층, 상기에피택셜층에형성되며, 상기반도체기판의활성영역을한정하는소자분리영역, 상기에피택셜층에서로인접형성되어있는제1 도전형의바디영역및 제2 도전형의드리프트영역, 상기드리프트영역상에형성되며, 측면및 하면이상기드리프트영역에둘러싸여있는로코스(LOCOS) 절연막, 상기로코스절연막의일측부에인접형성되며, 측면및 하면이상기드리프트영역에둘러싸여있는드레인영역, 상기바디영역내에형성되며, 측면및 하면이상기바디영역에둘러싸여있는바디콘택영역및 소오스영역, 그리고상기바디영역으로부터상기드리프트영역을거쳐상기로코스절연막상에일부영역이중첩되어있는게이트영역을포함하는반도체소자가제공된다.

    Abstract translation: 提供具有低导通电阻特性的半导体器件。 半导体器件包括：第一导电型半导体衬底; 形成在所述半导体衬底上的第二导电型外延层; 元件隔离区，其形成在所述外延层上并限制所述半导体衬底的有源区; 在外延层上彼此相邻形成的第一导电型体区域和第二导电型漂移区域; 形成在漂移区上的LOCOS绝缘膜，其中LOCOS绝缘膜的侧表面和底表面被漂移区包围; 与LOCOS绝缘膜的一个侧面相邻形成的漏极区域，其中漏极区域的侧表面和底表面被漂移区域包围; 身体接触区域和源区域，其形成在身体区域中，其中身体接触区域和源区域的侧表面和底表面被身体区域包围; 以及部分地叠加在体区域，漂移区域和LOCOS绝缘膜上的栅极区域。

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