公开(公告)号：KR100249047B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970068237

申请日：1997-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전일환 ,  박병석 ,  노태효 ,  지연홍

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보호층의 사진 식각 공정에 의해 접속 구멍이 노출되는 종래의 칩 패드는 접속 구멍의 내측벽에 근접한 배선 패턴층이 사진 식각 공정에 사용되는 포토레지스트의 제거 공정에 사용되는 화학 약품에 의해 손상되거나, 폴리이미드 층과 같은 보호층을 형성한 이후의 경화 공정에서 폴리이미드 자체의 수축 작용에 의해 끊어지는 불량을 억제하기 위하여, 반도체 소자를 형성하기 위한 실리콘 기판이 구비된 상태에서, 제 1 배선 패턴층과, 제 1 배선 패턴층 둘레에 형성된 절연층과, 제 1 배선 패턴층과 절연층 상에 형성된 제 2 배선 패턴층 및 제 1 배선 패턴층 상부의 제 2 배선 패턴층의 일부가 노출되게 형성된 보호층이 실리콘 기판 상에 형성되며, 접속 구멍의 내측벽에 형성된 제 2 배선 패턴층이 � ��호층에 덮여 있는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020000008546A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980028417

申请日：1998-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박병석 ,  노태효 ,  전일환

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A method of etching a tungsten oxide layer using a radio frequency etching is provided to prevent creation of impurity particles by controlling bias voltage in a reacting chamber. CONSTITUTION: The method comprises the steps of loading a semiconductor substrate into a reacting chamber for radio frequency etching, wherein a tungsten plug is formed in the semiconductor substrate; forming plasma on the semiconductor substrate in the reacting chamber; and supplying radio frequency power to the semiconductor substrate to make positive ion in the plasma sputter a tungsten oxide layer formed on the tungsten plug in a constant cycle, where the bias voltage in the reacting chamber is less than 100 volt to 300 volt.

Abstract translation: 目的：提供使用射频蚀刻来蚀刻氧化钨层的方法，以通过控制反应室中的偏置电压来防止产生杂质颗粒。 构成：该方法包括以下步骤：将半导体衬底装载到用于射频蚀刻的反应室中，其中在该半导体衬底中形成钨插塞; 在反应室中的半导体衬底上形成等离子体; 并向半导体衬底提供射频功率以使等离子体中的正离子以恒定周期溅射形成在钨插塞上的氧化钨层，其中反应室中的偏置电压小于100伏至300伏。

公开(公告)号：KR1019990025483A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970047144

申请日：1997-09-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전일환 ,  박병석 ,  노태효 ,  지연홍

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 금속증착 공정을 이용한 금속 배선을 형성하는 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판과 Al 금속 배선의 경계면에 Ti/Tin 순으로 증착된 베리어 메탈층의 특성을 강화하기 위하여 실리콘 기판의 컨텍트 홀에 Ti/TiN의 베리어 메탈층을 형성한 이후에 N
2 O 또는 O
3 플라즈마를 이용하여 베리어 메탈층의 상부를 플라즈마 처리한 이후에 컨텍트 홀에 Al을 증착하여 금속 배선을 형성하는 금속 배선 형성 방법이 개시되어 있다. 특히, 본 발명에서의 플라즈마 처리에 사용되는 플라즈마는 베리어 메탈층에 산소를 공급할 수 있는 N
2 O, O
3 인 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 금속 배선을 형성하는 공정은 플라즈마 처리 공정 이후에 N
2 분위기에서의 열처리 공정을 더 포함하기도 한다.

公开(公告)号：KR100144926B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019950002248

申请日：1995-02-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구운서 ,  전일환 ,  박병석 ,  이정희

IPC: H01L21/28

Abstract: 공정이 단순하고 파티클로 인한 오염을 방지할 수 있는 반도체 장치의 비아콘택(via contact)에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체기판상에 하부 도전막, 캡층 및 층간절연막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 층간절연막상에 사진공정에 의해 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막과 캡층의 표면일부를 상기 포토레지스트막 패턴을 식각마스크로 하여 식각함으로써 비아홀을 형성하는 단계와, 상기 바이홀을 매립하는 상부 도전막을 형성하는 단계를 포함하여 상기 하부 도전막과 접속된다. 본 발명에 의하면, 비아홀의 식각시 하부 도전막에 직접적인 영향을 주지 않으므로써 비아불량을 방지할 수 있고, 공정을 단순화하여 생산성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970053260A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950065731

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기훈 ,  이태상 ,  김상학 ,  전일환

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 제조 공정에 따라 웨이퍼 이동시에 정확히 얼라인이 유지되도록 한 감지 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 양 엣지(EDGE)를 피감지부로 설정하고, 듀얼(DUAL) 방식으로 마련된 감지장치에 의해서 이를 감지되게 함으로 웨이퍼 이탈점의 확인이 정확하게 이루어지는 웨이퍼 얼라인 감지 장치에 관한 것으로 이송 수단에 따라 로딩/언로딩되며 웨이퍼가 가동되는 반도체 웨이퍼의 공정 장치에 있어서, 상기 웨이퍼의 얼라인 유지를 위하여 적어도 2점 이상의 웨이퍼 엣지가 감지되도록 복수의 감지 수단이 구비됨을 특징으로 하는 웨이퍼 얼라인 감지 장치.

公开(公告)号：KR1019970053252A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950059269

申请日：1995-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장대근 ,  전일환 ,  윤태진 ,  김종삼

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조장치에서 고진공을 사용하는 프로세스챔버의 고진공정도를 측정하는 이온 게이지에 관한 것으로서, 전자를 방출하는 필라멘트(16)의 정위치이탈을 검출하는 핀 커버(14)와, 상기 방출되는 전자를 가속시키는 그리드(18)와, 상기 가속된 전자를 집속시켜서 전기적신호로 변화시키는 콜렉터(20)를 튜브(10)내에 구비하고, 그리고 상기 필라멘트(16)가 상기 핀커버(14)의 상부에 전기적으로 절연되면서 지지되게 하는 적어도 3지점에 설치된 지지용 세라믹(22a, 22b, 22c)를 갖는 절연지지대에 의해 고정된다. 상술한 이온 게이지에 의하면, 조그마한 충격에 의해서 필라멘트가 끊어지기 전에는 그 필라멘트가 핀커버의 정위치에서 이탈되지 않으므로 전원공급단자에 어떠한 손상도 끼치지 않게 된다.

公开(公告)号：KR1019970030655A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950039891

申请日：1995-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전일환 ,  이태상 ,  정영석 ,  조풍연

IPC: H01L21/768

Abstract: 본 발명은 진공증착기를 사용하여 배선막을 반도체기판상에 형성하는 반도체장치의 배선막형성방법에 관한 것으로서, 그 방법은 상기 진공증착기의 수분제거용 챔버내에서 가스제거를 실행하는 공정과; 상기 수분제거용 챔버내의 온도를 저온으로 떨어 뜨려서 반도체기판자체의 온도를 저하시키는 냉각공정과; 실온에서 배선막을 콘택홀내에 그리고 반도체기판상에 증착하는 증착공정을 포함한다. 상술한 방법에 의하면, 배선막의 증착공정이 실행될때, 증착용 챔버내의 온도가 실온으로 항상 유지될 수 있기 때문에 정상적인 리플로우 마진과 그리고 스텝 커버리지가 양호한 배선막이 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960042904A

公开(公告)日：1996-12-21

申请号：KR1019950014339

申请日：1995-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재섭 ,  전일환

IPC: H01L21/00

Abstract: 반도체 생산 장치비의 각 단위공정 제어를 실시간(Real Time) 제어할 수 있는 제어방법이 개시된다.
본 발명은 호스트 컴퓨터에 각 스텝별 및 항목별 최적조건 한계값을 설정하고 SECS 메시지를 이용하여 해당 장비로부터 보고되는 장비데이타를 상기 설정된 한계치와 비교하여, 작업자의 장비 조작 실수로 인한 공정의 이상, 장비 자체의 기능상의 결함으로 인한 공정 이상, 및 장비조건 설정치의 이상등과 같은 이상 발생시 장비를 즉시 가동 중지시키고 이를 장비 화면에 모니터링함으로써, 피해를 최소화하고 조속히 공정을 안정화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960032603A

公开(公告)日：1996-09-17

申请号：KR1019950002248

申请日：1995-02-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구운서 ,  전일환 ,  박병석 ,  이정희

IPC: H01L21/28

Abstract: 공정이 단순하고 파티클로 인한 오염을 방지할 수 있는 반도체 장치의 비아콘택(via contact)에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판상에 하부 도전막, 캡층 및 층간절연막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막상에 사진공정에 의해 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막과 캡층의 표면일부를 상기 포토레지스트막 패턴을 식각마시크로 하여 식각함으로써 비아홀을 형성하는 단계와, 상기 비아홀을 매립하는 상부 도전막을 형성하는 단계를 포함하여 상기 하부 도전막과 접속된다. 본 발명에 의하면, 비아홀의 식각시 하부 도전막에 직접적인 영향을 주지 않으므로써 비아불량을 방지할 수 있고, 공정을 단순화하여 생산성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010019991A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019990036673

申请日：1999-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전일환 ,  노태효 ,  박병석 ,  윤태진

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A system for depositing a thin film is provided to form a pure thin film desired in a production line regardless of a processing order of respective wafers, by connecting a thin film deposition chamber and a process gas supplying parts with a plurality of process gas supplying pipes. CONSTITUTION: A thin film deposition chamber(10) forms a thin film in a specific layer of a wafer(1). A plurality of process gas supplying parts(20,30) supply predetermined process gas to the thin film deposition chamber. A plurality of process gas supplying pipes(21,31) connect the thin film deposition chamber with the respective process gas supplying parts by one-to-one correspondence.

Abstract translation: 目的：提供用于沉积薄膜的系统，以便通过将薄膜沉积室和工艺气体供应部件与多个处理气体连接而形成在生产线中期望的纯薄膜，而不管各个晶片的处理顺序如何 供应管道。 构成：薄膜沉积室（10）在晶片（1）的特定层中形成薄膜。 多个处理气体供给部件（20,30）向薄膜沉积室供给预定的处理气体。 多个工艺气体供给管道（21,31）将薄膜沉积室与相应的工艺气体供应部件一一对应地连接起来。