公开(公告)号：KR100243291B1

公开(公告)日：2000-03-02

申请号：KR1019970016814

申请日：1997-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전진호 ,  김원주

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28518

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 실리사이드층 형성방법에 관해 개시하는데, 폴리실리콘층상에 형성되는 텅스텐 실리사이드층이 후속 공정에서 리프팅되는 것을 방지하기 위해 실리콘 함유량이 많은 텅스텐 실리사이드층을 부착층으로서 상기 폴리실리콘층상에 형성한 다음 그 위에 상기 텅스텐 실리사이드층을 형성한다.
이렇게 함으로써, 상기 텅스텐 실리사이드층의 콘택상태가 개선되어 면저항의 균일도가 개선된다. 뿐만 아니라 텅스텐 실리사이드층의 스트레스도 감소되고 리프팅의 발생유무를 확인하는데 소요되는 시간을 크게 줄여서 반도체장치의 제조장비의 가동율을 높일 수 있으므로 생산성을 높일 수 있고 아울러 리프팅이 발생되지 않으므로 반도체장치의 수율도 높일 수 있다. 더불어 리프팅의 발생 유무 확인에 필요한 샘플용 웨이퍼의 소요가 감소되어 반도체장치의 제조비용을 낮출 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090024953A

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020070089949

申请日：2007-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전진호 ,  이중현 ,  여기성 ,  이두열

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/70 ,  G03F1/84

Abstract: A mask for making a semiconductor device is provided to perform the mask badness test and the making of the semiconductor device after the pattern formation by using only one mask. A mask(1) for making a semiconductor device comprises the first area(100) and the second part(200) which is the space except for the first area. The first area is comprised of at least one first division compartment and at least one second division compartment(100-2A,100-2B,100-2C,200-2D,100-2E). The second part has the mask layout same as the second division compartment. The second part includes the heat compartment(200-A,200-B,200-C,200-D,200-E). The second division compartment is the bar type.

Abstract translation: 提供了用于制造半导体器件的掩模，以通过仅使用一个掩模来执行掩模不良性测试和在形成图案之后的半导体器件的制造。 用于制造半导体器件的掩模（1）包括作为第一区域之外的空间的第一区域（100）和第二部分（200）。 第一区域由至少一个第一分隔室和至少一个第二分隔室（100-2A，100-2B，100-2C，200-2D，100-2E）组成。 第二部分具有与第二分隔室相同的面罩布局。 第二部分包括加热室（200-A，200-B，200-C，200-D，200-E）。 第二个分隔室是酒吧类型。

公开(公告)号：KR100589046B1

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040076391

申请日：2004-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이민우 ,  전진호 ,  이경섭 ,  권영철

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45563 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/507

Abstract: 양질의 박막을 균일하게 형성할 수 있는 박막 형성 방법에 있어서, 프로세스 챔버 내측면을 따라서 제1 및 제2 가스 공급 라인들이 교호적으로 그리고 등간격으로 배치된다. 제1 및 제2 가스 공급 라인들은 동일한 규격을 가지며, 전단면에 분사구가 형성된다. 제1 및 제2 가스 공급 라인들은 반도체 기판보다 큰 직경의 원주선 상을 따라 배치된다. 제1 가스 공급 라인은 제1 소스 가스, 반응 가스 및 보조 가스를 공급하고, 제2 가스 공급 라인은 제2 소스 가스를 공급한다. 이 경우, 보조 가스는 제1 소스 가스를 반도체 기판의 중심부로 유도하여 프로세스 챔버 내부의 가스 분포도를 향상시킨다. 이로써, 파티클이 반도체 기판으로 낙하되는 것을 방지할 수 있고, 정비 공정의 효율을 증대시킬 수 있으며, 재 세팅 시 소요 시간을 크게 단축할 수 있고, 반도체 기판 상에 양질의 박막을 균일하게 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050077155A

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：KR1020040005085

申请日：2004-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하민호 ,  전진호 ,  정이하

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45578

Abstract: 플라즈마 강화된 화학기상 증착 장비를 제공한다. 이 장비는 공정 챔버을 관통하는 가스 분사관을 포함한다. 가스 분사관에는 그것의 측벽일부로 이루어진 분사 영역이 배치된다. 분사 영역 내에는 복수개의 분사 슬롯들이 배치된다. 분사 슬롯들에 의하여 공정 챔버의 내부에 유도된 플라즈마력이 가스 분사관 내로 침투하는 현상을 최소화하여 파티클성 오염을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR100379108B1

公开(公告)日：2003-04-07

申请号：KR1020010016959

申请日：2001-03-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임전식 ,  전진호 ,  이종승 ,  최철환

IPC: H01L21/24

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor thin film having two layers capable of controlling an abnormal growth of dichloro-silane is provided to eliminate or decrease an abnormal growth of a lower polysilicon layer, by stacking the lower polysilicon layer at a temperature in which the lower polysilicon is not crystallized and by preventing silicon from being injected to the lower polysilicon layer. CONSTITUTION: A diffusion process is performed at the first temperature in which polysilicon is not crystallized so that a polysilicon layer is formed on a substrate. The first temperature for forming the polysilicon layer is increased to the second temperature. The polysilicon layer is flushed to form a transition layer by using the first flush material(S106). The polysilicon layer is flushed to form the second material layer on the polysilicon layer by using the second flush material(S108). The transition layer provides an adhesion characteristic between the second material layer and the polysilicon. The bulk of the second material layer is formed on the transition layer by using a composition of the first and second flush materials. The bulk of the second material layer is flushed to remove impurities by using the second flush material. The bulk of the second material layer is flushed to decrease stress between the polysilicon layer and the second material layer by using the first flush material(S116).

Abstract translation: 目的：提供一种制造具有能够控制二氯硅烷的异常生长的两层的半导体薄膜的方法，以消除或减少下多晶硅层的异常生长，通过在下述温度下堆叠下多晶硅层： 下多晶硅不结晶，并且通过防止硅被注入下多晶硅层。 构成：扩散工艺是在多晶硅不结晶的第一温度下进行的，以便在衬底上形成多晶硅层。 用于形成多晶硅层的第一温度增加到第二温度。 通过使用第一冲洗材料冲洗多晶硅层以形成过渡层（S106）。 通过使用第二冲洗材料冲洗多晶硅层以在多晶硅层上形成第二材料层（S108）。 过渡层提供第二材料层和多晶硅之间的粘附特性。 通过使用第一冲洗材料和第二冲洗材料的组合物在过渡层上形成大部分第二材料层。 通过使用第二冲洗材料冲洗大部分第二材料层以去除杂质。 通过使用第一冲洗材料冲洗第二材料层的主体以减小多晶硅层和第二材料层之间的应力（S116）。

公开(公告)号：KR100331543B1

公开(公告)日：2002-09-26

申请号：KR1019980053231

申请日：1998-12-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전진호

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning the inside of a chamber by using radio frequency(RF) plasma is provided to prevent generation of particles by stabilizing the inside of the chamber where particles are on the inner surface of the chamber and by changing the pressure of the chamber continuously or gradually. CONSTITUTION: The inside of the chamber in which particles are on the inner surface of the chamber is increased to a temperature not lower than a room temperature. Source gas of RF plasma flows to the inside the chamber. The pressure of the chamber is controlled at a pressure of 600-800 milliTorr. The outer portion of the inside of the chamber is cleaned by using RF plasma. The pressure of the chamber is controlled at a pressure of 300-600 milliTorr. The center portion of the inside of the chamber is cleaned by using RF plasma. The pressure of the chamber is controlled at a pressure of 100-300 milliTorr. A portion of the inside of the chamber that is not cleaned in the abovementioned cleaning processes is cleaned by using RF plasma. Inert gas continuously flows to the rear surface of a susceptor installed in the lower portion of the inside of the chamber during the abovementioned three cleaning processes so that even the lower portion of the susceptor is cleaned.

公开(公告)号：KR1020020068674A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：KR1020010008861

申请日：2001-02-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우찬 ,  전진호 ,  이종승

IPC: H01L21/316

Abstract: PURPOSE: A method for forming an SOG(Spin On Glass) is provided to form the SOG for composing an IMD(Inter Metal Dielectric) layer by using a flowing oxide. CONSTITUTION: A substrate for forming an SOG is loaded on an upper surface of a spin chuck(S1). A pattern such as a contact hole and a metallic material for metallic line are formed on the substrate. The substrate is slowly rotated by using the spin-chuck. The substrate is rotated with a rotating speed of 90 to 110rpm. A flowing oxide is provided to the substrate by using a nozzle(S3). The flowing oxide of 1.00 to 3.80cc is provided during 0.8 to 2.9 seconds. A cleaning process for the substrate is performed. The substrate is rotated in a high rotating speed during 10 to 11 seconds by using the spin-chuck(S5). An SOG is formed on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供用于形成SOG（旋转玻璃）的方法，以通过使用流动氧化物形成用于构成IMD（金属间介电）层的SOG。 构成：用于形成SOG的基板装载在旋转卡盘的上表面上（S1）。 在基板上形成金属线的接触孔和金属材料等图案。 使用旋转卡盘缓慢旋转基板。 基板以90至110rpm的转速旋转。 通过使用喷嘴（S3）将流动的氧化物提供到基板。 在0.8至2.9秒内提供1.00至3.80cc的流动氧化物。 进行基板的清洗工序。 通过使用旋转卡盘，基板在10〜11秒钟内以高转速旋转（S5）。 在基板上形成SOG。

公开(公告)号：KR100340207B1

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：KR1020000032893

申请日：2000-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전진호 ,  최병덕 ,  이종승 ,  서태욱

IPC: H01L21/316

Abstract: 비피에스지막을 포함하는 절연막 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. 산소 가스를 사용하여 산화성 분위기를 조성한 다음 테트라에틸 오소실리케이트 및 산소 가스를 사용하여 제1 시드층을 형성한다. 계속해서, 트리에틸보레이트, 테트라에틸 오소실리케이트 및 산소 가스를 사용하여 붕소가 첨가되는 함량 조절이 가능한 절연막의 형성을 위한 제2 시드층을 형성하고, 트리에틸보레이트, 트리에틸포스페이트, 테트라에틸 오소실리케이트 및 오존 가스를 사용하여 비피에스지막을 포함하는 절연막을 형성한다. 이에 따라 상기 절연막은 5.25 내지 5.75 중량%의 붕소 및 2.75 내지 4.25 중량%의 인이 첨가된다. 따라서 상기 절연막은 이전 또는 이후의 공정 특성에 영향을 받지 않는다.

公开(公告)号：KR1020020035543A

公开(公告)日：2002-05-11

申请号：KR1020020021154

申请日：2002-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전진호 ,  최병덕 ,  이종승 ,  서태욱

IPC: H01L21/316

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to form an insulation layer including a boron phosphorous silicate glass(BPSG) layer which is not affected by a characteristic of a prior or post process, by setting up the quantity of added boron and phosphorous as an optimum condition. CONSTITUTION: An etch stop layer(12) is formed on a substrate(10) to prevent the substrate from being damaged by an etch process. The insulation layer(18) added with boron of 5.25-5.75 weight percent and phosphorous of 2.75-4.25 weight percent is formed on the etch stop layer. The insulation layer is reflowed to planarize the surface of the insulation layer while the concave portion among roughness portions is filled with the insulation layer. A predetermined portion of the insulation layer is etched to form an insulation layer pattern having an opening where the surface of the etch stop layer under the predetermined portion is exposed.

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以通过设置添加的硼和磷的量来形成不含现有或后处理特性的硼磷硅酸玻璃（BPSG）层的绝缘层 作为最佳条件。 构成：在衬底（10）上形成蚀刻停止层（12），以防止衬底被蚀刻工艺损坏。 在蚀刻停止层上形成加入了5.25-5.75重量％的硼和2.75-4.25重量％的磷的绝缘层（18）。 回流绝缘层以平坦化绝缘层的表面，同时粗糙部分中的凹部填充有绝缘层。 蚀刻绝缘层的预定部分以形成具有开口的绝缘层图案，其中暴露预定部分下方的蚀刻停止层的表面。

公开(公告)号：KR100327604B1

公开(公告)日：2002-03-07

申请号：KR1019990040951

申请日：1999-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종승 ,  서태욱 ,  전진호

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76232

Abstract: 본발명은절연막라이너층위에절연층이균일하게성장하도록함으로써질화막라이너층과의계면에서절연층이뜯겨져나가는불량을방지할수 있는개선된트렌치격리영역형성방법을제공하는것으로서, 반도체기판의일면내에소정깊이로트렌치를형성하는단계; 상기트렌치를포함한기판상에질화막라이너층을형성하는단계; 상기질화막라이너층상에고르게분포된가스분포영역을형성하기위하여오존가스를주입하는단계; 상기트렌치를충전하여절연층을형성하기위하여오존가스와 TEOS 케미칼을동시에주입하는단계; 로이루어진것을특징으로한다. 본발명에따르면, 반도체소자내에균일하게형성된트렌치격리영역, 즉, 질화막라이너층과절연층의밀착도가크게향상되어균일한밀도를가진트렌치격리영역을얻을수 있는유용한발명이다.