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    ＥＵＶＬ 교호 위상반전 마스크의 제조 방법
    12.
    发明公开
    ＥＵＶＬ 교호 위상반전 마스크의 제조 방법 有权
    制造EUVL替代相移屏蔽的方法

    公开(公告)号：KR1020060110480A

    公开(公告)日：2006-10-25

    申请号：KR1020050032756

    申请日：2005-04-20

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 허성민 ,  김희범 ,  최성운 ,  김동완 ,  전찬욱

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/30 ,  G03F1/52

    Abstract: A method for manufacturing an EUVL(Extreme Ultra-Violet Lithography) alternating phase shift mask is provided to decrease reflectivity in a non-phase shift region when EUV light irradiated to a phase shift mask by physically changing a structure of a reflecting layer in the non-phase shift region. A substrate(100) is prepared to have reflecting layers(112,116), multi layering structure, where heterogeneous materials are layered in turn many times. A shielding layer is formed on the reflecting layers on the substrate. The reflecting layers include first and second reflecting layers. An etch stop layer is disposed between the first and second reflecting layers. A photoresist pattern is formed on the shielding layer to expose part thereof. Anisotropic dry etching is performed on the shielding layer by using the first photoresist pattern as an etching mask to form a shielding layer pattern(120a). The first photoresist pattern is removed. As the result, a reflecting region(100a) exposed through the shielding layer pattern and a non-reflecting region(100b) covered by the shielding layer pattern are defined on the first and second reflecting layers on the substrate.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造EUVL（Extreme Ultra-Violet Lithography）交变相移掩模的方法，用于通过物理地改变非反相层中的反射层的结构来减少EUV光照射到相移掩模时的非相移区域中的反射率 相移区。 制备基板（100）具有反射层（112,116），多层结构，其中异质材料依次层叠多次。 在基板上的反射层上形成屏蔽层。 反射层包括第一和第二反射层。 蚀刻停止层设置在第一和第二反射层之间。 在屏蔽层上形成光致抗蚀剂图案以暴露其部分。 通过使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模在屏蔽层上进行各向异性干蚀刻以形成屏蔽层图案（120a）。 去除第一光致抗蚀剂图案。 结果，在基板上的第一和第二反射层上限定了通过屏蔽层图案露出的反射区域（100a）和被屏蔽层图案覆盖的非反射区域（100b）。

    포토마스크의 결함 수정 방법_
    13.
    发明授权
    포토마스크의 결함 수정 방법_ 失效
    光掩模修复方法

    公开(公告)号：KR100585057B1

    公开(公告)日：2006-07-25

    申请号：KR1019980055034

    申请日：1998-12-15

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 신인균 ,  전찬욱

    IPC: H01L21/027

    Abstract: 마스크 기판상에 리버베드(riverbed)를 발생시키지 않고 오페이크형 결함을 수정하기 위한 포토마스크의 결함 수정 방법에 관하여 개시한다. 포토마스크 기판상에서 투광 영역을 한정하는 패턴 근방에 상기 투광 영역을 일부 가리도록 형성된 오페이크형 결함을 수정하기 위하여, 상기 오페이크형 결함 주위의 상기 패턴상에 카본(carbon)으로 이루어지는 블로킹(blocking)층을 형성하고, 상기 오페이크형 결함을 충분히 포함할 수 있도록 상기 오페이크형 결함보다 더 큰 범위에 대하여 레이저를 조사하여 상기 오페이크형 결함을 제거한다.

    블로잉을 이용한 포토 마스크의 세정 방법 및 장치
    14.
    发明授权
    블로잉을 이용한 포토 마스크의 세정 방법 및 장치 有权
    通过吹扫清洁光掩模的方法和装置

    公开(公告)号：KR101652825B1

    公开(公告)日：2016-09-01

    申请号：KR1020090071303

    申请日：2009-08-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정윤송 ,  고형호 ,  한성재 ,  김경노 ,  전찬욱

    IPC: H01L21/302

    CPC classification number: G03F1/82

    Abstract: 본발명은포토마스크(photomask)의세정방법에관한것으로, 보호하고자하는패턴(pattern)이형성되는제1 영역및 제1 영역의바깥쪽에위치하고제거하고자하는물질이존재하는제2 영역을포함하는포토마스크를제공하고, 상기물질을제거하기위하여제2 영역의안쪽에서바깥쪽의방향으로세정액을분사하며, 세정액으로부터패턴을보호하기위하여제1 영역에서제2 영역의방향으로기체를블로잉(blowing)한다.

    메가소닉 세정 방법 및 세정 장치
    16.
    发明公开
    메가소닉 세정 방법 및 세정 장치 有权
    清洁方法和清洁装置

    公开(公告)号：KR1020110132660A

    公开(公告)日：2011-12-09

    申请号：KR1020100052109

    申请日：2010-06-03

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

    Inventor： 최재혁 ,  김원정 ,  김호영 ,  고형호 ,  오종근 ,  전찬욱 ,  박근환

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: B08B3/12 ,  G03F1/82 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67057

    Abstract: PURPOSE: A megasonic cleaning method and device are provided to improve a surface washing effect by creating micro-cavities with high power which is offered from a bubbling creating part and to prevent the generation of faults in a pattern which is formed in a substrate. CONSTITUTION: A cleaning object is loaded(S10). A micro cavity for washing the cleaning object is created(S12). Micro cavities which have stable vibration by the cleaning object are only transferred to a loaded space(S14). Micro cavities which have unstable vibration are destroyed or eliminated when the cleaning object is transferred to the loaded space. Second power for maintaining the vibration of the micro cavity is provided(S16). The surface of the cleaning object is washed using micro cavities of the stable vibration(S18).

    Abstract translation: 目的：提供一种兆声波清洗方法和装置，通过产生从发泡产生部分提供的高功率的微腔，并防止在衬底中形成的图案中产生缺陷，从而提高表面洗涤效果。 构成：加载清洁对象（S10）。 产生用于清洗清洁物体的微腔（S12）。 通过清洁对象具有稳定振动的微腔仅被传送到加载空间（S14）。 当清洁对象被传送到装载的空间时，具有不稳定振动的微腔被破坏或消除。 提供了维持微腔振动的第二功率（S16）。 使用稳定振动的微腔清洗清洁对象的表面（S18）。

    림 타입 포토 마스크의 제조방법
    17.
    发明授权
    림 타입 포토 마스크의 제조방법 有权
    制造边缘型光罩的方法

    公开(公告)号：KR100688562B1

    公开(公告)日：2007-03-02

    申请号：KR1020050067286

    申请日：2005-07-25

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김창환 ,  윤기성 ,  최선영 ,  전찬욱

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F1/29 ,  G03F1/30

    Abstract: 0°위상 영역 및 180°위상 영역의 경계 영역을 균일한 폭으로 정확히 노출시킬 수 있으면서, 다수의 전자빔 리소그라피 공정을 배제하여 크롬 패턴의 형상 불량을 방지할 수 있는 림 타입 포토 마스크의 제조방법을 제공하는 것이다. 개시된 본 발명은, 석영 기판상에 불투명층을 형성한다음, 상기 불투명층 및 상기 석영 기판을 소정 깊이 만큼 식각하여 180°위상 영역을 형성한다. 다음으로, 상기 석영 기판 결과물 상부에 상기 불투명층의 가장자리가 노출되도록 유동성 물질막을 형성하고 난 후, 상기 유동성 물질막을 마스크로 하여 상기 불투명층을 식각하여 더미 패턴을 형성한다. 그 후, 상기 유동성 물질막을 제거한다.
    포토레지스트막, 림, 전자빔

    림 타입 포토 마스크의 제조방법
    18.
    发明公开
    림 타입 포토 마스크의 제조방법 有权
    制造RIM型照相胶片的方法

    公开(公告)号：KR1020070012997A

    公开(公告)日：2007-01-30

    申请号：KR1020050067286

    申请日：2005-07-25

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김창환 ,  윤기성 ,  최선영 ,  전찬욱

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F1/29 ,  G03F1/30 ,  G03F1/26

    Abstract: A method for manufacturing a rim-type photo mask is provided to expose a boundary region with a uniform width by naturally exposing a chrome layer without using a lithography process. A photoresist film(120) is formed on a crystal substrate(100). The photoresist film is applied with a small thickness, such that an edge of a chrome layer(110) is exposed. The thickness of the photoresist film is between 1000 and 5000Š. The photoresist film is a liquid polymer material and developed on the crystal substrate with a low layer covering property. When the thin photoresist film is applied, the edge of the chrome layer is exposed with a constant width. A photoresist pattern is a resultant structure, which is developed, exposed, and applied according to an electron beam lithography process. When a width of the exposed chrome layer is too small, a plasma process or a developing process is performed on the chrome layer, such that a line width of the photoresist film is adjusted.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造边缘型光掩模的方法，通过在不使用光刻工艺的情况下自然地暴露铬层，以均匀宽度曝光边界区域。 在晶体基板（100）上形成光致抗蚀剂膜（120）。 以小的厚度施加光致抗蚀剂膜，使得铬层（110）的边缘被暴露。 光致抗蚀剂膜的厚度在1000和5000之间。 光致抗蚀剂膜是液体聚合物材料，并且在具有低层覆盖性的晶体衬底上显影。 当施加薄的光致抗蚀剂膜时，铬层的边缘以恒定的宽度曝光。 光致抗蚀剂图案是根据电子束光刻工艺显影，曝光和施加的结果结构。 当暴露的铬层的宽度太小时，对铬层进行等离子体处理或显影处理，使得调节光致抗蚀剂膜的线宽。

    포토마스크의 결함 수정 방법_
    19.
    发明公开
    포토마스크의 결함 수정 방법_ 失效
    校正光电子缺陷的方法

    公开(公告)号：KR1020000039635A

    公开(公告)日：2000-07-05

    申请号：KR1019980055034

    申请日：1998-12-15

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 신인균 ,  전찬욱

    IPC: H01L21/027

    Abstract: PURPOSE: A method for correcting defects of a photomask is provided to generate no riverbed on the substrate of the photomask after correcting defects. CONSTITUTION: A mask for correcting defects of a photomask comprises forming a blocking layer(30) of carbon on a pattern(20) around opaque defects(24) and removing the opaque defects(24) by applying laser to the region larger than the defects(24), wherein the region covers all defects(24). The blocking layer(30) is formed by a focused ion beam.

    Abstract translation: 目的：提供一种校正光掩模缺陷的方法，用于在校正缺陷后在光掩模的基板上不产生河床。 构成：用于校正光掩模缺陷的掩模包括在不透明缺陷（24）周围的图案（20）上形成碳的阻挡层（30），并通过对大于缺陷的区域施加激光来去除不透明缺陷（24） （24），其中所述区域覆盖所有缺陷（24）。 阻挡层（30）由聚焦离子束形成。

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