公开(公告)号：KR100849854B1

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：KR1020070018409

申请日：2007-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강상열 ,  이종철 ,  임기빈 ,  최훈상 ,  정은애

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/10852

Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to form a hafnium oxide layer having a tetragonal crystal structure by using a zirconium oxide layer having a tetragonal crystal structure. A multilayer dielectric(140) including a first dielectric layer(120) and a second dielectric layer(130) is positioned on a semiconductor substrate(100). The first dielectric layer has a tetragonal crystal structure. The second dielectric is composed of a material different from the material of the first dielectric. A dielectric constant of the second dielectric layer is larger than a dielectric constant of the first dielectric layer. The second dielectric layer has a tetragonal crystal structure. A part of a crystalline structure of the second dielectric layer is continued from a part of a crystalline structure of the first dielectric layer.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法，通过使用具有四方晶体结构的氧化锆层，形成具有四方晶系结构的氧化铪层。 包括第一介电层（120）和第二介电层（130）的多层电介质（140）位于半导体衬底（100）上。 第一介电层具有四方晶体结构。 第二电介质由与第一电介质的材料不同的材料构成。 第二电介质层的介电常数大于第一电介质层的介电常数。 第二介电层具有四方晶体结构。 第二电介质层的结晶结构的一部分从第一介电层的晶体结构的一部分继续。

公开(公告)号：KR1020080047164A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：KR1020060117179

申请日：2006-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강상열 ,  이종철 ,  임기빈 ,  여재현 ,  최훈상 ,  정은애

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/31641 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L28/40

Abstract: A method for fabricating a semiconductor device is provided to prevent plenty of O2 from being introduced into a dielectric layer at a time by separating a process for forming a single dielectric layer into two processes. A first ZrO2 layer is formed on a semiconductor substrate(100). A plasma treatment is performed on the first ZrO2 layer to form an interfacial layer. A second ZrO2 layer is formed on the interfacial layer. The thickness of the first ZrO2 can be not greater than that of the second ZrO2 layer. The first and second ZrO2 layers can be formed by an ALD(atomic layer deposition) method.

Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的方法，以通过将用于形成单个电介质层的工艺分成两个工序来防止大量的O 2一次被引入电介质层。 第一ZrO 2层形成在半导体衬底（100）上。 对第一ZrO 2层进行等离子体处理以形成界面层。 在界面层上形成第二ZrO 2层。 第一ZrO 2的厚度可以不大于第二ZrO 2层的厚度。 第一和第二ZrO 2层可以通过ALD（原子层沉积）方法形成。

公开(公告)号：KR1020080011788A

公开(公告)日：2008-02-11

申请号：KR1020060072206

申请日：2006-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  임기빈 ,  여재현 ,  최훈상 ,  정은애 ,  강상열

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/91

Abstract: A semiconductor device having a dielectric layer is provided to improve a leakage current characteristic of a capacitor by using a hafnium zirconium oxide layer with a crystal structure of a tetragonal system such that the hafnium zirconium oxide layer has a high dielectric constant. A semiconductor substrate is loaded into a reaction chamber(S100). A metal organic precursor including hafnium and zirconium is supplied to the reaction chamber to form a hafnium zirconium oxide layer(HfxZr1-x wherein 0

Abstract translation: 提供具有电介质层的半导体器件，通过使用具有四方晶系的晶体结构的铪锆氧化物层使得铪氧化锆层具有高介电常数来提高电容器的漏电流特性。 将半导体衬底装入反应室（S100）。 将包含铪和锆的金属有机前体供给到反应室，以在半导体衬底上形成铪锆氧化物层（Hf x Zr 1-x，其中0

公开(公告)号：KR100791477B1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060074490

申请日：2006-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진일 ,  조성래 ,  정은애 ,  박혜영 ,  임지은

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1616 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  G11C13/0004

Abstract: A phase-change memory unit, a method for manufacturing the same, a phase-change memory device having the same, and a method for manufacturing the same phase-change memory device are provided to form a phase-change material layer on a core forming layer by performing a chemical vapor deposition process. A first electrode(125) is formed on a substrate(100). An insulating structure includes an opening for exposing the first electrode. A core forming layer(140) is formed on the first electrode and a sidewall of the opening. A phase-change material layer(145) is formed on the core forming layer in order to fill up the opening. A second electrode(150) is formed on the phase-change material layer. A lower structure(105) is formed on the substrate. A lower insulating structure(110) is formed to cover the lower structure. A pad(120) is formed in the lower insulating structure in order to connect electrically the first electrode with the lower structure.

Abstract translation: 相变存储器单元，其制造方法，具有该相变存储器件的相变存储器件及其制造方法设置成在芯形成上形成相变材料层 通过进行化学气相沉积工艺。 第一电极（125）形成在基板（100）上。 绝缘结构包括用于暴露第一电极的开口。 在第一电极和开口的侧壁上形成芯形成层（140）。 为了填充开口，在芯形成层上形成相变材料层（145）。 第二电极（150）形成在相变材料层上。 在基板上形成下部结构（105）。 形成下部绝缘结构（110）以覆盖下部结构。 在下绝缘结构中形成焊盘（120），以便将第一电极与下部结构电连接。

公开(公告)号：KR1020070030497A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：KR1020050085209

申请日：2005-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임기빈 ,  이종철 ,  윤경렬 ,  여재현 ,  정은애 ,  김영선

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

Abstract: 제조 공정 시간을 증대시키지 않으면서, 유전막의 전기적 특성 및 유전 특성을 동시에 만족시킬 수 있는 유전막, 이 유전막의 제조방법 및 이를 이용한 MIM 캐패시터의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 유전막 제조방법은, 금속 소스를 공급하는 단계, 화학적으로 흡착되지 않은 금속 소스를 퍼지하는 단계, 산화제를 공급하는 단계, 및 화학적으로 흡착되지 않은 산화제를 퍼지하는 단계로 구성되는 단위 사이클을 연속적으로 반복 실시하는 것이다. 이때, 상기 처음부터 소정 회까지의 초기 사이클 동안의 산화제를 공급하는 시간은 상기 소정 회 이후의 후기 사이클 동안의 산화제를 공급하는 시간보다 상대적으로 짧은 것을 특징으로 한다.
ALD, 유전막, 주입량, 공급 시간

公开(公告)号：KR1020070024939A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020050080590

申请日：2005-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은애 ,  윤경렬 ,  임기빈 ,  여재현 ,  김성태 ,  김영선 ,  박영근

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31641 ,  H01L28/55

Abstract: A method for fabricating a thin film is provided to sufficiently reduce the influence upon the resultant structure positioned under a dielectric layer by performing a heat treatment process in forming a dielectric layer having a multilayered structure. A first reaction material including a zirconium precursor material and an oxide agent for oxidizing the first reaction material are supplied to form a first zirconium oxide layer(20) on a substrate(10). The first zirconium oxide layer is densified and transformed into a crystallized structure by a heat treatment process. A second reaction material including an aluminum precursor material and an oxide agent for oxidizing the second reaction material are supplied to form an aluminum oxide layer(30) on the first zirconium oxide layer. The heat treatment process is performed at a temperature of 400~700 deg.C while inert gas, oxygen gas or mixture gas thereof is supplied.

Abstract translation: 提供一种制造薄膜的方法，以通过在形成具有多层结构的电介质层中进行热处理工艺来充分降低对位于电介质层下方的所得结构的影响。 供给包括锆前体材料和用于氧化第一反应材料的氧化剂的第一反应材料以在基底（10）上形成第一氧化锆层（20）。 第一氧化锆层被致密化并通过热处理工艺转变为结晶结构。 供给包含铝前体材料和用于氧化第二反应材料的氧化剂的第二反应材料，以在第一氧化锆层上形成氧化铝层（30）。 热处理过程在400〜700℃的温度下进行，同时供给惰性气体，氧气或其混合气体。

公开(公告)号：KR100589053B1

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020030071811

申请日：2003-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  남갑진 ,  박인성 ,  정은애 ,  박기연 ,  이승환

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544

Abstract: 소스의 충분한 공급이 가능하면서도, 유지보수가 용이한 소스 공급 장치, 이를 이용한 소스 공급 방법과 원자층 증착방법이 개시되어 있다. 기상 소스가 수용된 소스 보관 용기, 기상 소스 충전 수단, 반응기에 인접한 기상 소스 충전 용기 그리고 소스 충전 용기의 기상 소스를 반응기에 공급하는 소스 공급 수단을 가지는 소스 공급 장치를 제공한다. 또한, 우선 액상 소스를 기상 소스로 기화시키고, 이어서, 기상 소스를 소스 충전용기에 충전시킨 후, 소스 충전용기의 기상 소스를 반응기에 공급하는 과정을 포함하는 소스 공급방법과 이를 이용한 원자층 증착 방법을 제공한다. 소스 공급시간의 연장이나 소스의 변질을 일으킬 수 있는 소스 온도의 상승 없이 짧은 시간에 소스를 충분히 공급할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100572382B1

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：KR1020030083021

申请日：2003-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동찬 ,  강창진 ,  남병윤 ,  지경구 ,  정은애 ,  조성일

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L28/91

Abstract: 반도체 장치의 커패시터 및 커패시터 제조 방법이 개시되어 있다. 기판 상에 증착된 하부 절연막과, 상기 하부 절연막을 관통하여 형성된 스토로지 노드 콘택과, 상기 스토로지 노드 콘택 상부면 및 하부 절연막 상부면에 걸쳐 접속되도록 바닥면이 형성되고, 상기 바닥면으로부터 이어지는 실린더 기둥의 상부는 상기 스토로지 노드 콘택의 상부면에서 수직 연장된 위치로부터 소정 방향으로 쉬프트된 위치에 형성되어 있는 실린더형의 하부 전극과, 상기 실린더형의 하부 전극의 실린더 내부면 및 외부면에 형성된 유전막 및 상부 전극으로 이루어지는 반도체 장치의 커패시터를 제공한다. 상기 커패시터는 하부 전극의 유효 면적이 증가되고, 하부 구조가 안정적이다.

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的电容器和电容器的方法。 沉积在基板上的下绝缘膜，并且通过下绝缘膜形成睾酮洛奇节点接触，底表面，使得睾酮洛奇节点接触顶部表面和底部的绝缘在所述上表面层的连接形成，所述气缸由底部表面，从而导致 形成在气缸内表面和形成在移位的位置在从伸出位置下电极的方向上的睾酮洛奇节点立式圆筒形的外表面的柱的上部，并在接触的上表面上的圆筒状的下部电极的 提供包括电介质膜和上电极的半导体器件的电容器。 电容器下电极的有效面积增加，并且子结构稳定。

公开(公告)号：KR100510526B1

公开(公告)日：2005-08-26

申请号：KR1020030023331

申请日：2003-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은애 ,  정우인 ,  김영선 ,  김희석 ,  진범준

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 소자의 커패시터는, 실린더형 커패시터 하부전극, 유전막, 및 상부전극으로 구성된 것으로서, 상부전극이 금속막과 그 위에 적층된 n-형 도프트 폴리 Si
1-x Ge
x 막으로 이루어진 것이 특징이다. n-형 도프트 폴리 Si
1-x Ge
x 막은 500℃ 이하의 저온에서 활성화된 상태로 증착이 되거나, 또는 500℃ 이하에서 활성화가 가능하기 때문에 현재 600℃ 이상의 고온에서 진행되어야 하는 커패시터 공정과 비교하여 커패시터의 누설전류 특성 열화를 현저하게 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR100475122B1

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020020081741

申请日：2002-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은애 ,  이명범 ,  진범준

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28525 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 실리콘 접촉저항을 개선할 수 있는 반도체 소자 형성방법에 관해 개시한다. 본 발명은 제2 불순물형 확산층을 갖는 반도체 기판 전면 상에 층간절연막을 형성하고 제2 불순물형 확산층을 노출하는 콘택홀을 형성한다. 이어서 콘택홀을 채우는 콘택 플러그를 형성하기 전에 제2 불순물형 원소를 포함하는 가스, 예컨대 AsH
3 , PH
3 와 같은 가스를 먼저 흘린다. 따라서 제2 불순물형 확산층에 얕은 접합의 도핑이 이루어져 후속 열처리시 자연산화막의 성장을 억제하고, 에피택셜(epitaxial) 재성장을 촉진시킨다.