公开(公告)号：KR1020140142423A

公开(公告)日：2014-12-12

申请号：KR1020130063573

申请日：2013-06-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재엽 ,  강희수 ,  홍수헌

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/785

Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는 장변과 단변을 포함하는 핀; 상기 장변과 접하도록 형성된 제1 트렌치; 상기 제1 트렌치의 적어도 일부에 형성된 제1 필드 절연막; 상기 단변과 접하도록 형성된 제2 트렌치; 및 상기 제2 트렌치의 적어도 일부에 형성된 제2 필드 절연막을 포함하고, 상기 핀의 상면에서 상기 제1 트렌치의 바닥면까지의 제1 길이와, 상기 핀의 상면에서 상기 제2 트렌치의 바닥면까지의 제2 길이가 서로 다르다.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括一个包括长边和短边的引脚，与长边接触的第一沟槽，形成在第一沟槽的一部分上的第一场绝缘层，位于第一沟槽的一部分上的第二沟槽 与短边接触，第二场绝缘层形成在第二沟槽的一部分上。 从销的上侧到第一沟槽的底部的第一长度不同于从销的上侧到第二沟槽的底部的第二长度。

公开(公告)号：KR1020160115019A

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：KR1020150041645

申请日：2015-03-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재엽 ,  유제민 ,  윤종식 ,  이화성 ,  정희돈 ,  차규만 ,  김현조 ,  윤종밀

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/7846

Abstract: 집적회로장치는기판으로부터돌출되고, 상기기판의주면과평행한제1 방향으로연장하고, 제1 도전형을갖는채널영역을가지며, 적어도일 측벽상에스텝부(stepped portion)를구비하는핀형활성영역, 상기핀형활성영역의상기적어도일 측벽상에배치되며, 상기스텝부에접하는스텝절연층, 및상기스텝절연층을사이에두고상기핀형활성영역의상기적어도일 측벽상에배치되며, 상기제1 방향과는다른제2 방향으로연장하는제1 고레벨소자분리막을포함한다

Abstract translation: 集成电路（IC）装置包括形成在衬底中的翅片型有源区，翅片型有源区的至少一个侧壁上的阶梯绝缘层，以及至少一个侧壁上的第一高电平隔​​离层 的鳍式活性区域。 翅片型有源区域从基板突出并且在平行于基板的主表面的第一方向上延伸，包括具有第一导电类型的沟道区域，并且包括台阶部分。 台阶绝缘层接触翅片型有源区的台阶部分。 台阶绝缘层在第一高电平隔​​离层和鳍式有源区的至少一个侧壁之间。 第一高级隔离层在与第一方向不同的第二方向上延伸。

公开(公告)号：KR1020170000539A

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：KR1020150089534

申请日：2015-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재엽 ,  김현조 ,  박성율 ,  박세완 ,  윤종밀 ,  이정효 ,  이화성 ,  정희돈 ,  하지용

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855

Abstract: 누설전류를경감시켜동작성능및 신뢰성을향상시킨반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는서로마주보는제1 단변및 제2 단변을포함하는핀형패턴, 상기제1 단변에접하도록형성되는제1 트렌치, 상기제2 단변에접하도록형성되는제2 트렌치, 상기제1 트렌치내에형성되고, 상기제1 단변으로부터순차적으로위치하는제1 부분과제2 부분을포함하는제1 필드절연막으로, 상기제1 부분의높이는상기제2 부분의높이와다른제1 필드절연막, 상기제2 트렌치내에형성되는제2 필드절연막, 및상기제1 필드절연막의제1 부분상에배치되는제1 더미게이트를포함한다.

Abstract translation: 半导体器件包括鳍状图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边，与第一短边接触的第一沟槽，与第二短边接触的第二沟槽，第一场绝缘 所述第一场绝缘膜包括从所述第一短边顺序布置的第一部分和第二部分，并且所述第一部分的高度不同于所述第二部分的高度;第二场绝缘膜， 第二沟槽和第一场绝缘膜的第一部分上的第一伪栅极。

公开(公告)号：KR1020160115018A

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：KR1020150041644

申请日：2015-03-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재엽

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/41791

Abstract: 집적회로장치는기판상에제1 방향으로연장하는제1 및제2 핀형활성영역, 상기제1 및제2 핀형활성영역과교차하는제2 방향으로일직선상에서연장되며, 상기제1 및제2 핀형활성영역과각각교차하는제1 및제2 게이트라인, 상기제1 게이트라인일측상의상기제1 핀형활성영역상에형성되며, 상기제1 게이트라인과접촉하는제1 콘택구조물, 및상기제2 핀형활성영역상에서상기제2 게이트라인일측상에형성되는제2 콘택구조물을포함하며, 상기제1 콘택구조물은금속실리사이드물질을포함하는제1 하부콘택및 상기제1 하부콘택상의제1 상부콘택을포함하고, 상기제2 콘택구조물은금속실리사이드물질을포함하는제2 하부콘택및 상기제2 하부콘택상의제2 상부콘택을포함한다.

公开(公告)号：KR1020160107009A

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：KR1020150029863

申请日：2015-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재엽

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7831

Abstract: 집적회로소자는제1 영역및 제2 영역을가지는기판과, 상기제1 영역으로부터제1 방향으로돌출되는제1 탑부분을가지는제1 핀형활성영역과, 상기제2 영역으로부터상기제1 방향으로돌출되고상기제1 탑부분의폭보다더 큰폭을가지는제2 탑부분을가지는제2 핀형활성영역을포함한다.

Abstract translation: 集成电路器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底; 第一鳍状有源区域，具有从第一区域沿第一方向突出的第一顶部部分; 以及具有第二顶部的第二鳍形有源区，该第二顶部从第二区域沿第一方向突出并且比第一顶部部分宽。 根据本发明，集成电路器件可以提高执行不同功能的每个多栅极晶体管的性能。