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公开(公告)号：KR1020160021556A
公开(公告)日：2016-02-26
申请号：KR1020140106960
申请日：2014-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/42 , G11C11/401
CPC classification number: G11C29/52 , G06F11/1048 , G11C2029/0411
Abstract: 본발명은외부패리티비트들과내부패리티비트들을저장하도록공유되는 ECC 셀어레이를갖는메모리장치에대하여개시된다. 메모리장치는 ECC 엔진과 ECC 선택부를포함한다. ECC 엔진은데이터를수신하고, 데이터에대하여 ECC 동작을수행하여내부패리티비트들을생성한다. ECC 선택부는외부패리티비트들과내부패리티비트들을수신하고, 외부패리티비트들과내부패리티비트들중 하나를선택하여출력한다. 선택된외부패리티비트들또는내부패리티비트들은공유가능한 ECC 셀어레이에저장된다. 이에따라, 메모리장치의칩 사이즈오버헤드를줄일수 있다.
Abstract translation: 根据本发明，公开了一种具有ECC单元阵列共享以存储外部奇偶校验位和内部奇偶校验位的存储器件。 存储装置包括ECC引擎和ECC选择单元。 ECC引擎通过对数据执行ECC操作来接收数据并产生内部奇偶校验位。 ECC选择单元接收外部奇偶校验位和内部奇偶校验位，并选择并输出外部奇偶校验位和内部奇偶校验位。 所选择的外部或内部奇偶校验位存储在可共享的ECC单元阵列中。 因此，可以减少存储器件的芯片尺寸开销。
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公开(公告)号：KR1020150068679A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020130154622
申请日：2013-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C29/44 , G06F9/4401 , G11C2029/0407 , G11C2029/4402
Abstract: 메모리시스템은바이오스를저장하는롬, 메인메모리및 프로세서를포함한다. 상기메인메모리는적어도하나의결함셀을구비하는메모리셀 로우를지정하는적어도하나의페일어드레스를저장하는페일어드레스테이블을구비한다. 상기프로세서는상기메모리시스템에전원이인가되는파워-온시에상기메인메모리로부터상기적어도하나의페일어드레스에관한페일정보를제공받고, 스토리지디바이스에저장되며상기메모리시스템의부팅동작과관련된데이터를상기적어도하나의페일어드레스에상응하는페일영역을회피하여상기메인메모리의안전영역에로딩시킨다.
Abstract translation: 存储器系统包括用于存储BIOS的ROM，主存储器和处理器。 主存储器设置有失败地址表，用于存储指定具有至少一个有缺陷单元的存储单元行的至少一个故障地址。 处理器在其中存储系统被供电的上电时被提供关于来自主存储器的至少一个故障地址的失败信息，并加载存储在存储设备中并且与引导相关的数据 通过避免与至少一个故障地址相对应的故障区域，将存储器系统的操作移动到主存储器的安全区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102204391B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020140106960
申请日：2014-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/42 , G11C11/401
Abstract: 본발명은외부패리티비트들과내부패리티비트들을저장하도록공유되는 ECC 셀어레이를갖는메모리장치에대하여개시된다. 메모리장치는 ECC 엔진과 ECC 선택부를포함한다. ECC 엔진은데이터를수신하고, 데이터에대하여 ECC 동작을수행하여내부패리티비트들을생성한다. ECC 선택부는외부패리티비트들과내부패리티비트들을수신하고, 외부패리티비트들과내부패리티비트들중 하나를선택하여출력한다. 선택된외부패리티비트들또는내부패리티비트들은공유가능한 ECC 셀어레이에저장된다. 이에따라, 메모리장치의칩 사이즈오버헤드를줄일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150106144A
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：KR1020140028269
申请日：2014-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1446 , G06F12/08 , G06F12/1009 , G06F12/121 , G06F13/28 , G06F2212/655
Abstract: 메모리 스왑 오퍼레이션 제어 방법 및 이를 적용하는 데이터 처리 시스템에 관하여 개시한다. 메모리 스왑 오퍼레이션 제어 방법은 호스트의 프로세서에서 페이지 폴트가 발생된 프로세스에 대한 정보를 제1저장 수단에 기입하는 단계, 상기 페이지 폴트가 발생된 페이지를 스왑 메모리로 인식된 메모리 장치로부터 호스트의 메인 메모리에 복사하는 단계 및, 상기 페이지 폴트가 발생된 페이지를 메인 메모리에 복사하는 단계를 마친 후에 상기 제1저장 수단에 저장된 프로세스에 대한 정보를 이용하여 상기 페이지 폴트가 발생된 프로세스 동작을 재개하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于控制存储器交换操作的方法和使用其的数据处理系统。 用于控制存储器交换操作的方法包括：在第一存储装置中在主机的处理器中写入关于页面错误发生的处理的信息的步骤; 从识别为交换存储器的存储器件将页面错误发生的页面复制到主机的主存储器的步骤; 以及在将页面错误发生的页面复制到主存储器的步骤之后，通过使用存储在第一存储装置中的处理的信息来恢复出现页面错误的处理操作的步骤。
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公开(公告)号：KR1020150085301A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：KR1020140005020
申请日：2014-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/0793 , G06F9/445 , G06F11/073 , G06F11/1004 , G06F11/1417
Abstract: 메모리시스템의동작방법에서는메모리장치에포함되는비휘발성메모리및 휘발성메모리중 상기비휘발성메모리에저장된부트코드및 불량정보에기초하여하드웨어를초기화시킨다. 호스트가불량정보에기초하여메모리컨트롤러에포함되는내부메모리및 메모리장치의안전영역에서데이터를처리한다. 호스트및 메모리컨트롤러가불량정보(FI)에기초하여메모리장치내의불량영역에상응하는물리적어드레스(PA)에액세스하는것을차단하여메모리시스템의오동작을방지할수 있고, 불량정보(FI)를호스트및 메모리컨트롤러가포함되는시스템레벨로전달할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作存储器系统的方法，该存储器系统基于包括在存储器件中的非易失性存储器和易失性存储器，基于存储在非易失性存储器中的引导代码和故障信息来初始化硬件。 主机根据故障信息处理内部存储器中的安全区域中的数据和包含在存储器控制器中的存储器件。 主机和存储器控制器通过基于故障信息（FI）阻止对对应于存储器设备中的故障区域的物理地址（PA）的访问来防止存储器系统的故障，并将故障信息（FI）发送到 系统级，包括主机和内存控制器。
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公开(公告)号：KR1020150055946A
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：KR1020130138555
申请日：2013-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C29/04 , G11C29/78 , G11C29/785 , G11C29/88
Abstract: 메모리장치는부트메모리영역, 일반메모리영역및 여분메모리영역을포함한다. 메모리장치의복구방법은부트메모리영역의제1 불량메모리셀들을포함하는제1 불량메모리유닛들을배제하거나여분메모리영역의부트복구메모리유닛들로대체하여부트메모리영역을복구하는단계; 및부트메모리영역을복구한후, 일반메모리영역의제2 불량메모리셀들을포함하는제2 불량메모리유닛들을배제하거나여분메모리영역의복수의복구메모리유닛들중 부트복구메모리유닛들을제외한복구메모리유닛들로대체하여일반메모리영역을복구하는단계를포함한다.
Abstract translation: 存储装置包括：引导存储器区域; 一般记忆区; 和一个备用存储区。 在存储装置中使用的恢复方法包括以下步骤：排除包括引导存储器区域中的第一缺陷存储器单元的第一缺陷存储器单元，或者用备用存储器区域中的恢复存储器单元替换第一缺陷存储器单元，以恢复引导存储器区域 ; 并且在恢复所述引导存储器区域以恢复所述一般存储器之后，将除了所述引导恢复存储器单元之外的所述备用存储器区域中的所述恢复存储器单元替换为所述第二缺陷存储器单元， 区。
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公开(公告)号：KR1020120079397A
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：KR1020110000649
申请日：2011-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48
CPC classification number: G11C5/02 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/15311 , H01L2924/014
Abstract: PURPOSE: A stacked semiconductor device and manufacturing method thereof are provided to extend a size of cache without widening a chip area of microprocessor by controlling DRAM(Dynamic Random Access Memory) with a memory controller. CONSTITUTION: A second chip is arranged on a first chip through a first Through Silicon Via(TSV1). The second chip includes a first memory and memory controller(30). The first memory and memory controller are controlled each by the first chip. A second memory is arranged on the second chip through a second Through Silicon Via(TSV2). The second memory is controlled by the memory controller.
Abstract translation: 目的：提供叠层半导体器件及其制造方法，以通过利用存储器控制器控制DRAM（动态随机存取存储器）来扩展高速缓存的大小，而不会加宽微处理器的芯片面积。 构成：通过第一个通硅（TSV1）将第二芯片布置在第一芯片上。 第二芯片包括第一存储器和存储器控制器（30）。 第一个存储器和存储器控制器由第一个芯片控制。 第二个存储器通过第二个硅通孔（TSV2）布置在第二个芯片上。 第二个存储器由存储器控制器控制。
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