公开(公告)号：KR1020030012484A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：KR1020010046517

申请日：2001-08-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박병률 ,  정주혁 ,  한자형

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device having a metal-insulator-metal capacitor and a damascene wiring structure are provided to prevent deterioration of a capacitor by forming an upper electrode of the capacitor without a damage of a dielectric layer. CONSTITUTION: The first metal wire(115) and the second metal wire(120) are formed within a lower insulating layer(100) on a semiconductor substrate(90). The first and the second insulating layers(125,130) having hole regions are sequentially formed on the resultant including the first and the second metal wires(115,120). An upper electrode(140a) of the capacitor is formed by inserting a dielectric layer into inner walls and bottoms of the hole regions. The third and the fourth insulating layers are sequentially formed on the resultant. A damascene wiring structure is formed on an upper face of the first metal wire through the fourth, the third, the second, and the first insulating layers(140,130,125). A contact plug(155) is formed on the upper electrode(140a) of the capacitor through the fourth and the third insulating layers(145,143).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有金属 - 绝缘体 - 金属电容器和镶嵌布线结构的半导体器件的方法，以通过形成电容器的上电极而不损坏电介质层来防止电容器的劣化。 构成：第一金属线（115）和第二金属线（120）形成在半导体衬底（90）上的下绝缘层（100）内。 在包括第一和第二金属线（115,120）的结果上依次形成具有孔区的第一和第二绝缘层（125,130）。 通过将电介质层插入孔区的内壁和底部而形成电容器的上电极（140a）。 第三和第四绝缘层依次形成在所得物上。 通过第四，第三，第二和第一绝缘层（140,130,125）在第一金属线的上表面上形成镶嵌布线结构。 通过第四和第三绝缘层（145,143）在电容器的上电极（140a）上形成接触插塞（155）。

公开(公告)号：KR100506934B1

公开(公告)日：2005-08-05

申请号：KR1020030001690

申请日：2003-01-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하상록 ,  김종균 ,  손홍성 ,  한자형 ,  박무용

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B1/005 ,  B24B49/16

Abstract: 연마장치 및 이를 사용하는 연마방법을 제공한다. 이 연마장치는 그 상면에 연마포가 마련되며 소정의 방향으로 회전하는 턴테이블과; 턴테이블상의 연마포에 피연마물을 가압함과 동시에 소정의 방향으로 회전되어 피연마물을 회전하는 연마포와 상대 운동시켜 연마를 실시하는 케리어헤드; 및 케리어헤드의 내부에 설치되어 제1자기력을 발생시키는 복수의 제1자기발생체와; 케리어헤드의 내부에 설치되되 제1자기발생체에 대응하는 위치에 설치되어 제1자기발생체와 대응하는 척력 또는 인력을 발생시키는 복수의 제2자기발생체로 구성되는 자기가압력조정장치를 구비하며, 이러한 구성을 이용하여 상기 케리어헤드의 저면에 피연마물을 설치하는 공정과; 제2자기발생체에 가해지는 전류의 방향 및 전류의 크기를 조절하여 피연마물을 가압하는 정도를 조절하는 공정과; 케리어헤드와 접하는 타면측에 접하는 테이블을 회전시키고, 그 가압력이 조정된 케리어헤드를 소정의 방향으로 회전시키는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020040064827A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：KR1020030001690

申请日：2003-01-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하상록 ,  김종균 ,  손홍성 ,  한자형 ,  박무용

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B1/005 ,  B24B49/16

Abstract: PURPOSE: A polishing apparatus and a polishing method using the same are provided to form a uniform polishing layer by controlling pressure of a carrier head to distribute uniformly the pressure. CONSTITUTION: A polishing apparatus includes a turntable, a carrier head, and a magnetic pressure control unit. A polishing pad(101) is installed on a surface of the turntable(103). The turntable is rotated to the predetermined direction. The carrier head(105) is used for pressing a polished target on the polishing pad of the turntable. The carrier head is rotated to the predetermined direction to perform a polishing process. The magnetic pressure control unit includes a plurality of first magnetic force generators and a plurality of second magnetic force generators. The first magnetic force generators(111) are installed in the inside of the carrier head to generate the first magnetic force. The second magnetic force generators(115) are installed in the inside of the carrier head to generate the attractive force and the repulsive force corresponding to the first magnetic force generators.

Abstract translation: 目的：提供一种抛光装置和使用其的抛光方法，以通过控制载体头的压力来均匀地分布压力来形成均匀的抛光层。 构成：抛光装置包括转盘，载体头和磁力压力控制单元。 抛光垫（101）安装在转盘（103）的表面上。 转台旋转到预定方向。 载体头（105）用于将抛光的目标物质压在转台的抛光垫上。 承载头旋转到预定方向以进行抛光处理。 磁压力控制单元包括多个第一磁力发生器和多个第二磁力发生器。 第一磁力发生器（111）安装在承载头的内部以产生第一磁力。 第二磁力发生器（115）安装在承载头的内部，以产生与第一磁力发生器对应的吸引力和排斥力。

公开(公告)号：KR1020030025618A

公开(公告)日：2003-03-29

申请号：KR1020010058749

申请日：2001-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한자형 ,  하상록 ,  손홍성 ,  홍덕호 ,  박병률

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for polishing a copper metal layer and a method for forming a copper metal line are provided to minimize the generation of scratch in a polishing process by removing an uneven copper oxide layer. CONSTITUTION: The first insulating layer(32) is formed on a silicon wafer(30). A conductive pattern(32a) is formed on the first insulating layer(32). An etch stop layer, the second insulating layer, and the third insulating layer are formed on the first insulating layer(32). A via hole is formed by etching the third insulating layer and the second insulating layer. A trench is formed by etching the third insulating layer. A barrier metal layer(44) is formed on sidewall and bottoms of the via hole and the trench and an upper face of the third insulating layer. A copper metal layer is formed on the barrier metal layer(44). A crystalline copper metal layer(47) is formed by performing a thermal process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于抛光铜金属层的方法和装置以及形成铜金属线的方法，以通过去除不均匀的氧化铜层来最小化抛光过程中的划痕的产生。 构成：第一绝缘层（32）形成在硅晶片（30）上。 导电图案（32a）形成在第一绝缘层（32）上。 在第一绝缘层（32）上形成有蚀刻停止层，第二绝缘层和第三绝缘层。 通过蚀刻第三绝缘层和第二绝缘层形成通孔。 通过蚀刻第三绝缘层形成沟槽。 在通孔和沟槽的侧壁和底部以及第三绝缘层的上表面上形成阻挡金属层（44）。 在阻挡金属层（44）上形成铜金属层。 通过进行热处理形成结晶铜金属层（47）。

公开(公告)号：KR100370242B1

公开(公告)日：2003-01-30

申请号：KR1020000082057

申请日：2000-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한자형 ,  한명식 ,  김경현 ,  홍창기

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524

Abstract: A method for fabricating a non-volatile memory device is provided. The method for fabricating a non-volatile memory device includes the steps of: forming a gate pattern in which a first conductive layer is used as a floating gate, a second conductive layer is used as a control gate, the first conductive layer, a dielectric layer, and the second conductive layer are sequentially stacked on a semiconductor substrate; forming a polishing stopper on the gate pattern and the semiconductor substrate; forming an interlayer insulating layer on the polishing stopper; forming a common source line (CSL) by etching a portion of the interlayer insulating layer, and a portion of the polishing stopper, and depositing a conductive material to the etched portions; planarizing the common source line and the interlayer insulating layer until the surface of the polishing stopper is exposed; partially etching back the polishing stopper until the surface of the second conductive layer is exposed; and forming a silicide layer on the exposed second conductive layer and the common source line.

Abstract translation: 提供了一种用于制造非易失性存储器件的方法。 用于制造非易失性存储器件的方法包括以下步骤：形成栅极图案，其中第一导电层被用作浮置栅极，第二导电层被用作控制栅极，第一导电层，电介质 层和第二导电层顺序堆叠在半导体衬底上; 在栅极图案和半导体衬底上形成抛光停止层; 在抛光塞上形成层间绝缘层; 通过刻蚀所述层间绝缘层的一部分和所述抛光停止层的一部分来形成公共源极线（CSL），并且将导电材料沉积到所述蚀刻后的部分; 平坦化公共源极线和层间绝缘层，直到抛光塞的表面暴露; 部分回蚀该抛光停止物直到该第二导电层的表面被暴露; 以及在暴露的第二导电层和公共源极线上形成硅化物层。

公开(公告)号：KR1019990086371A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980019317

申请日：1998-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한자형

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 장치를 제조하기 위한 연마 공정에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 통상적인 CMP 공정 전에 전해질 용액을 이용한 전해 연마를 실시하여 텅스텐등의 금속막을 제거한다. 상기 전해 연마는 웨이퍼와 전해질 용액이 닿은 부분 전체에서 이루어지므로 웨이퍼의 표면 균일성을 향상시킬 수 있게 되며, CMP 공정시간을 감소시킴으로써 피팅이 발생되는 문제가 해소된다. 또한 CMP 공정에서는 텅스텐을 제거하기 위한 슬러리 대신 베리어 금속을 제거하기 위한 슬러리를 사용하게 되므로, 피팅이 발생되는 문제가 해소되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990068879A

公开(公告)日：1999-09-06

申请号：KR1019980002778

申请日：1998-02-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한자형

IPC: H01L21/304

Abstract: 화학 기계적 연마 공정에 이용되는 캐리어 필름을 마운팅하는 방법과 캐리어 필름 마운팅 플레이트에 관하여 개시한다. 전자는 마운팅된 캐리어 필름의 마운팅 온도를 국부적으로 조절하여 마운팅된 캐리어 필름의 두께를 국부적으로 조절하는 것을 특징으로 한다. 후자는 그 상부에 장착되는 웨이퍼에 대한 화학 기계적 연마율에 따라 동심원 형태로 구비된 단열막과, 단열막에 의하여 영역 구분된 각각의 영역에 구비된 도우넛 형태의 발열 수단 및 발열 수단에 연결된 온도 조절기를 포함하여 구비하여 마운팅된 캐리어 필름의 마운팅 온도를 조절하여 마운팅된 캐리어 필름의 두께를 조절하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 캐리어 필름의 두께와 밀접한 관련을 갖는 연마율을 동일 웨이퍼 상에서 국부적으로 조절할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980082861A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970017960

申请日：1997-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필 ,  한자형

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 화학기계적 연마 장비의 연마패드부에 관한 것으로, 연성 패드와, 상기 연성 패드의 한 쪽 면에 상기 연성패드와 동일한 물질로 이루어진 제1 물질부 및 상기 연성패드보다 더 경한 물질로 이루어진 제2 물질부가 혼재된 연마패드를 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 연마패드와 웨이퍼의 접촉면적을 극대화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100632468B1

公开(公告)日：2006-10-09

申请号：KR1020050080923

申请日：2005-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한자형

IPC: H01L21/304

Abstract: A retainer ring, a polishing head and a chemical mechanical polisher are provided to prevent erosion and dishing at a wafer edge by decreasing rapidly a temperature of a polishing pad and the wafer edge using a retainer ring with thermoelectric element. A heat sink(310) for retaining a wafer is prepared. A thermoelectric element(320) is formed on the heat sink. A retainer ring(300) having a heater is located on the thermoelectric element. The heater emits the heat absorbed from the heat sink. The retainer ring is comprised of thermoelectric semiconductor. The heat sink is comprised of ceramic.

Abstract translation: 通过使用具有热电元件的保持环快速降低抛光垫和晶片边缘的温度，提供保持环，抛光头和化学机械抛光器以防止晶片边缘处的侵蚀和凹陷。 准备用于保持晶片的散热器（310）。 热电元件（320）形成在散热器上。 具有加热器的保持环（300）位于热电元件上。 加热器散发从散热片吸收的热量。 卡环由热电半导体组成。 散热器由陶瓷组成。

公开(公告)号：KR1020040075251A

公开(公告)日：2004-08-27

申请号：KR1020030010768

申请日：2003-02-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하상록 ,  한자형

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A CMP method for metal layer including the wet etching step is provided to reduce largely a period of a fabrication process by performing a short wet-etch process and a chemical mechanical polishing process. CONSTITUTION: A CMP method for metal layer includes a process for removing and planarizing a metal layer by injecting a chemical polishing agent into the surface of a wafer(10) having a metal layer and performing a CMP process. The metal layer is partially removed by exposing the wafer to an etching chemical solution(40) corresponding to the metal layer before the CMP process is performed. The metal layer is formed with tungsten. The etching chemical solution is formed with the mixed solution of H2O2 and HNO3/HF.

Abstract translation: 目的：提供包括湿蚀刻步骤的金属层的CMP方法，以通过进行短湿式蚀刻工艺和化学机械抛光工艺来大大减少制造工艺的周期。 构成：金属层的CMP方法包括通过将化学抛光剂注入具有金属层的晶片（10）的表面并执行CMP工艺来去除和平坦化金属层的工艺。 在执行CMP处理之前，通过将晶片暴露于对应于金属层的蚀刻化学溶液（40）来部分去除金属层。 金属层由钨形成。 用H 2 O 2和HNO 3 / HF的混合溶液形成蚀刻化学溶液。