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公开(公告)号：KR1020060037937A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087040
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020060019365A
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040068007
申请日：2004-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법은, 제1 및 제2마스크막을 기판의 상면에 사각형상으로 형성하고, 상기 기판의 상면을 1차적으로 식각한 다음, 상기 제1마스크막을 식각하여 팁 네크의 폭에 해당하는 제3마스크막을 형성한다. 상기 제3마스크막으로 상기 기판을 2차적으로 식각하여 팁 네크의 폭이 소정의 폭으로 되게 한다. 상기 제3마스크막을 제거한 후 상기 기판을 열처리하여 팁의 첨두부를 형성한다. 이에 따르면, 팁 네크의 폭이 일정해지고 따라서 팁의 높이가 일정한 반도체 탐침을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050070949A
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：KR1020030101578
申请日：2003-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B9/04 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1472 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11C11/15 , Y10T428/12465
Abstract: 정보저장매체 및 이를 적용한 장치에 관해 개시된다. 개시된 매체는: 기판과; 기판 상에 형성되는 하부 자성층과; 상기 자성층 상에 형성되는 것을 공공부를 가지는 알루미나층과, 상기 알루미나층의 공공부에 형성되는 것으로 상기 하부 자성층에 접촉되는 자성물질층을 포함하는 상부 자성층;을 구비한다. 본 발명은 MR 효과를 이용함에 있어서, 기판의 전면에 하부 자성층을 형성하고, 이 위의 알루미나에 형성된 공공부에 상부자성물질을 채워넣음으로써 매우 작은 크기의 물질접촉이 발생시킨다. 이러한 상하 자성물질의 미소한 접촉은 전자가 이 부분에서 산란이 없이 통과하는 영역을 형성하게 되어 수 100% 이상의 극히 큰 저항 차이를 나타내 보이게 된다.
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14.发明公开
公开(公告)号：KR1020040004832A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：KR1020020038881
申请日：2002-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/12
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11B13/06
Abstract: PURPOSE: An HD information storing medium is provided to easily emit photo electrons by forming protrusions of several nm in a desired pattern and store information in the high density by stacking a dielectric layer for storing the photo electrons on a top surface. CONSTITUTION: An HD information storing medium includes a lower electrode(11), an insulating layer(13) stacked on the lower electrode, a photo electron emitting layer(15) stacked on the insulating layer and arranged with a plurality of protrusions(19), and a dielectric layer(17) stacked on the photo electron emitting layer. The lower electrode and the photo electron emitting layer are formed of metal, wherein the photo electron emitting layer is formed of a metal having a low work function such as aluminium. The photo electron emitting layer emits the photo electrons as a predetermined electric charge is applied to the layer, and the emitted photo electrons are stored to the dielectric layer. The dielectric layer is formed of Al2O3 or Si3N4 for trapping the photo electrons in structural defect portions, thereby preventing the emitting of the photo electrons into the atmosphere.
Abstract translation: 目的：提供HD信息存储介质，通过以期望的图案形成几nm的突起，容易地发射光电子，并且通过在顶表面堆叠用于存储光电子的介电层，以高密度存储信息。 构成：HD信息存储介质包括下电极（11），层叠在下电极上的绝缘层（13），层叠在绝缘层上并配置有多个突起（19）的光电子发射层（15） ，以及层叠在光电子发射层上的电介质层（17）。 下电极和光电子发射层由金属形成，其中光电子发射层由具有低功函数的金属形成，例如铝。 当向该层施加预定的电荷时，光电子发射层发射光电子，并且所发射的光电子被存储到电介质层。 电介质层由Al 2 O 3或Si 3 N 4形成，用于捕获结构缺陷部分中的光电子，从而防止光电子发射到大气中。
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公开(公告)号：KR1020030090377A
公开(公告)日：2003-11-28
申请号：KR1020020028656
申请日：2002-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , G11B5/31
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: PURPOSE: A thermally stable ferroelectric memory is provided to improve an interval of data retention time by forming a bit arrangement of a ring structure wherein a domain for forming dielectric polarization penetrates a ferroelectric layer. CONSTITUTION: A lower electrode(11) is prepared. A ferroelectric layer(13) is formed on the lower electrode and a dielectric polarization domain(15) is set up as a bit. The thickness of the ferroelectric layer is not greater than the size of the bit. The thickness(d) of the ferroelectric layer and the area(A) of the bit satisfy the following formula. d is not greater than 2(square root of A/pi).
Abstract translation: 目的：提供一种热稳定的铁电存储器，用于通过形成环结构的位排列来改善数据保留时间的间隔，其中用于形成介电极化的区域穿透铁电层。 构成：准备下电极（11）。 铁电层（13）形成在下电极上，电介质极化畴（15）被设置成位。 铁电层的厚度不大于钻头的尺寸。 铁电层的厚度（d）和钻头的面积（A）满足下式。 d不大于2（A / pi的平方根）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030047162A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：KR1020010077578
申请日：2001-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B21/00
CPC classification number: G01Q60/54 , G01R33/0385
Abstract: PURPOSE: A Lorentz force microscope and a method for measuring a magnetic domain using Lorentz force are provided to improve the resolution of a magnetization distribution chart by detecting the magnetizing direction of the magnetic domain. CONSTITUTION: A Lorentz force microscope includes a conductive probe(21), a lower electrode(23), a scanner(25), and an information detection portion(30). The conductive probe is driven by Lorentz force which is generated by the magnetic field of a magnetic medium(20) and the interaction between the current and the magnetic field. The lower electrode is installed at one side of the magnetic medium in order to electrify the magnetic medium. The scanner is used for supporting and driving the magnetic medium and scanning a recording side of the magnetic medium. The detection portion controls the scanner and detects magnetization information of the magnetic medium.
Abstract translation: 目的：提供洛伦兹力显微镜和使用洛伦兹力测量磁畴的方法，以通过检测磁畴的磁化方向来提高磁化分布图的分辨率。 构成：洛伦兹力显微镜包括导电探针（21），下电极（23），扫描器（25）和信息检测部分（30）。 导电探针由由磁介质（20）的磁场产生的洛伦兹力和电流和磁场之间的相互作用驱动。 下电极安装在磁介质的一侧，以使磁介质通电。 扫描器用于支撑和驱动磁性介质并扫描磁性介质的记录侧。 检测部分控制扫描仪并检测磁介质的磁化信息。
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公开(公告)号：KR1020030042580A
公开(公告)日：2003-06-02
申请号：KR1020010073290
申请日：2001-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/14
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/08 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1463 , G11B9/149 , G11B11/08
Abstract: PURPOSE: An information storage device using a semiconductor probe is provided to record information in a recording medium including a rewritable ferroelectric medium at a high rate or reproduce the information. CONSTITUTION: An information storage device using a semiconductor probe(21) includes a recording medium(10) and a head. The recording medium has an electric layer(15), a ferroelectric layer(13) formed on the electrode layer, and a semiconductor layer(11) deposited on the surface of the ferroelectric layer. The head includes a semiconductor head that forms dielectric polarization in the ferroelectric layer to record information in the recording medium and reproduces information from the dielectric polarizaton formed in the ferroelectric layer using p-n function of the recording medium and the semiconductor probe.
Abstract translation: 目的：提供一种使用半导体探针的信息存储装置，用于以高速率在包括可重写铁电介质的记录介质中记录信息或再现该信息。 构成：使用半导体探针（21）的信息存储装置包括记录介质（10）和头部。 记录介质具有电层（15），形成在电极层上的强电介质层（13）和沉积在铁电层的表面上的半导体层（11）。 头包括在铁电体层中形成电介质极化以在记录介质中记录信息的半导体头，并使用记录介质和半导体探针的p-n函数从形成在铁电层中的电介质极化现象再现信息。
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公开(公告)号：KR100842897B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020070009122
申请日：2007-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: A structure of ferroelectric media for a ferroelectric HDD(hard disk drive) and a method of manufacturing the same are provided to form a uniform media surface and reduce manufacturing costs by depositing a ferroelectric layer on a glass substrate. A method of manufacturing a ferroelectric media for a ferroelectric HDD(hard disk drive) comprises the steps of: forming a nucleation template layer using one of nucleation templates including Ta, Zr, and Cr on a glass substrate(S100); forming a conductive layer on the nucleation template layer; forming a ferroelectric layer on a conductive layer(S110); and forming a DLC(diamond like carbon) layer and a lubricant layer sequentially on the ferroelectric(S120).
Abstract translation: 提供了用于铁电HDD（硬盘驱动器）的铁电介质的结构及其制造方法以形成均匀的介质表面，并且通过在玻璃基板上沉积铁电层来降低制造成本。 制造铁电HDD（硬盘驱动器）的铁电介质的方法包括以下步骤：在玻璃基板上使用包括Ta，Zr和Cr的成核模板之一形成成核模板层（S100）; 在成核模板层上形成导电层; 在导电层上形成铁电层（S110）; 并在铁电体上依次形成DLC（类金刚石碳）层和润滑剂层（S120）。
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公开(公告)号：KR100821346B1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：KR1020060073048
申请日：2006-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/349
CPC classification number: H04N1/3876 , G02B3/0056 , G02B5/201 , H01L27/14621 , H04N1/028 , H04N1/02805
Abstract: 본 발명은 화질이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이미지를 감지하기 위한 광전 변환 반도체 소자 및 컬러 필터 어레이의 분해능을 변화시키지 않으면서, 감지되는 이미지의 화질을 향상시키는 효과를 가지는 화질이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 화질이 향상되는 이미지 센서는 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 것으로서, 평면상에서 이동 가능한 스캐너부; 상기 스캐너부에 고정된 컬러 필터 어레이; 및 상기 컬러 필터 어레이의 하부에 정렬되는 다수의 화소가 형성된 광전 변환 반도체 소자를 포함한다. 본 발명에 의하면 종래에 사용되는 광전 변환 반도체 소자 및 컬러 필터 어레이의 크기를 그대로 사용하면서, 컬러 필터의 위치를 상대적으로 변경시킴으로써, 감지되는 이미지의 화질이 향상되는 효과가 있다.
화소, 스캐너부, 광전 변환, 반도체 소자, 컬러 필터, 마이크로렌즈-
公开(公告)号：KR100790893B1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060102467
申请日：2006-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: A semiconductor probe having an embossed resistive tip and a method for fabricating the same are provided to prevent damage thereof by using low energy in an ion implantation process. A protrusive part(172) is protruded from a cantilever(170). An embossed resistive tip(130) is formed on the protrusive part. A first electrode region(132) and a second electrode region(134) are formed at both sides of the embossed resistive tip at the protrusive part. The cantilever is doped with a first impurity. The first electrode region, the second electrode region, and the embossed resistive tip are doped with a second impurity having polarity different from the polarity of the first impurity. The doping density of the embossed resistive tip is lower than that of the first and second electrode regions.
Abstract translation: 提供具有压花电阻端头的半导体探针及其制造方法，以通过在离子注入工艺中使用低能量来防止其损坏。 突出部分（172）从悬臂（170）突出。 在凸出部分上形成压花电阻头（130）。 第一电极区域（132）和第二电极区域（134）形成在凸出部分的压花电阻端头的两侧。 悬臂掺杂有第一杂质。 第一电极区域，第二电极区域和压电电阻尖端掺杂有极性不同于第一杂质极性的第二杂质。 压花电阻尖端的掺杂密度低于第一和第二电极区域的掺杂浓度。
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