公开(公告)号：KR1020170061584A

公开(公告)日：2017-06-05

申请号：KR1020160110477

申请日：2016-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 해처라이언엠. ,  오브라도빅보르나제이. ,  홍준구 ,  센굽타르윅

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78645

Abstract: 반도체장치및 이의제조방법이제공된다. 반도체장치는, 기판, 상기기판상에배치되고, 소오스와드레인사이에배치되는제1 채널을포함하는제1 액티브층, 상기제1 액티브층 상에적층되고, 상기소오스와상기드레인사이에배치되는제2 채널을포함하는제2 액티브층, 상기제1 채널에대응되는제1 게이트및 상기제2 채널에대응되고, 상기제1 게이트와전기적으로분리되어있는제2 게이트를포함한다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 一种半导体器件，包括：衬底;第一有源层，设置在衬底上并且包括设置在源极和漏极之间的第一沟道;第二有源层，设置在第一有源层上并且设置在源极和漏极之间 第二有源层，包括第二沟道，与第一沟道对应的第一栅极以及与第二沟道对应并与第一栅极电分离的第二栅极。

公开(公告)号：KR1020170051154A

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：KR1020160054789

申请日：2016-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 키틀,조지에이. ,  홍준구 ,  로더,마크에스.

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545

Abstract: 반도체소자를형성하는방법들이제공된다. 반도체소자를형성하는방법은, 반도체소자의더미게이트구조체를금속게이트구조체로대체한이후에, 반도체구조체들각각의소스/드레인영역들상에금속막을형성하는것을포함한다. 상기방법은, 적어도하나이상, 그러나전부는아닌, 반도체구조체들상의금속막들과중첩되는컨택구조체를형성하는것을포함한다. 이에더하여, 상기소스/드레인영역들사이에는절연물질이제공된다.

Abstract translation: 提供了形成半导体器件的方法。 形成半导体器件的方法包括在用金属栅极结构替换半导体器件的伪栅极结构之后，在每个半导体结构的源极/漏极区域上形成金属膜。 该方法包括形成与半导体结构上的金属膜重叠的至少一个接触结构，但不是全部。 另外，在源极/漏极区域之间提供绝缘材料。

公开(公告)号：KR1020170045104A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：KR1020160104620

申请日：2016-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 로더마크스테픈 ,  센굽타르윅 ,  홍준구 ,  락싯티타시

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684

Abstract: GAA FET 및이를포함하는반도체장치가제공된다. 상기 GAA FET은게이트올어라운드(Gate-All-Around, GAA) 전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)에있어서, 상기 GAA FET 내에수평방향으로폭을가지고, 상기수평방향과수직한방향으로높이를가지고, 상기수평방향으로연장되는길이를가지는수평나노시트(nanosheet) 도전채널구조체로서, 상기수평나노시트도전채널구조체의상기폭은상기 GAA FET의피지컬채널폭(physical channel width)으로정의되는수평나노시트도전채널구조체, 상기수평나노시트도전채널구조체의반대측에각각위치하는제1 및제2 소스/드레인영역및 상기수평나노시트도전채널구조체를완전히둘러싸는통일게이트물질(unitary gate material)을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种GAA FET及包括该GAA FET的半导体器件。 所述GAA FET具有栅全能（栅极全能，GAA）场效应晶体管（场效应晶体管，FET），其具有在GAA FET的水平方向的宽度，与水平方向和垂直单向高 水平纳米片导电的，其被定义为在水平纳米片（纳米片），其具有在水平方向上延伸的长度的导电通道结构中，水平纳米片导电沟道结构服装雷管是一个物理信道宽度GAA FET的（物理信道宽度） 沟道结构，位于水平纳米片导电沟道结构的相对侧上的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区以及完全围绕水平纳米片导电沟道结构的单一栅极材料。

公开(公告)号：KR102223969B1

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020170038609

申请日：2017-03-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 왕웨이-이 ,  홍준구

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/49

Abstract: 서로다른문턱전압을갖는트랜지스터를포함하는 CMOS 회로및 그의제조방법이제공된다. CMOS 회로는, 기판, 및상기기판상의제1 및제2 전계효과트랜지스터를포함하되, 상기제1 및제2 전계효과트랜지스터각각은, 복수의컨택, 상기컨택중 하나에연결된소오스, 상기컨택중 다른하나에연결된드레인, 게이트, 및상기게이트및 컨택사이에형성된스페이서를포함하고, 상기제1 전계효과트랜지스터의상기스페이서는, 상기제2 전계효과트랜지스터의상기스페이서보다더 큰에어갭(airgap)을포함한다.

公开(公告)号：KR102198679B1

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：KR1020200106183

申请日：2020-08-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍준구 ,  서강일 ,  옵라도빅,보르나조십

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78 ,  H01L21/033

Abstract: 반도체소자는각각채널영역및 상기채널영역상의팽창된영역을포함하는복수의핀들, 상기복수의핀들사이의복수의하부소스/드레인에피택셜층및 상기각각의복수의하부소스/드레인에피택셜층상의복수의하부스페이서, 상기각 채널영역의일부를덮는게이트, 상기복수의핀들과상기복수의게이트들사이에존재하는복수의산화물층, 및상기각 복수의핀들의상기팽창된영역을덮는복수의상부소스/드레인을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170057820A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：KR1020160087824

申请日：2016-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 센굽타르윅 ,  홍준구 ,  로더마크

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/785

Abstract: 반도체장치및 이의제조방법이제공된다. 반도체장치는, 기판, 상기기판상에배치되는파워레일, 상기기판상에배치되고, 상기파워레일과같은레이어에배치되는액티브레이어로, 소오스/드레인터미널을포함하는액티브레이어및 상기파워레일과상기액티브레이어를전기적으로연결하는컨택을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 一种半导体器件，包括衬底，设置在衬底上的功率轨，设置在衬底上并与功率轨布置在同一层上的有源层，包括源极/漏极端子的有源层， 和一个电连接有源层的接触。

公开(公告)号：KR1020170046552A

公开(公告)日：2017-05-02

申请号：KR1020150160567

申请日：2015-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 로더마크에스. ,  오브라도빅보르나제이. ,  홍준구 ,  키틀조지에이.

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/772 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28531 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78696

Abstract: 전계효과트랜지스터(FET)와상기전계효과트랜지스터를형성하는방법이제공된다. 전계효과트랜지스터는나노시트층/희생층 스택을포함하는채널영역을포함한다. 스택은적어도하나의나노시트층/희생층 쌍(pair)을포함한다.

Abstract translation: 提供了一种形成场效应晶体管（FET）和场效应晶体管的方法。 场效应晶体管包括包含纳米片层/牺牲层堆叠的沟道区域。 该叠层包括至少一个纳米片层/牺牲层对。

公开(公告)号：KR1020160047409A

公开(公告)日：2016-05-02

申请号：KR1020150146731

申请日：2015-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 해처,라이언엠. ,  보웬,로버트씨. ,  로더,마크에스. ,  오브라도빅,보르나제이. ,  홍준구

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7847

Abstract: 이축스트레인을가한나노시트를제조하는방법이제공된다. 본발명의실시예들에따른제조방법은: 하나이상의주기들(periods)을갖는에피택시얼결정성초기초격자(epitaxial crystalline initial superlattice)를성장시키되, 상기주기들의각각은적어도활성물질층, 제1 희생물질층, 및제2 희생물질층의세 층을포함하고, 상기제1 및제2 희생물질층들은서로다른물성을갖는것; 상기적어도하나이상의주기들의각각내에서, 상기활성물질층들의각각을상기제1 및제2 희생물질층들사이에위치시키되, 상기제1 및제2 희생물질층들의격자상수는상기활성물질층의격자상수와다르고, 또한상기활성물질층에이축스트레스(biaxial stress)를가하는것; 추가공정을진행하기위하여,상기제1 희생물질층들을선택적으로식각함으로써상기활성물질층들의제1 면을노출시키되, 상기제2 희생물질층들에의하여상기활성물질층들내의이축스트레인은유지되는것; 및추가공정을진행하기위하여, 상기제2 희생물질층들을선택적으로식각함으로써상기활성물질층들의제2 면을노출시키는것을포함한다.

Abstract translation: 提供了制造双轴应变纳米片的方法。 根据本发明的实施例的制造方法包括：生长具有一个或多个周期的外延晶体初始超晶格，每个周期包括至少三层活性材料层，第一牺牲材料层和第二牺牲材料 第一和第二牺牲材料层具有不同的材料性质; 在一个或多个周期的每一个中，将每个活性材料层放置在第一和第二牺牲材料层之间，其中第一和第二牺牲材料层的晶格常数不同于活性材料层的晶格常数并施加双轴 对活性物质层的应力; 选择性地蚀刻第一牺牲材料层以用于附加工艺，以暴露活性材料层的第一表面并通过第二牺牲材料层保持活性材料层中的双轴应力; 以及选择性地蚀刻所述第二牺牲材料层用于附加工艺，以暴露所述活性材料层的第二表面。

公开(公告)号：KR102160083B1

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：KR1020200011238

申请日：2020-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심카,할소노에스 ,  헷지,가네쉬 ,  홍준구 ,  센굽타,르윅 ,  로더,마크에스

IPC: G06F21/73 ,  G06F21/75 ,  G06F21/56 ,  G06F21/14 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR1020170087827A

公开(公告)日：2017-07-31

申请号：KR1020170001281

申请日：2017-01-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 해처라이언엠. ,  오브라도빅보르나제이. ,  홍준구 ,  키틀조지 ,  락싯티타시

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 양방향메모리유닛및 양방향메모리셀이제공된다. 양방향메모리유닛은, 비트라인과전기적으로연결되는자유자기층, 적어도하나의터널배리어층에의해, 상기자유자기층과분리되는제1 및제2 고정자기층, 제1 워드라인과연결되는애노드와, 상기제1 고정자기층과전기적으로연결되는캐소드를포함하는제1 다이오드및 상기제2 고정자기층과전기적으로연결되는애노드와제2 워드라인과전기적으로연결되는캐소드를포함하는제2 다이오드를포함한다.

Abstract translation: 提供双向存储单元和双向存储单元。 双向存储单元包括电连接到位线的自由磁层，通过至少一个隧道势垒层与自由磁层分离的第一和第二固定磁层，连接到第一字线的阳极， 第一二极管，其包括电连接到所述第一钉扎磁层的阴极以及包括电连接到所述第二钉扎磁层的阳极和电连接到所述第二字线的阴极的第二二极管 的。