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    그래핀 채널을 포함한 터널링 전계효과 트랜지스터
    13.
    发明公开
    그래핀 채널을 포함한 터널링 전계효과 트랜지스터 审中-实审
    隧道式场效应晶体管，包括石墨通道

    公开(公告)号：KR1020140045841A

    公开(公告)日：2014-04-17

    申请号：KR1020120112087

    申请日：2012-10-09

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 허진성 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  이재호 ,  정현종

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7376

    Abstract: Disclosed is a tunneling field effect transistor including a graphene channel. The disclosed tunneling field effect transistor comprises a first electrode on a substrate, a semiconductor layer on the first electrode, a graphene channel which is extended in a first region which is separated from the first electrode on the semiconductor layer, a second electrode on the graphene channel disposed on the first region, a gate insulating layer which covers the graphene channel, and a gate electrode on the gate insulating layer. The first electrode and the graphene channel face the semiconductor layer in the second region.

    Abstract translation: 公开了包括石墨烯通道的隧道场效应晶体管。 所公开的隧道场效应晶体管包括衬底上的第一电极，第一电极上的半导体层，在与半导体层上的第一电极分离的第一区域中延伸的石墨烯通道，石墨烯上的第二电极 设置在第一区域上的通道，覆盖石墨烯通道的栅极绝缘层和栅极绝缘层上的栅电极。 第一电极和石墨烯通道面向第二区域中的半导体层。

    그래핀 전사부재, 그래핀 전사방법 및 이를 이용한 그래핀 소자 제조방법
    14.
    发明公开
    그래핀 전사부재, 그래핀 전사방법 및 이를 이용한 그래핀 소자 제조방법 审中-实审
    石墨转印构件和传送石墨的方法和使用该方法的制造石墨装置的方法

    公开(公告)号：KR1020130044646A

    公开(公告)日：2013-05-03

    申请号：KR1020110108807

    申请日：2011-10-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이주호 ,  이창승 ,  김용성 ,  송현재

    IPC: H01L21/02 ,  B32B15/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/24917 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66712

    Abstract: PURPOSE: A graphene transferring member, a graphene transferring method, and a method for manufacturing a graphene device are provided to protect graphene by forming a metal thin film layer on the graphene. CONSTITUTION: A graphene transferring member includes a metal thin film layer(220) and a graphene layer(230) which are successively laminated on an adhesive member(210). The metal thin film layer and the graphene layer are patterned with the same shape. The metal thin film layer includes electrode forming units which are separated, and a metal part between the electrode forming units. The electrode forming unit becomes an electrode on the graphene layer by removing the metal part.

    Abstract translation: 目的：提供石墨烯转移构件，石墨烯转移方法和石墨烯装置的制造方法，以在石墨烯上形成金属薄膜层来保护石墨烯。 构成：石墨烯转移构件包括依次层压在粘合构件（210）上的金属薄膜层（220）和石墨烯层（230）。 金属薄膜层和石墨烯层以相同的形状图案化。 金属薄膜层包括分离的电极形成单元和电极形成单元之间的金属部分。 电极形成单元通过去除金属部分而成为石墨烯层上的电极。

    확산 방지층을 포함하는 층 구조물 및 그 제조방법
    16.
    发明公开
    확산 방지층을 포함하는 층 구조물 및 그 제조방법 审中-实审
    包含扩展障碍层的层结构及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020160100711A

    公开(公告)日：2016-08-24

    申请号：KR1020150023540

    申请日：2015-02-16

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 송현재 ,  남승걸 ,  조연주 ,  박성준 ,  신현진 ,  이재호

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L49/02 ,  H01L29/16 ,  C01B31/04

    CPC classification number: H01L23/53209 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/5226 ,  H01L21/28247 ,  C01B32/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L28/57 ,  H01L29/1606

    Abstract: 그래핀성장분석법에관해개시되어있다. 개시된방법은기판상에 2D 물질을형성한다음, 결함을탐지하기위한물질(결함을표시하기위한물질)을 2D 물질의결함상에증착시키고, 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지를획득하거나상기탐지물질의맵 좌표를획득하고, 획득한이미지나맵 좌표를처리한다. 이러한방법에서상기탐지물질은원자층증착이나화학기상증착을이용하여상기 2D 물질결함상에증착시킬수 있다. 상기탐지물질은유기물질또는무기물질일수 있다. 상기유기물질과상기무기물질은금속, 반도체또는유전체일수 있다. 상기유전체는산화물일수 있다. 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지는 TEM, SEM, CD-SEM 또는 OM으로촬영하여획득할수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种用于分析石墨烯生长的方法。 该方法包括：在衬底上形成2D材料; 在2D材料的缺陷上沉积用于检测作为用于指示缺陷的材料的缺陷的材料的材料; 获得沉积有缺陷检测材料的2D材料的图像，或者获得用于检测缺陷的材料的地图坐标; 并处理所获得的图像或地图坐标。 在这种方法中，通过使用原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD），用于检测缺陷的材料可以沉积在2D材料的缺陷上。 用于检测缺陷的材料可以是无机或有机材料。 无机或有机材料可以是金属，半导体或电介质。 电介质可以是氧化物。 可以使用TEM，SEM，CD-SEM或OM获得其上沉积有缺陷的材料的2D材料的图像。

    전자 소자
    18.
    发明公开
    전자 소자 审中-实审
    电子设备

    公开(公告)号：KR1020150062656A

    公开(公告)日：2015-06-08

    申请号：KR1020130147524

    申请日：2013-11-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 변경은 ,  경지수 ,  박성준 ,  신현진 ,  송현재 ,  이재호

    IPC: H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/772

    CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L29/456 ,  H01L29/78

    Abstract: 전자소자가개시된다. 개시된전자소자는반도체층과, 이반도체층의소정영역에직접적으로컨택되게 2차원물질을포함하는물질로형성된터널링층과, 터널링층상에형성되는금속층을포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明，公开了一种电子设备。 所公开的电子设备包括：半导体层; 由包括二维材料的材料制成的隧道层以与半导体层的某一区域直接接触; 以及形成在隧道层上的金属层。

    그래핀 소자 및 이의 제조 방법
    20.
    发明公开
    그래핀 소자 및 이의 제조 방법 审中-实审
    石墨设备及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140121197A

    公开(公告)日：2014-10-15

    申请号：KR1020130037664

    申请日：2013-04-05

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정현종 ,  서형석 ,  박성준 ,  변경은 ,  송현재 ,  양희준 ,  허진성

    IPC: H01L29/872 ,  C01B31/02

    CPC classification number: H01L29/47 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/74 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/413 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7839 ,  C01B32/182

    Abstract: 그래핀 소자 및 이의 제조 방법이 개시된다. 개시된 그래핀 소자는 반도체 기판와, 반도체 기판 상의 일 영역에 배치된 그래핀층와, 그래핀층 상의 제1 영역에 형성된 제1 전극과, 그래핀층 상의 제2 영역에 형성된 제2 전극과, 그래핀층과 상기 제2 전극의 사이에 개재되는 절연층과, 반도체 기판 상의 그래핀층이 형성되지 않은 제3 영역에 형성된 제3 전극을 포함하며, 반도체 기판은 제1 전극, 그래핀층, 및 반도체 기판의 접합에 의해 제2 전극에 전압이 인가될 때보다 인가되지 않을 때 더 큰 쇼트키 배리어를 갖는다.

    Abstract translation: 公开了一种石墨烯装置及其制造方法。 所公开的石墨烯装置包括半导体衬底，布置在半导体衬底的一个区域上的石墨烯层，形成在石墨烯层的第一区域上的第一电极，形成在第二区域上的第二电极， 石墨烯层，介于石墨烯层和第二电极之间的绝缘层，以及形成在半导体衬底上的没有石墨烯层的第三区域上的第三电极。 与通过第一电极，石墨烯层和半导体衬底的接合不施加到第二电极的电压相比，半导体衬底包括施加电压到第二电极的大的肖特基势垒。

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