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公开(公告)号：KR1020080046508A
公开(公告)日：2008-05-27
申请号：KR1020060116057
申请日：2006-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1214 , H01L27/1229 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78696
Abstract: A driving device for an unit pixel of an organic light emitting display and a method for manufacturing the same are provided to improve reliability and production yield by forming each channel of a switching transistor and a driving transistor in one process simultaneously. A driving device for an unit pixel of an organic light emitting display includes a switching transistor(101) and a driving transistor(102) which are coupled to each other. The switching transistor has a first dual channel layer(27a), a first gate electrode(20). The first dual channel has a first amorphous silicon layer(24a) and a first poly-crystal silicon layer(26a) which are sequentially stacked. The first gate electrode is formed on a lower part of the first dual channel layer, and is a counter part of the first amorphous silicon layer. The driving transistor has a second dual channel layer(27b), a second gate electrode(60). The second dual channel has a second amorphous silicon layer(24b) and a second poly-crystal silicon layer(26b) which are sequentially stacked. The second gate electrode is formed on a lower part of the second dual channel layer, and is a counter part of the second amorphous silicon layer.
Abstract translation: 提供有机发光显示器的单位像素的驱动装置及其制造方法，以通过同时在一个处理中形成开关晶体管和驱动晶体管的每个沟道来提高可靠性和生产率。 有机发光显示器的单位像素的驱动装置包括彼此耦合的开关晶体管（101）和驱动晶体管（102）。 开关晶体管具有第一双沟道层（27a），第一栅电极（20）。 第一双通道具有依次层叠的第一非晶硅层（24a）和第一多晶硅层（26a）。 第一栅电极形成在第一双沟道层的下部，并且是第一非晶硅层的对置部分。 驱动晶体管具有第二双沟道层（27b），第二栅电极（60）。 第二双通道具有依次层叠的第二非晶硅层（24b）和第二多晶硅层（26b）。 第二栅电极形成在第二双沟道层的下部，并且是第二非晶硅层的对置部分。
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公开(公告)号：KR1020070110683A
公开(公告)日：2007-11-20
申请号：KR1020060043463
申请日：2006-05-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02667
Abstract: A degassing method of a thin layer and a manufacturing method of a silicon thin film using the same are provided to improve reliability by reducing effectively the amount of impurities within the silicon thin film. A degassing method includes a process for removing residual impurity gas from a thin film(3) formed with a predetermined material by applying microwaves of a predetermined frequency for inducing resonance of gas particles to the thin film, in order to remove the impurity gas from the thin film. The thin film is formed with a silicon thin film. A wavelength of the microwaves has a value of a range of 1mm to 1m. The frequency of the microwave corresponds to a natural frequency of the gas particles. A manufacturing method of the silicon thin film includes a process for forming the silicon thin film on a substrate(1) and a process for removing the residual gas from the silicon thin film by applying the microwaves to the silicon thin film.
Abstract translation: 提供薄层的脱气方法和使用其的硅薄膜的制造方法，以通过有效地减少硅薄膜内的杂质的量来提高可靠性。 脱气方法包括通过施加预定频率的微波来引起气体颗粒与薄膜的共振来从由预定材料形成的薄膜（3）中除去残余杂质气体的方法，以便从 薄膜。 该薄膜由硅薄膜形成。 微波的波长的值为1mm〜1μm的范围。 微波的频率对应于气体颗粒的固有频率。 硅薄膜的制造方法包括在基板（1）上形成硅薄膜的工艺以及通过向硅薄膜施加微波来从硅薄膜除去残留气体的工艺。
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公开(公告)号：KR100707197B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050052724
申请日：2005-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/38
CPC classification number: H04M1/72527 , H04M1/0266
Abstract: 이동통신 단말기를 이용한 디스플레이 시스템이 개시된다. 이 시스템은 외부기기와 연결이 가능한 삽입부를 구비한 이동통신 단말기 및 이동통신 단말기의 삽입부에 삽입이 가능한 슬롯 형태의 연결부를 구비한 휴대용 디스플레이 디바이스를 구비하고, 상기 이동통신 단말기는 연속 및 불연속 데이터 전송방식 중 어느 한 방식에 의해, 화상 데이터를 상기 휴대용 디스플레이 디바이스로 전송하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 이동통신 단말기의 디스플레이 화면의 한계를 극복하여 화상을 보다 커다란 화면을 통해 디스플레이할 수 있도록 하며, 이동통신 단말기와 휴대용 디스플에이 디바이스의 연결단자를 최소화함으로써, 노이즈의 취약성을 극복하여 고해상도의 화상을 디스플레이 할 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR1020060112451A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020050034915
申请日：2005-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/133305 , B82Y30/00 , C08F222/1006 , C08K3/36 , C08K2201/011 , H01J5/02 , H01J9/241 , H01J2217/49264 , H01J2329/8615
Abstract: Provided are a plastic substrate for a display panel which is flexible, transparent and optically isotropic and is reduced in thermal deformation, its preparation method, and a resin composition for the plastic substrate. The plastic substrate comprises a thermosetting resin oligomer, an inorganic nanoparticle and 1,6-hexanediol diacrylate in a ratio of 1 : 0.8-1.2 : 0.8-1.2 by weight. Preferably the thermosetting resin oligomer is an acrylate or epoxy resin or a urethane-based acrylate resin; and the inorganic nanoparticle is a silica nanoparticle. The resin composition comprises a urethane-based acrylate oligomer; an inorganic nanoparticle; 1,6-hexanediol diacrylate; and a photoinitiator, in a ratio of 1 : 0.8-1.2 : 0.8-1.2 : 0.05-0.25 by weight.
Abstract translation: 提供一种用于显示面板的塑料基板，其具有柔性，透明和光学各向同性并且减少热变形，其制备方法和用于塑料基板的树脂组合物。 塑料基材包含按重量比为1:0.8-1.2:0.8-1.2的热固性树脂低聚物，无机纳米颗粒和1,6-己二醇二丙烯酸酯。 优选地，热固性树脂低聚物是丙烯酸酯或环氧树脂或氨基甲酸酯基丙烯酸酯树脂; 无机纳米粒子是二氧化硅纳米粒子。 树脂组合物包含氨基甲酸酯基丙烯酸酯低聚物; 无机纳米颗粒; 1,6-己二醇二丙烯酸酯; 和光引发剂，其比例为1:0.8-1.2:0.8-1.2:0.05-0.25重量比。
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公开(公告)号：KR100612868B1
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020040090495
申请日：2004-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L21/203
CPC classification number: H01L29/66765 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02631
Abstract: 양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조 방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은: 기판과 기판에 피착될 실리콘 타겟 물질이 장착된 챔버 내에서, 상기 실리콘 타겟 물질에 이온빔을 조사하는 메인 고주파 유도결합 플라즈마 소스와, 상기 기판에 이온빔을 조사하는 보조 고주파 유도결합 플라즈마 소스를 이용하는 IBD(Ion Beam Deposition)에 의해 250℃의 이하의 온도에서 상기 기판에 실리콘 필름을 형성하는 단계;를 포함한다.
다결정, 바텀, 게이트, TFTAbstract translation: 公开了一种在衬底上制备半导体膜的方法。 该方法包括在沉积室中布置绝缘衬底，并使用离子束沉积将半导体膜沉积到绝缘衬底上，其中沉积期间绝缘衬底的温度不超过250℃。该方法可以产生薄膜晶体管 。 所公开的离子束沉积方法在较低温度和低杂质下形成具有所需光滑度和晶粒尺寸的膜形态。 能够在诸如塑料柔性基底的低熔点基底上沉积半导体膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050072943A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：KR1020040001100
申请日：2004-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/5813
Abstract: 양질의 Si 박막을 형성하는 방법이 개시된다. 개시된 박막형성방법은: RF 파워에 의해 발생된 Xe+ 이온을 Si 타겟물질에 충돌시켜 Si 타겟으로부터 Si 파티클을 발생시키고 발생된 Si 파티클을 소정의 기판 상에 퇴적시키는 것을 특징으로 한다. 이러한 방법에 의하면 열적으로 우수하고 특히 스퍼터링시 실리콘 결정 내로 포획되는 가스의 량이 대폭 감소된다.
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公开(公告)号：KR1020170033831A
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020170032461
申请日：2017-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G09G3/36
Abstract: 전기적신뢰성이향상된능동형표시장치의스위칭소자및 그구동방법이개시된다. 개시된능동형표시장치의스위칭소자는직렬연결된다수의박막트랜지스터를포함한다. 따라서, 하나의스위칭소자내에서다수의박막트랜지스터가동시에온(ON)이되는시간이외에는, 하나의스위칭소자내의각각의박막트랜지스터에비동시적으로양의전압을인가함으로써스위칭소자의신뢰성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101375834B1
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：KR1020070118827
申请日：2007-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L29/66765 , Y10S977/762 , Y10S977/778
Abstract: 다결정 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 다결정 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 비정질 실리콘으로 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층에 금 나노로드를 도포하는 단계; 상기 금 나노로드에 적외선 영역의 광을 조사하여 상기 활성층을 결정화 시키는 단계;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101345378B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020070048310
申请日：2007-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: ZnO 계박막트랜지스터및 제조방법에관해개시된다. ZnO 계박막트랜지스터는채널층에플라즈마에대해 ZnO에비해높은분자결합력을갖는 ZnCl 성분이포함된다. ZnCl 성분은채널층 전체뿐 아니라채널의표면가까운영역에형성된다. ZnCl 은플라즈마충격에강하며, 플라즈마에노출되었을때 잘분해되지않으며따라서캐리어농도증가가억제된다. ZnCl 성분은채널층 재료에포함되어채널층 전체에분포될수 도있고, 또는채널층 패터닝시플라즈마가스에 Cl 성분을포함시켜채널층 에칭과정에서채널층의표면영역에함유될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种ZnO基薄膜晶体管及其制造方法。 ZnO基薄膜晶体管包括ZnCl组分，该组分对沟道层中的ZnO与等离子体具有高分子结合力。 ZnCl组分不仅形成在整个沟道层上，而且形成在沟道表面附近。 ZnCl 2抗等离子体冲击并且在暴露于等离子体时不会很好地分解，因此抑制了载流子浓度的增加。 ZnCl组分可以被包括在沟道层材料中并且遍布沟道层分布，或者可以在沟道层刻蚀工艺期间通过在沟道层图案化期间将Cl组分包括在等离子体气体中而包含在沟道层的表面区域中。
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公开(公告)号：KR101281167B1
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：KR1020060116057
申请日：2006-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1214 , H01L27/1229 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78696
Abstract: 적은 공정수와 간단하고 쉬운 공정으로 제조될 수 있도록 그 구조가 개선된 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자가 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자는, 기판 상에 형성된 상호 연결된 한 조의 스위칭용 트랜지스터와 구동용 트랜지스터를 포함하고, 상기 스위칭용 트랜지스터는 순차적층된 제1 비정질 실리콘층과 제1 다결정 실리콘층을 포함하는 제1 듀얼채널층; 및 상기 제1 듀얼채널층의 하부에 형성되어 상기 제1 비정질 실리콘층과 마주하는 제1 게이트 전극;을 구비하는 하부 게이트 구조로 형성되고, 상기 구동용 트랜지스터는 순차적층된 제2 비정질 실리콘층과 제2 다결정 실리콘층을 포함하는 제2 듀얼채널층: 및 상기 제2 듀얼채널층의 상부에 형성되어 상기 제2 다결정 실리콘층과 마주하는 제2 게이트 전극;을 구비하는 상부 게이트 구조로 형성된다.
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