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公开(公告)号：KR1020090076107A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080001867
申请日：2008-01-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0516 , H01L51/0529 , H01L51/0545
Abstract: An organic thin film transistor manufacturing method and the thin film transistor manufactured by the same method are provided, which improve the interface property of the organic thin film transistor. The gate electrode(2) and gate isolation layer(3) are equipped at the upper part of the substrate(1). The surface processing layer is formed into the PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) method by using the precursor material on the gate isolation layer. The organic semiconductor layer(5) is formed on the surface processing layer(4). The source(6)/drain(7) electrode is formed on the organic semiconductor layer. The precursor within the foam generator is evaporated. The evaporated precursor is flowed in the reactor for the plasma vapor deposition. By using the plasma of the reactor, the thin film polymerized by plasma on the substrate within the reactor is deposited.
Abstract translation: 提供了通过相同方法制造的有机薄膜晶体管制造方法和薄膜晶体管，其改善了有机薄膜晶体管的界面性质。 在基板（1）的上部配备有栅电极（2）和栅极隔离层（3）。 通过在栅极隔离层上使用前体材料，将表面处理层形成为PECVD（等离子体增强化学气相沉积）方法。 有机半导体层（5）形成在表面处理层（4）上。 源极（6）/漏极（7）电极形成在有机半导体层上。 泡沫发生器内的前体蒸发。 蒸发的前体在反应器中流动用于等离子体气相沉积。 通过使用反应器的等离子体，沉积在反应器内的基板上由等离子体聚合的薄膜。
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公开(公告)号：KR1020170052781A
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150154247
申请日：2015-11-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은암모니아처리를통한은 나노와이어필름의제조방법및 그에의해제조된은 나노와이어필름에관한것으로, 기판위에코팅된은 나노와이어에암모니아를단시간처리하여투과도저해없이전도도를향상시킴으로써, 은나노와이어필름의전도도향상을위한별도공정인고온열처리를대체할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明通过改善没有传输抑制是通过氨用氨处理快速处理在导电性已经涉及一种方法，用于制造纳米线膜和由此产生的纳米线膜，在基材上的涂层是纳米线，银线 存在这样的优点，可以取代的高温热处理的单独的步骤用于提高膜的导电性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101843268B1
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR1020160086688
申请日：2016-07-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은 DBU(1,8-디아자비시클로운데크-7-엔)를이용하는간단한방법으로투과도저해없이전도도를향상시킴으로써, 고온의열처리를통한별도공정없이간단한공정으로열에약한플렉서블기판을은 나노와이어필름으로사용할수 있는은 나노와이어필름의제조방법및 그에의해제조된은 나노와이어필름에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020180024343A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020160110338
申请日：2016-08-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명은투명전극의전도도와투명도는동등이상이면서일함수가향상된투명전극의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020140023625A
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020120089715
申请日：2012-08-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: The present invention relates to a bonding method for self-aligning using a concave-convex bump structure. The concave-convex bump structure includes a convex bump consisting of a protrusion part and a support part, a concave bump consisting of a groove corresponding to the protrusion part of the convex bump, and a solder deposited on the protrusion part of the convex bump. According to the present invention, a bonding method for inserting the convex bump into the concave bump is to reduce the bad arrangement in a semiconductor bonding process and to improve the mechanical strength by increasing the bonding area of the solder and a separated space after the convex bump is separated and bonded to the concave bump.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用凹凸块结构进行自对准的接合方法。 凹凸块结构包括由突起部和支撑部构成的凸起凸起，由与凸起凸部的突出部对应的凹部构成的凹凸部以及沉积在凸凸部的突出部上的焊料。 根据本发明，用于将凸起凸起插入到凹凸块中的接合方法是减少半导体接合工艺中的不良布置并且通过增加焊料的接合面积和凸起之后的分离空间来提高机械强度 凸块被分离并结合到凹凸块上。
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公开(公告)号：KR101359733B1
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020110136347
申请日：2011-12-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13005 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16507 , H01L2225/06513 , H01L2924/206 , H01L2924/01015 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 본 발명은 반도체 3차원 적층공정에서의 이중 확산방지층을 포함하는 범프 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 도전층; 상기 도전층 상에 형성되며, 니켈과 인의 합금을 포함하는 제1확산방지층; 상기 제1확산방지층 상에 형성되며, 구리를 포함하는 제2확산방지층; 및 상기 제2확산방지층 상에 형성되는 솔더층;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 니켈-인 합금의 확산방지막에 얇은 구리를 적층하여 이중층을 형성함으로써, 3차원 적층공정에서 중요한 두께 증가를 최소화하면서도, 높은 온도의 접합공정 중에, 니켈-인 합금 확산방지막의 결정화로 인한 확산방지효과의 저하를 극복하여, 확산방지막의 붕괴를 지연시킬 수 있으며, 구체적으로 본 발명의 이중 확산방지층의 구성물질인 구리와 솔더층이 반응하여 생기는 금속간화합물을 통해, 니켈의 확산을 막아주는 역할을 함으로써, 확산방지효과가 증가하여, 3차원 적층공정을 통해 완성된 제품의 신뢰성을 현저히 향상시킬 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020130068900A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110136347
申请日：2011-12-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13005 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16507 , H01L2225/06513 , H01L2924/206 , H01L2924/01015 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: PURPOSE: A bump including a double diffusion barrier layer in a 3D semiconductor lamination process and a manufacturing method thereof are provided to delay the collision of a diffusion barrier layer by laminating thin copper on the diffusion barrier layer of nickel-phosphorus alloy to form a double layer. CONSTITUTION: A first diffusion barrier layer(20) is formed on a conductive layer(10). The first diffusion barrier layer includes alloy of nickel and phosphorus. A second diffusion barrier layer(30) is formed on the first diffusion barrier layer. The second diffusion barrier layer includes copper. A shoulder layer(40) is formed on the second diffusion barrier layer.
Abstract translation: 目的：提供一种在三维半导体层叠工艺中包括双扩散阻挡层的凸块及其制造方法，其通过在镍 - 磷合金的扩散阻挡层上层叠薄铜来延迟扩散阻挡层的碰撞，形成双 层。 构成：在导电层（10）上形成第一扩散阻挡层（20）。 第一扩散阻挡层包括镍和磷的合金。 在第一扩散阻挡层上形成第二扩散阻挡层（30）。 第二扩散阻挡层包括铜。 在第二扩散阻挡层上形成有肩层（40）。
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