초고효율을 나타내는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법
    13.
    发明公开
    초고효율을 나타내는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법 有权
    具有超高效能的硅太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020120054828A

    公开(公告)日:2012-05-31

    申请号:KR1020100116147

    申请日:2010-11-22

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/06 H01L31/0236 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell which has super high efficiency and a manufacturing method thereof are provided to improve energy conversion efficiency by laminating a thin film laminated body on the upper surface of a silicon substrate. CONSTITUTION: A surface texturing process is performed on a silicon substrate(100). The silicon substrate forms a P-N junction. A rear electrode(110) is formed on the rear side of the silicon substrate. A thin film laminated body(120) is formed on the upper surface of the silicon substrate. A front electrode(130) is formed on the upper surface of the thin film laminated body.

    Abstract translation: 目的:提供一种具有超高效率的硅太阳能电池及其制造方法,其通过在硅基板的上表面层叠薄膜层叠体来提高能量转换效率。 构成:在硅衬底(100)上执行表面纹理化处理。 硅衬底形成P-N结。 背面电极(110)形成在硅衬底的后侧。 在硅衬底的上表面上形成薄膜叠层体(120)。 在薄膜层叠体的上表面上形成前电极(130)。

    멀티 스케일의 요철이 형성된 태양 전지 기판의 제조방법 및 이를 이용한 태양 전지
    15.
    发明公开
    멀티 스케일의 요철이 형성된 태양 전지 기판의 제조방법 및 이를 이용한 태양 전지 审中-实审
    用于生产太阳能电池基板的形成方法和带有相同的导体和太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR1020150004456A

    公开(公告)日:2015-01-13

    申请号:KR1020130076812

    申请日:2013-07-02

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/04 H01L31/0236 H01L31/18

    Abstract: 멀티 스케일의 요철이 형성된 태양 전지 기판의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 멀티 스케일의 요철이 형성된 태양 전지 기판의 제조방법은 유리 기판을 준비하는 단계; 상기 유리 기판 상에 제1마스크층를 증착하는 단계; 상기 제1마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 일정 패턴이 형성된 제2마스크를 위치시키고, 상기 패턴에 맞게 상기 포토레지스트를 광식각하는 단계; 상기 제2마스크를 제거하고, 상기 포토레지스트에서 광식각된 부분과 접촉되는 상기 제1마스크층의 부분을 젝하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하고, 상기 식각된 제1마스크층의 부분과 접촉되는 상기 유리 기판의 표면 부분을 습식 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 제1요철을 형성하는 단계; 상기 제1요철이 형성된 부분을 연무화 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 제2요철을 형성하는 단계; 및 상기 제1마스크층를 제거하는 단계를 포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种具有多尺度不平坦区域的太阳能电池基板的制造方法。 制造具有多尺度不平坦区域的太阳能电池基板的方法包括以下步骤:制备玻璃基板; 在玻璃基板上沉积第一掩模层; 在第一掩模层上涂覆光致抗蚀剂; 在光致抗蚀剂上定位具有预定图案的第二掩模,并根据图案对光刻胶进行光刻; 去除第二掩模并去除与光致抗蚀剂的光刻区域接触的第一掩模层的区域; 通过湿法蚀刻与第一掩模层的蚀刻区域接触的玻璃基板的表面积,去除光致抗蚀剂并在玻璃基板的表面上形成第一不平坦区域; 通过蒸镀蚀刻所述第一凹凸部而形成第二凹凸区域; 并移除第一掩模层。

    태양전지의 제조방법
    17.
    发明公开
    태양전지의 제조방법 有权
    太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:KR1020120079998A

    公开(公告)日:2012-07-16

    申请号:KR1020110001400

    申请日:2011-01-06

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a solar battery is provided to improve solar battery efficiency by using an AZO film as a back side electrode and a back side reflection film. CONSTITUTION: A crystalline silicon wafer layer(100) is composed of a crystalline silicon wafer doped to a P-type or an N-type. An amorphous silicon layer(200) is formed at the front side or the rear side of the crystalline silicon wafer layer. A passivation layer(300) is located between the crystalline silicon wafer layer and the amorphous silicon layer. A front electrode(400) is formed to the side in which sunlight is entered. A transparency conductive film layer(500) is formed to the opposite side in which the sunlight is entered.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造太阳能电池的方法,通过使用AZO膜作为背面电极和背面反射膜来提高太阳能电池的效率。 构成:晶体硅晶片层(100)由掺杂到P型或N型的晶体硅晶片组成。 在晶体硅晶片层的前侧或后侧形成非晶硅层(200)。 钝化层(300)位于晶体硅晶片层和非晶硅层之间。 在进入太阳光的一侧形成前电极(400)。 透明导电膜层(500)形成在进入太阳光的相对侧。

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