Abstract:
본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 표면 텍스처가 형성된 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 단락전류 특성을 향상시켜, 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 표면 텍스처링된 실리콘 웨이퍼를 이용하여 표면 텍스처링되고 PN 접합이 형성된 3차원 형상의 실리콘 기판을 제조한 후, 그 위에 광대역의 박막 적층체를 형성하여 텐덤형의 실리콘 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막 실리콘 태양전지에 비해 단면적을 증가시켜 높은 전류를 생성하여 초고효율을 나타내는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
PURPOSE: A silicon solar cell which has super high efficiency and a manufacturing method thereof are provided to improve energy conversion efficiency by laminating a thin film laminated body on the upper surface of a silicon substrate. CONSTITUTION: A surface texturing process is performed on a silicon substrate(100). The silicon substrate forms a P-N junction. A rear electrode(110) is formed on the rear side of the silicon substrate. A thin film laminated body(120) is formed on the upper surface of the silicon substrate. A front electrode(130) is formed on the upper surface of the thin film laminated body.
Abstract:
멀티 스케일의 요철이 형성된 태양 전지 기판의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 멀티 스케일의 요철이 형성된 태양 전지 기판의 제조방법은 유리 기판을 준비하는 단계; 상기 유리 기판 상에 제1마스크층를 증착하는 단계; 상기 제1마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 일정 패턴이 형성된 제2마스크를 위치시키고, 상기 패턴에 맞게 상기 포토레지스트를 광식각하는 단계; 상기 제2마스크를 제거하고, 상기 포토레지스트에서 광식각된 부분과 접촉되는 상기 제1마스크층의 부분을 젝하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하고, 상기 식각된 제1마스크층의 부분과 접촉되는 상기 유리 기판의 표면 부분을 습식 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 제1요철을 형성하는 단계; 상기 제1요철이 형성된 부분을 연무화 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 제2요철을 형성하는 단계; 및 상기 제1마스크층를 제거하는 단계를 포함한다.
Abstract:
전극 구조는 기판, 투명 전극층 및 보강 패턴을 포함한다. 투명 전극층은 기판 상에 배치되며, 투명한 도전 물질을 포함한다. 보강 패턴은 투명 전극층 내부에 배치되며, 투명 전극층을 보강한다. 따라서, 전극 구조에 반복적인 압력이 가해지더라도 보강 패턴이 투명 전극층을 보강하므로 투명 전극층이 깨져 전극 구조의 전기적 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a solar battery is provided to improve solar battery efficiency by using an AZO film as a back side electrode and a back side reflection film. CONSTITUTION: A crystalline silicon wafer layer(100) is composed of a crystalline silicon wafer doped to a P-type or an N-type. An amorphous silicon layer(200) is formed at the front side or the rear side of the crystalline silicon wafer layer. A passivation layer(300) is located between the crystalline silicon wafer layer and the amorphous silicon layer. A front electrode(400) is formed to the side in which sunlight is entered. A transparency conductive film layer(500) is formed to the opposite side in which the sunlight is entered.