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公开(公告)号：KR101419854B1
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020140058921
申请日：2014-05-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은 염화물계 형광체를 Si
3 N
4 또는 Si
2 ON
2 과 반응시켜 상대적으로 저온에서 합성되는 질화물계 형광체 및 CRN (carbothermal reduction and nitridation) 법을 통해 합성되는 산질화물계 형광체 또는 질화물계 형광체 분말, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR101397156B1
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：KR1020140033446
申请日：2014-03-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은, 희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조방법으로서, 염소 원자의 큰 이온반경을 이용하여 장파장에서 발광되는 효과를 가지는 희토류 금속이 첨가된 염화실리케이트계 형광체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020140047635A
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：KR1020140033446
申请日：2014-03-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: The present invention relates to a chlorosilicate based fluorescent body containing rare-earth metals and a production method of the same, and specifically, to a chlorosilicate based fluorescent body containing rare-earth metals having an effect of emitting light in long wavelengths using large ion radius of chlorine elements, and a production method of the same. The production method comprises the following steps: obtaining a metal salt-SiO2 sol mixture solution by mixing a metal salt mixture solution containing metal chloride for synthesizing the chlorosilicate based fluorescent body containing the rare-earth metals with SiO2 sol in a liquid phase; impregnating the metal salt-SiO2 sol mixture solution in a polymer material before drying the mixture; and performing low temperature calcination, pre-oxidation burning, and post-reduction burning processes to obtain the chlorosilicate based fluorescent body. [Reference numerals] (AA) Metal solution, water-soluble silicon compound(WSS); (BB) Immersion(cellulose); (CC) Stirring, grinding, and drying under ultrasound; (DD) First sintering(150-400째C, air); (EE) Second sintering(500-1000째C, air); (FF) 700-1400째C, sintering under reduction; (GG) Fluorescent body
Abstract translation: 本发明涉及含有稀土金属的氯硅酸盐系荧光体及其制造方法，具体而言，涉及具有使用大离子半径的长波长发光效果的稀土金属的氯硅酸盐系荧光体 的氯元素及其制造方法。 该制备方法包括以下步骤：通过混合含有金属氯化物的金属盐混合物溶液来合成含有稀土金属的氯硅酸盐基荧光体与SiO 2溶胶在液相中来获得金属盐-SiO 2溶胶混合物溶液; 在混合物干燥之前将金属盐-SSiO 2溶胶混合物溶液浸渍在聚合物材料中; 进行低温煅烧，预氧化，后还原燃烧等工序，得到氯硅酸系荧光体。 （附图标记）（AA）金属溶液，水溶性硅化合物（WSS）; （BB）浸渍（纤维素）; （CC）在超声波下搅拌，研磨和干燥; （DD）第一次烧结（150-400℃，空气）; （EE）第二烧结（500-1000℃，空气）; （FF）700-1400℃C，还原烧结; （GG）荧光体
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公开(公告)号：KR1020140019081A
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020120081874
申请日：2012-07-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H02S30/00 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , G02B1/113 , G02B1/12
CPC classification number: Y02E10/50 , H02S30/00 , G02B1/113 , G02B1/12 , H01L31/02168 , H01L31/02366
Abstract: Disclosed are an anti-reflective film, a manufacturing thereof and solar cell using the same. The anti-reflective film, the manufacturing thereof and the solar cell using the same can be manufactured by a simple progress with a surface texturing process from a distribution of nanoparticles and wet-etching nanoparticles through a sol-gel method.
Abstract translation: 公开了一种抗反射膜，其制造方法和使用其的太阳能电池。 抗反射膜及其制造以及使用该防反射膜的太阳能电池可以通过使用溶胶 - 凝胶法从纳米颗粒的分布和湿蚀刻纳米粒子进行的表面纹理化处理的简单进行来制造。
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公开(公告)号：KR1020140009608A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：KR1020120075421
申请日：2012-07-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/042
Abstract: According to an embodiment of the present invention, an apparatus for manufacturing a front electrode for a solar cell includes a base fixing a substrate used for a solar cell; and an electrode formation unit forming a front electrode with a triangle cross section on the substrate through a direct printing process using a liquid metal paste. A front electrode having an excellent aspect ratio compared to the aspect ratio of a front electrode made by an existing printing method is formed. Also, the area for absorbing the sunlight reflected from the front electrode is increased to improve the efficiency of the solar cell.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，一种用于制造太阳能电池的前电极的装置包括固定用于太阳能电池的衬底的基座; 以及电极形成单元，通过使用液态金属膏的直接印刷法在基板上形成具有三角形横截面的前电极。 形成了与通过现有印刷方法制成的正面电极的纵横比相比具有优异纵横比的前电极。 此外，用于吸收从前电极反射的太阳光的面积增加，以提高太阳能电池的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101281684B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020080008030
申请日：2008-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02513 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02658
Abstract: 질화물반도체 기판의 제조방법에 관해 기술된다. 기판 제조방법은 Si 기판을 이용하며 질화물반도체은 AlN의 면, 즉 결정면(crystallographic plane)에 대해 이루어진다. AlN은 Si 기판의 (100) 면에 형성되며, 열처리에 의해 면을 을 가진다. 본 발명의 제조방법은 저렴한 (100) Si 기판을 이용하므로 제품 단가를 낮출 수 있고, 대구경의 질화물반도체 기판을 용이하게 얻을 수 있다.
질화물, 반도체, 성장-
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公开(公告)号：KR1020130036546A
公开(公告)日：2013-04-12
申请号：KR1020110100699
申请日：2011-10-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve power generation efficiency by preventing the reduction of an electron collecting rate by a transparent electrode layer. CONSTITUTION: A second conductive type emitter layer(20) is formed on the front surface of a first conductive type base material. A front electrode(30) is formed on the emitter layer. The front electrode is doped with a first conductive type dopant. A transparent electrode layer(40) is formed on the emitter layer and the front electrode. An antireflection layer(50) includes spherical metal particles formed on the transparent electrode. A rear electrode is formed on the rear surface of the first conducive type base material.
Abstract translation: 目的：提供硅太阳能电池及其制造方法，以通过防止透明电极层降低电子收集率来提高发电效率。 构成：在第一导电型基材的前表面上形成第二导电型发射极层（20）。 在发射极层上形成前电极（30）。 前电极掺杂有第一导电型掺杂剂。 在发射极层和前电极上形成透明电极层（40）。 抗反射层（50）包括在透明电极上形成的球形金属颗粒。 后电极形成在第一导电型基材的后表面上。
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公开(公告)号：KR101198930B1
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020100121904
申请日：2010-12-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/06 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본원은, 질화규소 반사방지막의 제조 방법이 제공된다. 반도체 기판 상에 산화규소(SiO
2 ) 전구체 및 도펀트(dopant) 전구체를 함유하는 수성 도포액을 액상 도포하여 졸-젤 방법에 의하여 도펀트-함유 산화규소 층을 형성하고; 상기 도펀트-함유 산화규소 층을 질화 분위기에서 열처리함으로써 상기 도펀트의 확산에 의해 pn 접합 형성에 의한 에미터층을 형성하고 동시에 상기 반도체 기판 상에 구형 산화규소 층의 질화에 의한 질화규소 반사방지막을 동시에 형성하는 것을 포함하며, 상기 구형 질화규소 층은 반사방지막으로 작용하며 동시에 표면 텍스쳐링 효과도 제공한다.-
公开(公告)号：KR101141864B1
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020080024834
申请日：2008-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 본 발명은 청색 발광 다이오드 또는 자외선 발광 다이오드를 광원으로 하는 백색 발광 다이오드의 형광체에 적용할 수 있는 산질화물 분말의 제조를 위한 소성 장치를 이용한 산질화물 분말의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 소성 장치는 안정적인 재현성과 양산성이 우수한 산질화물 분말의 제조가 가능하다. 또한 본 발명의 제조 방법에 따라 제조된 산질화물 분말은 백색 발광 다이오드의 형광체에 적용 가능한 적당한 입도를 지니며, 표면 결함이 없고, 발광 특성이 우수한 장점을 지닌다.
산질화물 형광체, 소성장치, 사이알론, 발광특성
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