公开(公告)号：KR102087299B1

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：KR1020180040804

申请日：2018-04-09

Applicant: 숭실대학교산학협력단 ,  서강대학교산학협력단

Inventor： 강문성 ,  조정호 ,  양지혜

IPC: C09K11/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

公开(公告)号：KR101711391B1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：KR1020150040635

申请日：2015-03-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  김범준 ,  이영빈 ,  최용석 ,  황의헌

IPC: C01B31/04 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66

Abstract: 그래핀의도핑방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101556644B1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：KR1020140154687

申请日：2014-11-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  최용석 ,  김영훈 ,  박원영 ,  강문성

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 금속산화물트랜지스터및 상기금속산화물트랜지스터의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 金属氧化物晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及金属氧化物晶体管及其制造方法。 金属氧化物晶体管包括基板（110），源极和漏极（120），栅电极（130），半导体层（140）和离子凝胶层（150）。

公开(公告)号：KR101802775B1

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020160033647

申请日：2016-03-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  심재우 ,  이성주 ,  조정호 ,  우한영

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/73 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명의일 실시예에따른공명터널소자(resonant tunneling device)는축퇴된반도체층; 축퇴된반도체층상에형성되는제 1 무기물층; 제 1무기물층상에형성되는유기물층; 및유기물층상에형성되는전극층을포함하되, 유기물층은불연속적인복수의에너지준위를갖도록형성된다.

公开(公告)号：KR101546500B1

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：KR1020140128468

申请日：2014-09-25

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  이영빈

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/1136 ,  C01B32/182 ,  H01L31/10 ,  H01L31/101

Abstract: 광 검출 소자 및 광 검출 소자의 제작 방법에 관한 것으로, 광 검출 소자는 게이트 전극을 포함하고, 유전체층 및 자가결합계면층이 형성된 기판, 자가결합계면층의 상부에 서로 이격 되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 그래핀 채널층 및, 그래핀 채널층 상부에 형성된 페로브스카이트 박막을 포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及光电检测器及其制造方法。 光检测器包括：基板，其包括栅电极，并且具有在自组合界面层的上部彼此分离的介电层和自组合界面层，源电极和漏电极，石墨烯 沟道层，其连接源电极和漏电极，以及形成在石墨烯通道层的上部的钙钛矿薄膜。

公开(公告)号：KR1020160114320A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：KR1020150040635

申请日：2015-03-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  김범준 ,  이영빈 ,  최용석 ,  황의헌

IPC: C01B31/04 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC classification number: C01B32/194 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/786

Abstract: 그래핀의도핑방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020140044763A

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：KR1020130119462

申请日：2013-10-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 안종현 ,  조정호 ,  이승기

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603

Abstract: The present invention relates to a graphene field effect transistor with dielectrics and gate electrodes having stable behaviors despite high strains and a method for manufacturing the same. According to an embodiment of the present invention, the method of manufacturing a graphene field effect transistor with dielectrics and gate electrodes having stable behaviors despite high strains includes a step of preparing a monolithically patterned graphene layer; a step of forming an insulating layer; and a step of forming a gate electrode. [Reference numerals] (AA) Patterned graphene; (BB) Rubber; (CC) Aerosol jet printing; (DD) Nozzle; (EE) Ion gel printing; (FF) Ethanol; (GG,HH) Stretch(transformation); (II) PEDOT:PSS printing; (JJ) Hexane evaporation

Abstract translation: 石墨烯场效应晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及具有电导率和栅电极的石墨烯场效应晶体管，其具有稳定的行为，并且具有高应变性及其制造方法。 根据本发明的实施例，制造具有稳定行为的电介质和栅电极的石墨烯场效应晶体管的方法，尽管高应变包括制备单片图案化石墨烯层的步骤; 形成绝缘层的步骤; 以及形成栅电极的步骤。 （标号）（AA）图案化石墨烯; （BB）橡胶; （CC）气溶胶喷墨印刷; （DD）喷嘴; （EE）离子凝胶印刷; （FF）乙醇; （GG，HH）拉伸（转化）; （二）PEDOT：PSS印刷; （JJ）己烷蒸发

公开(公告)号：KR1020170109461A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：KR1020160033647

申请日：2016-03-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  심재우 ,  이성주 ,  조정호 ,  우한영

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/73 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7311

Abstract: 본발명의일 실시예에따른공명터널소자(resonant tunneling device)는축퇴된반도체층; 축퇴된반도체층상에형성되는제 1 무기물층; 제 1무기물층상에형성되는유기물층; 및유기물층상에형성되는전극층을포함하되, 유기물층은불연속적인복수의에너지준위를갖도록형성된다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的谐振隧穿器件包括退化半导体层; 形成在退化半导体层上的第一无机材料层; 形成在第一无机材料层上的有机材料层; 以及形成在有机层上的电极层，其中有机层形成为具有多个不连续的能级。

公开(公告)号：KR1020150092405A

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：KR1020140012287

申请日：2014-02-03

Applicant: 가부시키가이샤 가네카 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  이기라 ,  부용순 ,  이성준 ,  오우치,가츠야

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 본 발명은 투명 도전막, 그 제조 방법, 및 투명 도전막을 포함하는 디바이스 및 전자장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 도전막은 금속 나노구조체와 상기 금속 나노구조체가 배치된 지지기재를 포함하는 투명 도전막으로, 상기 금속 나노구조체는 이방성 형상을 가지는 복수의 금속 나노구조가 하나 이상의 접합 부위를 갖도록 연결된 것이고, 상기 투명 도전막은 550nm 파장에서의 투과율이 90 % 이상이고, 시트 저항값이 10 Ω/sq 이하이며, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기EL디스플레이(OLED), 유기EL조명, 터치 스크린, 및 태양 전지 등의 전자장치에 활용될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及透明导电层，其制造方法，装置以及包括该透明导电层的电子器件。 根据本发明的透明导电层包括金属纳米结构和其上布置有金属纳米结构的载体材料。 在金属纳米结构中，多个金属纳米结构单元被连接以具有一个或多个结合部分。 透明导电层的透射率在550nm波长中为90％以上。 透明导电层的薄层电阻值为10Ω/□以下。 透明导电层用于诸如液晶显示器，等离子体显示器，有机EL显示器（OLED），有机EL灯，触摸屏和太阳能电池的电子设备中。

公开(公告)号：KR101769023B1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：KR1020150074275

申请日：2015-05-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 조정호 ,  김상우 ,  박재훈 ,  승완철

IPC: H01L41/22 ,  H02N2/00

Abstract: 기재; 상기기재상에형성된금속패턴층및 상기금속패턴층상에형성된 2 차원나노소재층을포함하는하부전극; 상기하부전극상에형성된강유전체층; 및상기강유전체층상에형성된상부전극을포함하는플렉서블나노제너레이터, 및상기플렉서블나노제너레이터의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 基材; 下电极，包括形成在所述衬底上的金属图案层和形成在所述金属图案层上的二维纳米材料层; 在下电极上形成的铁电层; 以及形成在铁电层上的上电极，以及用于制造柔性纳米发生器的方法。