公开(公告)号：KR101467579B1

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020080114598

申请日：2008-11-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본발명에따른 III족질화물반도체결정의성장방법은이하의공정을갖고있다. 우선, 하지(下地) 기판이준비된다(단계 S1). 그리고, 기상성장법에의해하지기판상에사(4)불화규소가스를도핑가스로서이용함으로써실리콘을도핑한 III족질화물반도체결정이성장된다(단계 S2).

公开(公告)号：KR101444954B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020080115148

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.

公开(公告)号：KR1020110120258A

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：KR1020110097166

申请日：2011-09-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  이시바시게이지 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: C30B33/00 ,  Y10T428/21

Abstract: PURPOSE: An AlGaInN substrate, an AlGalnN substrate washing method, an AlN substrate, and an AlN substrate washing method are provided to immerse the AlGaInN substrate into a washing solution while applying ultrasonic waves, thereby eliminating particles with a diameter of 0.2μm or greater existed on the surface of the AlGaInN substrate. CONSTITUTION: An AlGaInN substrate(45) is immersed in an acid solution(25). A photoelectron spectrum of the surface of the AlGaInN substrate is provided using an X-ray photoelectron spectroscopy with a detection angle of 10°. The acid solution is comprised of at least one kind of a group comprised of hydrofluoric acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid. The AlGaInN substrate is immersed for 30 seconds or more. The concentration of the acid solution is 0.5 mass percent or greater.

Abstract translation: 目的：提供AlGaInN衬底，AlGalnN衬底洗涤方法，AlN衬底和AlN衬底洗涤方法，以在施加超声波的同时将AlGaInN衬底浸入洗涤溶液中，从而消除直径为0.2μm以上的颗粒 在AlGaInN衬底的表面上。 构成：将AlGaInN衬底（45）浸入酸溶液（25）中。 使用检测角度为10°的X射线光电子能谱法，提供AlGaInN衬底的表面的光电子光谱。 酸溶液由至少一种由氢氟酸，盐酸和硫酸组成的组成。 将AlGaInN基板浸渍30秒以上。 酸溶液的浓度为0.5质量％以上。

公开(公告)号：KR1020090052292A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080115335

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 실시한다. 우선, 하지(下地) 기판이 준비된다(단계 S1). 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판 상에 사염화규소(SiCl
4 ) 가스를 도핑 가스로서 이용함으로써 실리콘을 도핑한 제1의 III족 질화물 반도체 결정이 성장된다(단계 S2). 이 제1의 III족 질화물 반도체 결정의 성장 속도가 200(㎛/h) 이상 2000(㎛/h) 이하이다.

公开(公告)号：KR1020090052288A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080115148

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.