公开(公告)号：KR1020080083285A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：KR1020087015068

申请日：2006-10-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  우에무라도모키 ,  오카히사다쿠지 ,  우에마츠고지 ,  오쿠이마나부 ,  니시오카무네유키 ,  하시모토신

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/201 ,  C30B29/38 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: This invention provides an AlxGayIn1-x-yN crystal substrate (12) having a main plane (12m) having an area of not less than 10 cm2. The main plane (12m) has an outer area (12w) which is within 5 mm from the outer periphery and an inner area (12n) which is an area other than the outer area. The inner area (12n) has a total dislocation density of not less than 1 x 102 cm-2 and not more than 1 x 106 cm-2. The above constitution can provide an AlxGayIn1-x-yN crystal substrate as a semiconductor device, which is large and has suitable dislocation density, a semiconductor device comprising the AlxGayIn1-x-yN crystal substrate, and a method for manufacturing the same.

Abstract translation: 本发明提供具有面积不小于10cm 2的主平面（12m）的Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底（12）。 主平面（12m）具有与外周5mm以内的外部区域（12w）和作为外部区域以外的区域的内部区域（12n）。 内部区域（12n）的总位错密度不小于1×102cm-2且不大于1×106cm-2。 上述结构可以提供Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底作为半导体器件，其尺寸大并且具有合适的位错密度，包括Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：KR1020090052279A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080114598

申请日：2008-11-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 갖고 있다. 우선, 하지(下地) 기판이 준비된다(단계 S1). 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판 상에 사(4)불화규소 가스를 도핑 가스로서 이용함으로써 실리콘을 도핑한 III족 질화물 반도체 결정이 성장된다(단계 S2).

公开(公告)号：KR101467579B1

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020080114598

申请日：2008-11-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본발명에따른 III족질화물반도체결정의성장방법은이하의공정을갖고있다. 우선, 하지(下地) 기판이준비된다(단계 S1). 그리고, 기상성장법에의해하지기판상에사(4)불화규소가스를도핑가스로서이용함으로써실리콘을도핑한 III족질화물반도체결정이성장된다(단계 S2).

公开(公告)号：KR101444954B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020080115148

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.

公开(公告)号：KR1020090052292A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080115335

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 실시한다. 우선, 하지(下地) 기판이 준비된다(단계 S1). 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판 상에 사염화규소(SiCl
4 ) 가스를 도핑 가스로서 이용함으로써 실리콘을 도핑한 제1의 III족 질화물 반도체 결정이 성장된다(단계 S2). 이 제1의 III족 질화물 반도체 결정의 성장 속도가 200(㎛/h) 이상 2000(㎛/h) 이하이다.

公开(公告)号：KR1020090052288A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080115148

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.