公开(公告)号：KR1020090048550A

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：KR1020087032119

申请日：2007-06-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12

CPC classification number: C30B29/403 ,  B08B3/12 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02052 ,  Y10T428/25

Abstract: 본 발명은 고품질의 에피택셜막을 안정되게 성장시킬 수 있는 Ga
x In
1-x N 기판과 이 Ga
x In
1-x N 기판을 얻기 위한 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. Ga
x In
1-x N 기판의 표면 상에 존재하는 입자 직경 0.2 ㎛ 이상의 파티클의 수가 Ga
x In
1-x N 기판의 직경을 2인치로 했을 때에 20개 이하인 Ga
x In
1-x N 기판이다. 또한, 검출 각도 10°에서의 X선 광전자 분광법에 의한 Ga
x In
1-x N 기판 표면의 광전자 스펙트럼에 있어서, C
1s 전자와 N
1s 전자의 피크 면적의 비(C
1s 전자의 피크 면적/N
1s 전자의 피크 면적)가 3 이하인 Ga
x In
1-x N 기판이다.
에피택셜막, 광전자 스펙트럼

公开(公告)号：KR1020060134810A

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：KR1020060054843

申请日：2006-06-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 니시우라다카유키 ,  우에무라도모키

IPC: H01L21/304 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10S438/906

Abstract: A surface treatment method for a substrate is provided to make the surface of a substrate become a stoichiometric state and reduce haze on the surface after an epitaxial growth by maintaining hydrogen ions concentration of 2~6.3. A substrate(9) is prepared which is made of a III-V group compound semiconductor. The substrate is cleaned by a cleaning process using a cleaning solution(11) that is adjusted to be acid having hydrogen ion concentration of 2~6.3 and to which an oxide agent is added. The cleaning process is performed for a time interval of 5~60 seconds.

Abstract translation: 提供了一种用于基板的表面处理方法，以使得基板的表面变为化学计量状态，并且通过维持2〜6.3的氢离子浓度来减少外延生长后的表面上的雾度。 制备由III-V族化合物半导体制成的基片（9）。 通过使用调整为氢的离子浓度为2〜6.3的酸的清洗液（11），通过清洗处理来清洗基板，并添加氧化剂。 清洗过程的时间间隔为5〜60秒。

公开(公告)号：KR1020080083285A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：KR1020087015068

申请日：2006-10-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지와라신스케 ,  우에무라도모키 ,  오카히사다쿠지 ,  우에마츠고지 ,  오쿠이마나부 ,  니시오카무네유키 ,  하시모토신

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/201 ,  C30B29/38 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: This invention provides an AlxGayIn1-x-yN crystal substrate (12) having a main plane (12m) having an area of not less than 10 cm2. The main plane (12m) has an outer area (12w) which is within 5 mm from the outer periphery and an inner area (12n) which is an area other than the outer area. The inner area (12n) has a total dislocation density of not less than 1 x 102 cm-2 and not more than 1 x 106 cm-2. The above constitution can provide an AlxGayIn1-x-yN crystal substrate as a semiconductor device, which is large and has suitable dislocation density, a semiconductor device comprising the AlxGayIn1-x-yN crystal substrate, and a method for manufacturing the same.

Abstract translation: 本发明提供具有面积不小于10cm 2的主平面（12m）的Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底（12）。 主平面（12m）具有与外周5mm以内的外部区域（12w）和作为外部区域以外的区域的内部区域（12n）。 内部区域（12n）的总位错密度不小于1×102cm-2且不大于1×106cm-2。 上述结构可以提供Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底作为半导体器件，其尺寸大并且具有合适的位错密度，包括Al x Ga y In 1-x-y N晶体衬底的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：KR1020080037606A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：KR1020077026403

申请日：2006-08-17

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  후지와라신스케 ,  오카히사다쿠지 ,  히로타류 ,  나카하타히데아키

IPC: C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  C23C16/46

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: In the conventional GaN crystal production method using HVPE process, there is a possibility of improving the crystallizing property of a GaN crystal by conducting the method at a temperature higher than 1100°C. However, the method has a problem that a quartz reaction tube (1) could be melt when the heating with heaters (5) and (6) is conducted at a temperature higher than 1100°C. Thus, provided is a method for production of a GaxIn1-xN (0

Abstract translation: 在使用HVPE工艺的常规GaN晶体制造方法中，通过在高于1100℃的温度下进行该方法，存在提高GaN晶体的结晶性的可能性。 然而，该方法存在当在高于1100℃的温度下进行加热（5）和（6）的加热时石英反应管（1）可能熔化的问题。 因此，提供了一种生产GaxIn1-xN（0 <= x <= 1）晶体（12）的方法，包括使包含卤化镓气体和卤化铟气体中的至少一种的原料气体和 在石英反应管（1）中的铵气体使得在基板（7）的表面上生长GaxIn1-xN（0 <= x <= 1）晶体（12），其中石英反应管（1）在外部 在制造期间加热使GaxIn1-xN（0 <= x <= 1）晶体（12）生长，并且衬底（7）也被单独加热。

公开(公告)号：KR1020060048731A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050057522

申请日：2005-06-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  이시바시게이지 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C30B33/00 ,  Y10T428/21

Abstract: 본 발명은 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판의 표면상에 존재하는 입자 직경 0.2 ㎛ 이상의 파티클 수가 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판의 구경을 2 인치로 했을 때에 20개 이하인 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판과 그 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판을 얻을 수 있는 세정 방법이다. 또한, 검출 각도 10°에서의 X선 광전자 분광법에 의한 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51) 표면의 광전자 스펙트럼에 있어서, C
1s 전자와 N
1s 전자의 피크 면적의 비(C
1s 전자의 피크 면적/N
1s 전자의 피크 면적)가 3 이하인 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51)과 그 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51)을 얻을 수 있는 세정 방법이다. 검출 각도 10°에서의 X선 광전자 분광법에 의한 AlN 기판(52) 표면의 광전자 스펙트럼에 있어서, Al
2s 전자와 N
1s 전자의 피크 면적의 비(Al
2s 전자의 피크 면적/N
1s 전자의 피크 면적)가 0.65 이하인 AlN 기판(52)과 그 AlN 기판(52)을 얻을 수 있는 세정 방법이다.

公开(公告)号：KR1020090052279A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080114598

申请日：2008-11-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 갖고 있다. 우선, 하지(下地) 기판이 준비된다(단계 S1). 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판 상에 사(4)불화규소 가스를 도핑 가스로서 이용함으로써 실리콘을 도핑한 III족 질화물 반도체 결정이 성장된다(단계 S2).

公开(公告)号：KR1020090008321A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：KR1020087027015

申请日：2007-04-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  사쿠라다다카시 ,  후지와라신스케 ,  오카히사다쿠지 ,  우에마츠고지 ,  나카하타히데아키

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02623 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: This invention provides a method for manufacturing a gallium nitride crystal, which, when a gallium nitride crystal is grown using a gallium nitride substrate including a translocation aggregation region and an inversion region is used as a seed crystal substrate, can manufacture a gallium nitride crystal, which has low translocation density and, at the same time, has good crystallinity and, in addition, is less likely to cause cracking upon polishing after slicing. In embedding the translocation aggregation region and the inversion region (17a) for growth of a gallium nitride crystal (79), the gallium nitride crystal (79) is grown at a growth temperature of above 1100°C and 1300°C or below. According to this constitution, the translocation taken from the translocation aggregation region and inversion region (17a) can be reduced, and the occurrence of new translocation on the translocation aggregation region and inversion region (17a) can be suppressed. Good crystallinity of the gallium nitride crystal (79) can be realized, and, at the same time, cracking is less likely to occur in polishing after slicing of the gallium nitride crystal (79).

Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造氮化镓晶体的方法，当使用包含易位聚集区域的氮化镓衬底和反转区域来生长氮化镓晶体作为晶种衬底时，可以制造氮化镓晶体， 其易位密度低，同时具有良好的结晶度，另外在切片后不太可能引起研磨时的开裂。 在嵌入用于氮化镓晶体（79）的生长的易位聚集区域和反转区域（17a）中，氮化镓晶体（79）在高于1100℃和1300℃以下的生长温度下生长。 根据该构成，可以减少从易位聚集区域和反转区域（17a）取得的移位，能够抑制易位聚集区域和反转区域（17a）的新易位化。 可以实现氮化镓晶体（79）的良好的结晶度，并且同时在氮化镓晶体（79）切割之后的抛光中也不太可能发生裂纹。

公开(公告)号：KR101239545B1

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：KR1020110097166

申请日：2011-09-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  이시바시게이지 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/302

CPC classification number: C30B33/00 ,  Y10T428/21

Abstract: 본 발명은 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판의 표면상에 존재하는 입자 직경 0.2 ㎛ 이상의 파티클 수가 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판의 구경을 2 인치로 했을 때에 20개 이하인 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판과 그 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판을 얻을 수 있는 세정 방법이다. 또한, 검출 각도 10°에서의 X선 광전자 분광법에 의한 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51) 표면의 광전자 스펙트럼에 있어서, C
1s 전자와 N
1s 전자의 피크 면적의 비(C
1s 전자의 피크 면적/N
1s 전자의 피크 면적)가 3 이하인 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51)과 그 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51)을 얻을 수 있는 세정 방법이다. 검출 각도 10°에서의 X선 광전자 분광법에 의한 AlN 기판(52) 표면의 광전자 스펙트럼에 있어서, Al
2s 전자와 N
1s 전자의 피크 면적의 비(Al
2s 전자의 피크 면적/N
1s 전자의 피크 면적)가 0.65 이하인 AlN 기판(52)과 그 AlN 기판(52)을 얻을 수 있는 세정 방법이다.

公开(公告)号：KR101188516B1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：KR1020050057522

申请日：2005-06-30

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 우에무라도모키 ,  이시바시게이지 ,  후지와라신스케 ,  나카하타히데아키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C30B33/00 ,  Y10T428/21

Abstract: 본 발명은 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판의 표면상에 존재하는 입자 직경 0.2 ㎛ 이상의 파티클 수가 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판의 구경을 2 인치로 했을 때에 20개 이하인 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판과 그 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판을 얻을 수 있는 세정 방법이다. 또한, 검출 각도 10°에서의 X선 광전자 분광법에 의한 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51) 표면의 광전자 스펙트럼에 있어서, C
1s 전자와 N
1s 전자의 피크 면적의 비(C
1s 전자의 피크 면적/N
1s 전자의 피크 면적)가 3 이하인 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51)과 그 Al
x Ga
y In
1-xy N 기판(51)을 얻을 수 있는 세정 방법이다. 검출 각도 10°에서의 X선 광전자 분광법에 의한 AlN 기판(52) 표면의 광전자 스펙트럼에 있어서, Al
2s 전자와 N
1s 전자의 피크 면적의 비(Al
2s 전자의 피크 면적/N
1s 전자의 피크 면적)가 0.65 이하인 AlN 기판(52)과 그 AlN 기판(52)을 얻을 수 있는 세정 방법이다.

公开(公告)号：KR1020070026310A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020067005950

申请日：2005-04-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 호리에유스케 ,  니시우라다카유키 ,  우에무라도모키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10T428/265

Abstract: A GaAs substrate cleaning method by which less number of foreign materials are deposited after cleaning. The cleaning method is composed of an acid cleaning process (S11), a pure water rinsing process (S12) and a spin-dry process (S13). First, the acid cleaning process (S11) is performed by impregnating a GaAs substrate having a mirror-polished surface in an acid cleaning solution. In the acid cleaning process, a cleaning time is less than 30 seconds. Then, the pure water rinsing process (S12) is performed by washing away the cleaning solution on the cleaned GaAs substrate with pure water. Then, the spin dry process (S13) is performed to dry the GaAs substrate having the pure water thereon. Thus, the GaAs substrate whereupon less number of foreign materials are deposited after cleaning is provided. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 清洗后少量异物沉积的GaAs衬底清洗方法。 清洗方法由酸洗工艺（S11），纯水漂洗工艺（S12）和旋干工艺（S13）组成。 首先，通过将具有镜面抛光表面的GaAs衬底浸渍在酸性清洗溶液中来进行酸洗处理（S11）。 在酸洗过程中，清洗时间少于30秒。 然后，通过用纯水将清洁的GaAs基板上的清洗液清洗，进行纯水冲洗处理（S12）。 然后，进行旋转干燥处理（S13），使其上具有纯水的GaAs衬底干燥。 因此，提供了GaAs衬底，因此在清洁之后沉积少量异物。 ®KIPO＆WIPO 2007