公开(公告)号：KR1020100096982A

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：KR1020090077636

申请日：2009-08-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 가타야마고지 ,  기타바야시히로유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provide to prevent contamination due to impurities and the oxidation of an upper surface by forming an electrode to make an electrode layer with the same plane as a ridge unit in forming a convex part. CONSTITUTION: A GaN based semiconductor layer comprising a semiconductor device is prepared(S10). An electrode layer is formed on the GaN based semiconductor layer(S100). A first layer is formed on the electrode layer(S20). A second layer with a pattern is formed(S30). A ridge unit is formed on the GaN based semiconductor layer under the second layer by partially etching the fist layer, the electrode layer, and the GaN based semiconductor layer with the second layer as a mask(S50). The cross section of the first layer moves behind the cross position of the second layer by etching the cross section of the first layer on the ridge unit with an alkali etchant(S60). A protection layer is formed on the upper surface of the second layer and the lateral side of the ridge unit(S70). The part of the protection layer is removed by etching the first layer with the alkali etchant(S80).

Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，通过形成电极来形成与凸部相同的平面的电极层，形成凸部，防止由杂质引起的污染和上表面的氧化。 组成：包括半导体器件的基于GaN的半导体层被制备（S10）。 在形成GaN系半导体层（S100）上的电极层。 形成在电极层（S20）上形成第一层。 形成具有图案的第二层（S30）。 通过以第二层作为掩模部分蚀刻第一层，电极层和GaN基半导体层，在第二层下面的GaN基半导体层上形成脊单元（S50）。 通过用碱蚀刻剂蚀刻脊单元上的第一层的横截面，第一层的横截面移动到第二层的交叉位置之后（S60）。 在第二层的上表面和脊单元的侧面形成保护层（S70）。 通过用碱性蚀刻剂蚀刻第一层来去除保护层的部分（S80）。

公开(公告)号：KR1020110052569A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020117000709

申请日：2009-06-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미치마사 ,  미즈하라나호 ,  다니자키게이스케 ,  사토잇세이 ,  나카하타히데아키 ,  아라카와사토시 ,  야마모토요시유키 ,  사쿠라다다카시

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18

Abstract: 본 발명은 큰 두께를 가지며 또 고품질인 III족 질화물 결정을 성장시키는 III족 질화물 결정의 제조 방법 및 III족 질화물 결정을 제공하는 것을 목적으로 한다. III족 질화물 결정(13)의 제조 방법은 이하의 공정을 포함한다. 우선, (0001)면에서 방향으로 경사진 주표면(11a)을 갖는 하지 기판(11)이 준비된다. 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판(11)의 주표면(11a) 상에 III족 질화물 결정(13)이 성장된다. 하지 기판(11)의 주표면(11a)은 {01-10}면에서 -5° 이상 5° 이하 경사진 면인 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020090052279A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080114598

申请日：2008-11-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 갖고 있다. 우선, 하지(下地) 기판이 준비된다(단계 S1). 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판 상에 사(4)불화규소 가스를 도핑 가스로서 이용함으로써 실리콘을 도핑한 III족 질화물 반도체 결정이 성장된다(단계 S2).

公开(公告)号：KR101087851B1

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：KR1020097018069

申请日：2009-02-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  아라카와사토시

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2086

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 GaN계 반도체층 형성 공정(S10)과, GaN계 반도체층 상에 Al막을 형성하는 공정(S20)과, 에칭 속도가 Al막을 구성하는 재료보다 작은 재료로 이루어지는 마스크층을 형성하는 공정(S30, S40)과, 마스크층을 마스크로서 이용하여 Al막(3) 및 GaN계 반도체층(2)을 부분적으로 제거함으로써 릿지부를 형성하는 공정(S50)과, Al막의 단부면의 측벽의 위치를 마스크층의 측벽의 위치보다 후퇴시키는 공정(S60)과, 에칭 속도가 Al막을 구성하는 재료보다 작은 재료로 이루어지는 보호막을, 릿지부의 측면 및 마스크층의 상부 표면 상에 형성하는 공정(S70)과, Al막을 제거함으로써, 마스크층 및 이 마스크층의 상부 표면 상에 형성된 보호막의 부분을 제거하는 공정(S80)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110041440A

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：KR1020107029290

申请日：2009-06-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아라카와사토시 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  사토잇세이 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B3/00 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355 ,  C30B29/40 ,  C30B23/06

Abstract: 본 발명의 Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정(10)을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함한다. 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)이 성장한다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)에 있어서, 300K에서 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 이하의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.4 이상이고, 또한 300 ㎚ 초과 350 ㎚ 미만의 파장의 빛에 대한 굴절률은 2.3 이상이다.

公开(公告)号：KR1020110040814A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020117000149

申请日：2009-06-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아라카와사토시 ,  사쿠라다다카시 ,  야마모토요시유키 ,  사토잇세이 ,  다니자키게이스케 ,  나카하타히데아키 ,  미즈하라나호 ,  미야나가미치마사

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: Al
x Ga
(1-x) N(0 x Ga
(1-x) N 단결정을 성장시키는 방법으로서, 이하의 공정을 포함하고 있다. Al
x Ga
(1-x) N 단결정과 동일한 조성비(x)를 갖는 하지 기판이 준비된다. 고순도의 원료가 준비된다. 원료를 승화시켜 하지 기판 상에 Al
x Ga
(1-x) N 단결정이 성장된다. 또한, Al
x Ga
(1-x) N 단결정(10)은, 300 K로 측정된, 250 ㎚ 이상 300 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 100 cm
-1 이하이며, 300 ㎚ 이상 350 ㎚ 미만의 파장의 광에 대한 흡수 계수가 21 cm
-1 이하이다.

公开(公告)号：KR1020100027092A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：KR1020097018069

申请日：2009-02-12

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 기타바야시히로유키 ,  가타야마고지 ,  아라카와사토시

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2086

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor element is provided with a GaN semiconductor layer forming step (S10); a step (S20) of forming an Al film on the GaN semiconductor layer; steps (S30, S40) of forming a mask layer composed of a material having an etching speed lower than that of a material constituting the Al mask; a step (S50) of forming a ridge section by partially removing the Al film and the GaN semiconductor layer by using the mask layer as a mask; a step (S60) of making the position of a side wall of an end surface of the Al film recede from the position of the side wall of the mask layer; a step (S70) of forming a protection film, which is composed of a material having an etching speed lower than that of the material constituting the Al film, on a side surface of the ridge section and on the upper surface of the mask layer; and a step (S80) of removing the mask layer and a part of the protection film formed on the upper surface of the mask layer by removing the Al film.

Abstract translation: 半导体元件的制造方法具备GaN半导体层形成工序（S10）。 在所述GaN半导体层上形成Al膜的步骤（S20）; 形成由蚀刻速度低于构成Al掩模​​的材料的蚀刻速度的材料构成的掩模层的步骤（S30，S40）; 通过使用掩模层作为掩模来部分去除Al膜和GaN半导体层来形成脊部的步骤（S50） 使得Al膜的端面的侧壁的位置从掩模层的侧壁的位置后退的步骤（S60） 在所述脊部的侧面和所述掩模层的上表面上形成保护膜的步骤（S70），所述保护膜由蚀刻速度低于构成所述Al膜的材料的材料构成; 以及通过去除Al膜去除掩模层和形成在掩模层的上表面上的保护膜的一部分的步骤（S80）。

公开(公告)号：KR101467579B1

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020080114598

申请日：2008-11-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본발명에따른 III족질화물반도체결정의성장방법은이하의공정을갖고있다. 우선, 하지(下地) 기판이준비된다(단계 S1). 그리고, 기상성장법에의해하지기판상에사(4)불화규소가스를도핑가스로서이용함으로써실리콘을도핑한 III족질화물반도체결정이성장된다(단계 S2).

公开(公告)号：KR101444954B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020080115148

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L33/30

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.

公开(公告)号：KR1020090052292A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020080115335

申请日：2008-11-19

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오카히사다쿠지 ,  가와세도모히로 ,  우에무라도모키 ,  니시오카무네유키 ,  아라카와사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정의 성장 방법은 이하의 공정을 실시한다. 우선, 하지(下地) 기판이 준비된다(단계 S1). 그리고, 기상 성장법에 의해 하지 기판 상에 사염화규소(SiCl
4 ) 가스를 도핑 가스로서 이용함으로써 실리콘을 도핑한 제1의 III족 질화물 반도체 결정이 성장된다(단계 S2). 이 제1의 III족 질화물 반도체 결정의 성장 속도가 200(㎛/h) 이상 2000(㎛/h) 이하이다.