公开(公告)号：WO2021091020A1

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：PCT/KR2020/001066

申请日：2020-01-22

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  박경호 ,  이진혁 ,  김희준 ,  김동우 ,  민원경 ,  노성민

IPC: H01L27/11568 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

Abstract: 본 실시예들은 점성을 갖는 유기물 잔여물을 통해 채널과 게이트 절연체 사이에 인터페이스 트랩을 형성하고, 빛의 파장을 변화시킴으로써, 하나의 게이트를 이용하여 메모리를 멀티 레벨로 동작시킬 수 있는 비휘발성 멀티레벨 광 메모리 및 그 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：WO2021015377A1

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：PCT/KR2020/001065

申请日：2020-01-22

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  최동현 ,  이희수 ,  박정우 ,  김원기 ,  유혁준 ,  김형태 ,  김민성

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/737 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명에 따르면, 산화물 박막 증착 시 산소 분압을 조절하고 증착 후 산화물 박막에 환원제 처리를 하여 산화물 박막 내 산소 공공을 조절할 수 있으며, 이를 통해 박막 내 캐리어(carrier) 농도를 조절하여 양의 값을 가지는 V th 와 높은 이동도를 동시에 가질 수 있는 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：WO2010137838A3

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/KR2010/003266

申请日：2010-05-24

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  김현재 ,  정웅희 ,  안병두 ,  김건희

Inventor： 김현재 ,  정웅희 ,  안병두 ,  김건희

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명의 실시 예들은 액상 공정용 조성물 그리고 이를 이용한 전자 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 졸-겔 공정을 이용한 산화물 나노구조체, 산화물 박막 트랜지스터 및 산화물 반도체 소자 및 그 형성 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101607938B1

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：KR1020130078509

申请日：2013-07-04

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김시준 ,  정주혜 ,  윤두현 ,  박성하 ,  김병훈

IPC: G01N27/406 ,  G01N27/414 ,  G01N33/483

Abstract: 본발명은바이오센서및 그를제조하는제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른바이오센서는, 기판; 상기기판위에형성된게이트; 상기게이트위에형성된게이트절연층; 상기게이트절연층 위에적층된다수의산화물반도체층; 및상기산화물반도체층 위에형성된소스및 드레인;을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020130102148A

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020120023122

申请日：2012-03-07

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김시준 ,  정주혜 ,  윤두현 ,  박성하 ,  김병훈 ,  이준의

IPC: G01N33/53 ,  C12Q1/68 ,  G01N27/414

CPC classification number: C12Q1/6825 ,  G01N27/4145

Abstract: PURPOSE: An oxide thin film transistor biosensor is provided to show reliability and reproducibility, superior resistance to environmental stress and heat, and superior electrical characteristics. CONSTITUTION: A field effect transistor comprises: a substrate (200); a gate electrode (210) which is formed on the substrate; a gate insulation film (220) which is formed on the gate electrode; an oxide semiconductor layer (230) which is formed on the gate insulation film; and a source (240) and a drain electrode (250) which are formed on the oxide semiconductor layer to expose the oxide semiconductor layer. A field effect transistor biosensor detects components of a biomaterial (260) through current-voltage characteristics by bonding the biomaterial to a part of the oxide semiconductor layer which is exposed between the source and the drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供氧化物薄膜晶体管生物传感器，以显示可靠性和再现性，优异的耐环境应力和热性，以及优异的电气特性。 构成：场效应晶体管包括：衬底（200）; 形成在所述基板上的栅电极（210） 栅极绝缘膜（220），其形成在栅电极上; 形成在所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层（230） 以及形成在所述氧化物半导体层上以暴露所述氧化物半导体层的源极（240）和漏极（250）。 场效应晶体管生物传感器通过将生物材料结合到暴露在源极和漏极之间的氧化物半导体层的一部分，通过电流 - 电压特性来检测生物材料（260）的成分。

公开(公告)号：KR1020150005772A

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：KR1020130078509

申请日：2013-07-04

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김시준 ,  정주혜 ,  윤두현 ,  박성하 ,  김병훈

IPC: G01N27/406 ,  G01N27/414 ,  G01N33/483

CPC classification number: G01N27/406 ,  G01N27/414 ,  G01N33/483

Abstract: 본 발명은 바이오 센서 및 그를 제조하는 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 바이오 센서는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 게이트; 상기 게이트 위에 형성된 게이트 절연 층; 상기 게이트 절연 층 위에 적층된 다수의 산화물 반도체 층; 및 상기 산화물 반도체 층 위에 형성된 소스 및 드레인;을 포함할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及生物传感器和生物传感器的制造方法。 根据本发明的实施例，生物传感器包括：基底; 形成在基板上的栅极; 形成在栅极上的栅极绝缘层; 堆叠在栅极绝缘层上的多个氧化物半导体层; 以及形成在氧化物半导体层上的源极和漏极。

公开(公告)号：KR102235595B1

公开(公告)日：2021-04-05

申请号：KR1020130079897

申请日：2013-07-08

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 최천기 ,  모연곤 ,  김현재 ,  임현수 ,  김시준 ,  정태수 ,  임유승

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

Abstract: 본발명의일 측면에따라주석전구체화합물, 안티몬전구체화합물및 용매를포함하는주석산화물반도체형성용조성물을제공한다. 본발명의다른일 측면에따라주석전구체화합물, 안티몬전구체화합물을용매에녹인조성물을제조하는단계; 상기조성물을기판에도포하는단계; 및상기조성물이도포된기판을열처리하는단계를포함하는주석산화물반도체박막의형성방법을제공한다.

公开(公告)号：KR102217043B1

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：KR1020180131335

申请日：2018-10-30

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  민원경 ,  정태수 ,  박성표 ,  김희준 ,  이진혁 ,  박경호

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

Abstract: 본발명은산화물박막트랜지스터및 그제조방법을개시한다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판, 상기기판상에형성된게이트전극, 상기게이트전극상에형성된게이트절연층, 상기게이트절연층상에형성된 p형산화물반도체박막, 상기 p형산화물반도체박막의상부에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극및 상기소스전극및 상기드레인전극이형성된상기 p형산화물반도체박막상에형성된패시베이션(passivation)층을포함하고, 상기 p형산화물반도체박막은제1 열처리를통하여활성화되며, 상기 p형산화물반도체박막은상기패시베이션층이형성된후 제2 열처리를통하여상기 p형산화물반도체박막의백 채널(back channel)이선택적으로산화됨으로써상변화되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR102205148B1

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：KR1020190010408

申请日：2019-01-28

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  나재원

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명은이중채널층을구비한박막트랜지스터및 그제조방법에관한것으로서, 일실시예에따른박막트랜지스터는기판과, 기판상에형성된게이트전극과, 게이트전극상에형성된게이트절연층과, 게이트절연층상에형성되고, 산화물반도체를포함하는제1 반도체층과, 제1 반도체층상에형성되고, 유기반도체및 유기절연물중 적어도하나와산화물반도체를포함하는제2 반도체층및 제2 반도체층상에서로이격되도록형성된소스전극및 드레인전극을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102199338B1

公开(公告)日：2021-01-06

申请号：KR1020190109685

申请日：2019-09-04

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  홍성환 ,  김형태 ,  정주성 ,  이이삭 ,  정수진

IPC: G09G3/3233 ,  H01L29/786

Abstract: 본실시예들은다결정실리콘트랜지스터와산화물트랜지스터를병렬연결하고, 다결정실리콘트랜지스터와산화물트랜지스터에동형외인성반도체를적용하여, 히스테리시스특성을보상하는디스플레이의구동트랜지스터를제공한다.