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公开(公告)号：KR1020150135583A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：KR1020140061476
申请日：2014-05-22
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L21/02603 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/56 , H01L29/0669
Abstract: 본발명은물결형상반도체나노와이어의제조방법및 이에의해제조된물결형상반도체나노와이어에관한것으로, 더욱상세하게는반도체의패턴을형성한후 식각하며, 식각된반도체기판의측면에고분자코팅을하여다시식각하는공정을반복적으로수행하여최종적으로는물결형상반도체나노와이어를제조하는물결형상반도체나노와이어의제조방법및 이에의해제조된물결형상반도체나노와이어에관한것이다. 본발명에따르면, 반도체기판상에서로이격하여형성되는물결형상의반도체나노와이어를형성하여광대역의파장에대하여공명현상이가능하며, 이러한현상을통해넓은파장의영역에대하여빛의흡수가가능하여물결형상의반도체나노와이어를이용하여태양전지, 광검출기및 나노안테나등에사용할경우, 광대역의파장을흡수할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种波导半导体纳米线的制造方法和由此制造的波浪状半导体纳米线，更具体地说，涉及一种波导半导体纳米线的制造方法，该方法重复地进行形成半导体图案，然后对其进行蚀刻的工艺， 并且在蚀刻的半导体衬底的侧面上涂覆聚合物以再次蚀刻该聚合物，以便最终产生波浪形半导体纳米线，以及由此制造的波形半导体纳米线。 根据本发明，通过形成在半导体衬底上彼此间隔开的波形半导体纳米线，可以通过形成宽波长区域中的光的吸收，从而可以通过这样的方式来吸收宽波长区域的波长 现象。 因此，当半导体纳米线用于太阳能电池，光电检测器，纳米天线等时，可以吸收宽带波长。
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公开(公告)号：KR101475757B1
公开(公告)日：2014-12-23
申请号：KR1020120128399
申请日：2012-11-13
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/1395 , C23C28/02 , H01M10/052 , H01M4/38
Abstract: 본기재는 (a) 실리콘기판위에금속막을형성하는단계; (b) 상기금속막이형성된실리콘기판을열처리하여, 실리콘박막이적층된금속막을얻는단계; 및 (c) 상기실리콘박막을식각액에담지하여실리콘나노와이어를형성하는단계를포함하는리튬이차전지용실리콘계음극의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及锂二次电池用硅基阳极的制造方法，该方法包括以下工序：（a）在硅基板上制造金属膜; （b）通过加热其上制造金属膜的硅基板获得层叠有硅膜的金属膜; 和（c）通过将硅膜浸入蚀刻溶液中制备硅纳米线。
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公开(公告)号：KR101389017B1
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020120113536
申请日：2012-10-12
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 기판 상에 용액 방식으로 CIGS 박막 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 CIGS 박막을 용액 방식으로 셀렌화하는 단계; 및 비활성기체 분위기 챔버에서 열처리하는 단계를 포함하는 CIGS 광흡수층 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101348547B1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020110120596
申请日：2011-11-18
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: C01G23/047 , C01D15/00 , H01M4/40
Abstract: (a) 리튬티탄산화물의 미세 분말을 제공하는 단계; 및 (b) 상기 미세 분말의 표면에 전도성 물질을 원자층 증착하여 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 표 코팅된 리튬티탄산화물 분말의 제조방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020130054700A
公开(公告)日：2013-05-27
申请号：KR1020110120242
申请日：2011-11-17
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/1395 , H01M10/05
Abstract: PURPOSE: A pours silicon structure is provided to have a hollow structure and high porosity, thereby releasing stress generated during charging and discharging and having high cycle performance and capacity. CONSTITUTION: A porous silicon structure(100) comprises a substrate(110); and an array(120) of silicon microspheres arranged on the substrate. The silicon microspheres have a hollow structure. A manufacturing method of the porous silicon structure comprises a step of forming a spherical polymer film by self-aligning the polymer microspheres; a step of forming a porous silicon membrane by coating the spherical polymer film with silicon; and a step of forming hollow silicon spheres(!25) by removing the polymer microspheres.
Abstract translation: 目的：提供硅结构以具有中空结构和高孔隙率，从而释放在充放电期间产生的应力并具有高循环性能和容量。 构造：多孔硅结构（100）包括衬底（110）; 以及布置在基底上的硅微球的阵列（120）。 硅微球具有中空结构。 多孔硅结构的制造方法包括通过使聚合物微球自对准而形成球形聚合物膜的步骤; 通过用硅涂覆球形聚合物膜形成多孔硅膜的步骤; 以及通过除去聚合物微球形成中空硅球（！25）的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101164113B1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：KR1020110029666
申请日：2011-03-31
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L31/02363
Abstract: PURPOSE: A method of forming a multi-diameter silicon wire structure is provided to form a silicon wire having a wide surface area and high efficiency through metal-assisted catalytic etching. CONSTITUTION: An etching mask is patterned on the surface of a silicon substrate. The surface of silicon substrate, on which the etching mask is patterned, is chemically etched. A silicon wire whose longitudinal diameter changes is formed by successively changing one of any processing condition selected from a group consisting of the composition of an etching solution, etching time, and the temperature of the etching solution. A metallic catalyst is deposited on the surface of the silicon substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种形成多直径硅线结构的方法，以通过金属辅助催化蚀刻形成具有宽表面积和高效率的硅线。 构成：在硅衬底的表面上刻蚀蚀刻掩模。 蚀刻掩模图案化的硅衬底的表面被化学蚀刻。 通过依次改变选自由蚀刻溶液的组成，蚀刻时间和蚀刻溶液的温度组成的组中的任何一种处理条件形成纵向直径变化的硅线。 金属催化剂沉积在硅衬底的表面上。
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公开(公告)号：KR101132273B1
公开(公告)日：2012-04-02
申请号：KR1020090131623
申请日：2009-12-28
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L51/42 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 하이브리드 태양전지 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 개시의 일 실시 예로서, 서로 대향하는 두 전극 사이에 N형 실리콘 계 나노 구조체 및 P형 유기반도체가 혼합된 층 또는 P형 실리콘 계 나노 구조체 및 N형 유기반도체가 혼합된 층을 적어도 한 층 이상 포함하고 있는 하이브리드 태양전지가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120015512A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020100077669
申请日：2010-08-12
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L31/02363
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon wire structure is provided to reduce a width of a silicon wire by forming a plurality of etch pits in a region of the same area. CONSTITUTION: A mask layer is patterned on a silicon wafer(S1). A part of the silicon wafer, which is not covered with the mask layer, is chemically etched with a metallic catalyst(S2). Residual metal is removed from the silicon wafer after chemical etching with the metallic catalyst(S3). The silicon wafer including an etch pit is formed by eliminating the mask layer(S4). A silicon wire array is formed by electrochemically etching silicon wafer including the etch pit(S5).
Abstract translation: 目的：提供一种制造硅线结构的方法，通过在相同区域的区域中形成多个蚀刻凹坑来减小硅线的宽度。 构成：在硅晶片上形成掩模层（S1）。 未被掩模层覆盖的硅晶片的一部分用金属催化剂进行化学蚀刻（S2）。 用金属催化剂进行化学蚀刻后，从硅晶片除去残余金属（S3）。 通过消除掩模层形成包括蚀刻坑的硅晶片（S4）。 通过电化学蚀刻包括蚀刻坑的硅晶片形成硅线阵列（S5）。
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公开(公告)号：KR1020110075233A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090131623
申请日：2009-12-28
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L51/42 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L31/072
Abstract: PURPOSE: A hybrid solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve low charge mobility and electrical conductivity of an organic semiconductor material by using an inorganic material. CONSTITUTION: A hybrid solar battery comprises a substrate(100), a transparent electrode(110), a buffer layer(120), a mixture layer(130A) including a silicon nano structure and an organic semiconductor, and an upper electrode(140). The transparent electrode is arranged on the substrate. The buffer layer can be formed on the transparent electrode(110). A mixed layer of an N type silicon-based nano structure and a P type organic semiconductor or a mixed layer of a P type silicon-based nano structure and an N type organic semiconductor is formed between the two facing electrodes.
Abstract translation: 目的：提供一种混合太阳能电池及其制造方法，以通过使用无机材料来改善有机半导体材料的低电荷迁移率和导电性。 构成：混合太阳能电池包括基板（100），透明电极（110），缓冲层（120），包括硅纳米结构和有机半导体的混合层（130A）和上电极（140） 。 透明电极配置在基板上。 缓冲层可以形成在透明电极（110）上。 在两个相对的电极之间形成N型硅基纳米结构和P型有机半导体的混合层或P型硅基纳米结构和N型有机半导体的混合层。
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公开(公告)号：KR101739347B1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：KR1020150057963
申请日：2015-04-24
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L29/7869 , C01B32/182 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/778 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은그래핀옥사이드(graphene oxide, GO) 및테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를포함하는혼합용액을제조하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된혼합용액을가열하는단계(단계 2);를포함하는질소가도핑된환원된그래핀옥사이드의제조방법를제공한다. 본발명에따른질소가도핑된환원된그래핀옥사이드의제조방법은질소도펀트로서테트라메틸암모늄하이드록사이드라는 4 차암모늄염을사용함으로써저온에서도충분한질소가도핑된환원된그래핀옥사이드를제조할수 있다. 또한, 그래핀옥사이드및 테트라메틸암모늄하이드록사이드의혼합비율을조절함으로써질소도핑레벨(doping level)을조절할수 있다. 나아가, 별도의첨가제를포함하지않고질소가도핑된환원된그래핀옥사이드를제조할수 있기때문에친환경적이고, 액상공정으로대량생산이가능하다.
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