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公开(公告)号：KR100617470B1
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020040045211
申请日：2004-06-18
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 탄소나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (e) 상기 금속막을 열처리한 후에 구형으로 변형하여 금속구를 형성하는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 탄소 나노튜브를 수직으로 배양시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
탄소 나노튜브, 원자간력, 현미경, 캔틸레버, 수직, 배양-
公开(公告)号：KR100603244B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020040059941
申请日：2004-07-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B9/14
Abstract: 본 발명은 탐침형 정보저장장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있는 휴대용 정보저장장치에 관한 것이다.
본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침 어레이, 신호처리부, 매체 및 구동기로 이루어진 탐침형 정보저장장치에 있어서, 상기 탐침 어레이와 신호처리부를 외부 케이스에 연결하기 위한 탐침부 스프링 및 상기 매체와 구동기를 외부 케이스에 연결하기 위한 구동부 스프링으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침부와 매체부 주위에 스프링을 부가함으로써, 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있어 휴대용 정보저장장치로의 사용이 가능하고, 종래의 질량 보상 방법에 비해 기록 면적을 높일 수 있는 장점이 있으며, 탐침부와 매체부 사이의 진동이 줄어들기 때문에 신호대 잡음비가 높아져 고속화 또는 대용량화가 가능한 효과가 있다.
탐침, 스프링, 저장, 매체, 구동-
公开(公告)号：KR1020060000815A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040049786
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
CPC classification number: G01Q60/38 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 금속점을 증착시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐 침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
양자점, 원자간력, 현미경, 캔틸레버-
公开(公告)号：KR100515735B1
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：KR1020030058707
申请日：2003-08-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: 본 발명은 수직 종횡비가 큰 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법에 관한 것으로, 지지부와, 상기 지지부로부터 연장되어 하부로부터 부상된 캔틸레버부와, 상기 캔틸레버부 선단의 탐침과, 상기 탐침 하부의 캔틸레버부에 형성된 채널과; 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 구성된 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터를 갖는 캔틸레버를 형성하는 단계와; 상기 전계 효과 트랜지스터를 갖는 캔틸레버를 카본을 포함하고 있는 챔버내에 삽입시킨 후, 상기 캔틸레버의 탐침에 전자빔을 조사하여 상기 탐침의 첨두에 카본팁을 형성하는 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 테라 비트급 탐침형 정보 저장기기에 적용할 수 있으며, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널(Short channel)효과의 발생을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 탐침의 수직 종횡비를 크게 하여, 단차가 아주 심한 기록 매체에서도 전하를 읽을 수가 있으므로, 정보의 센싱도를 향상시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020050011212A
公开(公告)日：2005-01-29
申请号：KR1020030050215
申请日：2003-07-22
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03767 , H01L31/02167 , H01L31/075 , H01L31/1864 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A solar cell and manufacturing method thereof are provided to prevent the degradation of properties in a thin film due to Staebler-Wronski effect by integrating a thin film heater in the solar cell. CONSTITUTION: A solar cell element region(50) is formed by depositing sequentially a first electrode, a P type semiconductor layer, an absorption layer, an N type semiconductor layer and a second electrode on a substrate. An insulating layer(16) is formed on the second electrode. A thin film heater pattern(17) is formed on the insulating layer. A protecting layer for protecting the thin film heater pattern from the outside is formed thereon.
Abstract translation: 目的：提供太阳能电池及其制造方法，以通过在太阳能电池中集成薄膜加热器来防止由于Staebler-Wronski效应引起的薄膜性能的劣化。 构成：通过在基板上依次沉积第一电极，P型半导体层，吸收层，N型半导体层和第二电极来形成太阳能电池元件区域（50）。 绝缘层（16）形成在第二电极上。 在绝缘层上形成薄膜加热器图案（17）。 在其上形成用于将薄膜加热器图案从外部保护的保护层。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160074181A
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020140183161
申请日：2014-12-18
Applicant: 전자부품연구원 , 전북대학교산학협력단
IPC: H01L21/033 , G02F1/1337 , G02F1/1343 , G03F7/20 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/0332 , G02F1/1337 , G02F1/1343 , G03F7/2063 , H01L21/3081
Abstract: 전기활성포토마스크가개시된다. 본발명의일실시예의포토마스크는, 하부기판; 상기하부기판과소정간격을두고대향하여배치되는상부기판; 상기하부기판과상부기판사이에채워지며, 복수의액정을포함하는액정층; 상기액정층과상기상부기판의계면에배치되는배향막; 상기배향막과상기상부기판의계면에배치되는제1전극; 및상기하부기판과상기액정층의계면에배치되는, 금속재질로서도트(dot) 형상의구조물을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种电活性光掩模。 根据本发明的实施例，光掩模包括：下基板; 上基板，以预定间隔设置成面对所述下基板; 插入在下基板和上基板之间并且包括多个液晶的液晶层; 配置在所述液晶层与所述上基板的界面的配置层; 设置在所述取向层和所述上基板之间的界面中的第一电极; 以及由金属材料制成并且设置在下基板和液晶层之间的界面中的点状结构。
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公开(公告)号：KR101551651B1
公开(公告)日：2015-09-08
申请号：KR1020140060293
申请日：2014-05-20
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01L51/56
Abstract: 나노 요철 구조가 형성된 기판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 기판이 개시된다. 본 발명의 방법은, 기판 상에 광산란 매질층을 형성하고, 상기 광산란 매질층 상에 금속 성분을 포함하는 금속 유기잉크로 이루어지는 금속 유기잉크층을 형성하고, 열처리에 의해 상기 금속 유기잉크층을 소결하여 금속 나노 마스크를 형성하고, 상기 광산란 매질층을 식각하여 나노 요철 구조를 형성하고, 상기 금속 나노 마스크를 식각하여 나노 요철 구조가 형성된 기판을 제조한다.
Abstract translation: 公开了一种制造其上形成有纳米不平坦结构的基板的方法和由此制造的基板。 本发明的方法包括以下步骤：在基片上形成光散射介质层; 在所述光散射介质层上形成由包含金属成分的金属有机油墨制成的金属有机油墨层; 通过热处理烧结金属有机油墨层来形成金属纳米掩模; 通过蚀刻光散射介质层形成纳米不均匀结构; 并通过蚀刻金属纳米掩模制造具有纳米不均匀结构的衬底。
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公开(公告)号：KR100928730B1
公开(公告)日：2009-11-27
申请号：KR1020070083492
申请日：2007-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: C03C17/30
Abstract: 본 발명은 폴리실라잔을 기판에 코팅한 후 경화반응에 의해 실리카 유리막을 형성하는 방법을 이용하는 것으로서, 특히 경화반응을 진행함에 있어서 상온에서 실행하되, 고온 경화의 효과를 얻을 수 있는 유리막 형성 방법에 관한 것으로 폴리실라잔의 경화 방법에 상압 플라즈마 경화 또는 가압 가습 경화 또는 스팀 경화를 적용한다.
실리카 코팅, 폴리실라잔, 경화, 플라즈마Abstract translation: 使用聚硅氮烷钝化表面的二氧化硅玻璃膜形成方法被设置为当在室温下固化时不会因杂质而变形并且形成具有高密度的玻璃膜。 用于钝化表面的玻璃膜形成方法包括以下步骤：将聚硅氮烷涂覆在基板上; 并通过使用大气压等离子体工艺来固化聚硅氮烷。 固化步骤的处理时间为10-20分钟。 固化步骤的加工温度为50〜120℃。 大气压等离子体处理的处理气体是氩气和氧气。
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公开(公告)号：KR100749872B1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：KR1020050115946
申请日：2005-11-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기존의 비정질, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 활성층에 채널영역은 마이크로 결정질 실리콘 박막을 적용하고, 채널영역의 상,하부에는 비정질 실리콘 박막을 적용한 3중 구조로 된 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 투명한 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트; 상기 게이트를 덮고 있는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 비정질 실리콘 박막/마이크로 결정질 실리콘 박막/비정질 실리콘 박막의 3중 구조로 된 실리콘 박막을 포함하는 박막 트랜지스터로 이루어짐에 기술적인 특징이 있다.
따라서, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터나 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 단점을 최소화하면서, 간단한 공정으로 마이크로결정질 실리콘 박막 트랜지스터를 제작할 수 있고, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 이동도 특성은 향상되고, 누설전류 특성의 저하 없이 우수한 소자를 제작할 수 있으므로,능동형 액정 디스플레이(AM-LCD)나 능동형 유기 디스플레이(AM-OLED) 등의 구동소자를 간단한 공정으로 우수한 특성을 갖도록 제작함으로써 생산 단가의 감소 및 제품 특성이 향상되는 효과가 있다.
마이크로 결정질 박막, 박막 트랜지스터, 3중 구조 트랜지스터
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