公开(公告)号：KR100497409B1

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：KR1020020078420

申请日：2002-12-10

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 탈이온수에 분산된 연마제, 제 1 산화제, 제 2 산화제, 금속-킬레이트 착물, 및 pH 조절제를 포함하는 금속배선층 연마용 CMP 슬러리 조성물로서, 상기 연마제가 1차 입자의 비표면적이 90㎡/g 내지 300㎡/g인 발연 실리카 또는 지르코니아 미분말인 것을 특징으로 하는 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속배선층의 연마속도가 높고 연마속도 선택비가 우수하며 장기보관에 따른 연마속도 저하에 대한 우려가 없으므로, 반도체 공정에서 요구되는 연마속도를 안정적으로 얻을 수 있게 해준다.

公开(公告)号：KR1020050032787A

公开(公告)日：2005-04-08

申请号：KR1020030068745

申请日：2003-10-02

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 강동헌 ,  이재석 ,  김원래 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: Provided is a slurry composition for chemical mechanical polishing of metals, which shows high polishing rate without using an excessive amount of oxidant, reduces defects after polishing, and has improved dispersion stability, shelf stability and polishing reproducibility. The slurry composition for chemical mechanical polishing of metals comprises a metal oxide as polishing agent, a peroxide compound, inorganic acid and an organic acid having at least one carboxy group as oxidants, and deionized water. Particularly, the metal oxide is silica, alumina, ceria, titania or a mixture thereof, the peroxide is benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide, sodium peroxide or a mixture thereof, the inorganic acid is nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid or a mixture thereof, and the organic acid is acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, maleic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid, or tartaric acid.

Abstract translation: 提供了一种用于金属化学机械抛光的浆料组合物，其在不使用过量氧化剂的情况下显示高抛光速率，减少了抛光后的缺陷，并且具有改善的分散稳定性，储存稳定性和抛光再现性。 用于金属化学机械抛光的浆料组合物包括作为抛光剂的金属氧化物，具有至少一个羧基作为氧化剂的过氧化物化合物，无机酸和有机酸以及去离子水。 特别地，金属氧化物是二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，二氧化钛或其混合物，过氧化物是过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡，过氧化钠或其混合物，无机酸是硝酸，硫酸，盐酸， 磷酸或其混合物，有机酸为乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，马来酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸或酒石酸。

公开(公告)号：KR1020050030431A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：KR1020030066879

申请日：2003-09-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  강동헌 ,  라정인 ,  이인경 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/24 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: Provided is a slurry composition for polishing a metal wire which is improved in the selectivity of polishing velocity to an insulating layer. The slurry composition comprises 1-25 wt% of a metal oxide fine powder; 0.1-10 wt% of a peroxide; 0.001-0.05 wt% of an inorganic acid; 0.01-10 wt% of a carboxylic acid; 0.01-1.0 wt% of a metal complex; 0.001-2.0 wt% of methyltrichlorosilane and/or trichloronitromethane; and the balance of deionized water. Preferably the metal oxide fine powder is silica, alumina, ceria, titania or their mixture; the peroxide is at least one selected from the group consisting of hydrogen peroxide, benzoyl peroxide, calcium peroxide, barium peroxide and sodium peroxide; the inorganic acid is at least one selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid and phosphoric acid; the carboxylic acid is at least one selected from the group consisting of acetic acid, citric acid, glutaric acid, glycolic acid, formic acid, lactic acid, malic acid, oxalic acid, phthalic acid, succinic acid and tartaric acid; and the metal complex is PDTA-Fe, EDTA-Fe, PDTA-Fe or EDTA-Mn.

Abstract translation: 提供一种用于抛光金属丝的浆料组合物，其提高了抛光速度对绝缘层的选择性。 浆料组合物包含1-25重量％的金属氧化物细粉末; 0.1-10重量％的过氧化物; 0.001-0.05重量％的无机酸; 0.01-10重量％的羧酸; 0.01-1.0重量％的金属络合物; 0.001-2.0重量％的甲基三氯硅烷和/或三氯硝基甲烷; 和去离子水的平衡。 优选地，金属氧化物细粉是二氧化硅，氧化铝，二氧化铈，二氧化钛或它们的混合物; 过氧化物是选自过氧化氢，过氧化苯甲酰，过氧化钙，过氧化钡和过氧化钠中的至少一种; 无机酸是选自硝酸，硫酸，盐酸和磷酸中的至少一种; 羧酸是选自乙酸，柠檬酸，戊二酸，乙醇酸，甲酸，乳酸，苹果酸，草酸，邻苯二甲酸，琥珀酸和酒石酸中的至少一种; 金属络合物为PDTA-Fe，EDTA-Fe，PDTA-Fe或EDTA-Mn。

公开(公告)号：KR100449614B1

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：KR1020010087485

申请日：2001-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  이재석 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 반도체 디바이스(device) 제조시 웨이퍼의 평탄화를 목적으로 하는 CMP(Chemical Mechanical Polishing/Planarization) 공정에 사용되는 연마용 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물 미분말, 요오드가 방향족 고리에 치환된 구조의 화합물, 과산화수소, 인계 화합물, 폴리아크릴산, 질산 및 탈이온수를 포함하는, 침식(erosion) 현상이 개선된 금속배선 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이며, 본 발명의 연마용 슬러리 조성물을 사용하면 높은 연마속도와 우수한 연마균일도를 달성할 수 있고, 분산안정성이 높아 장기 보관이 용이하며, 특히 연마시 발생하는 침식 문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR100442549B1

公开(公告)日：2004-07-30

申请号：KR1020020063159

申请日：2002-10-16

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  도원중 ,  정재훈 ,  노현수 ,  박태원 ,  이인경 ,  이길성

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 연마성능이 우수하고 안정성이 향상된, 금속 연마를 위한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물, 과산화수소, 철화합물, 이미다졸계 화합물, 및 탈이온수를 포함하고 pH가 2 내지 4인, 금속 연마를 위한 CMP용 슬러리 조성물로서, 연마성능이 우수하고, 화학적 및 분산 안정성이 우수한 슬러리 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 비교적 소량의 산화제를 사용하면서도 우수한 연마성능을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 및 분산 안정성이 현저히 향상되어 조성물의 저장 안정성이 매우 우수한, 금속연마를 위한 CMP용 조성물을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030057068A

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020010087440

申请日：2001-12-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for polishing metal lines in CMP(Chemical Mechanical Polishing) process is provided to solve the problem of erosion and dishing occurring in the polishing process. CONSTITUTION: The slurry composition for polishing metal lines is characterized by comprising a metal oxide powder, a silver compound, polyacrylic acid, nitric acid, aqueous ammonia and deionized water. In particular, the slurry composition comprises 0.5 to 10 wt% of the metal oxide powder, 0.1 to 1.0 wt% of the silver compound, 0.005 to 0.2 wt% of the polyacrylic acid, 0.0001 to 0.1 wt% of nitric acid, 0.0001 to 0.01 wt% of aqueous ammonia and the balance of deionized water.

Abstract translation: 目的：提供一种用于在CMP（化学机械抛光）工艺中抛光金属线的浆料组合物，以解决在抛光过程中发生的侵蚀和凹陷的问题。 构成：用于抛光金属线的浆料组合物的特征在于包含金属氧化物粉末，银化合物，聚丙烯酸，硝酸，氨水和去离子水。 特别是，浆料组合物含有0.5〜10重量％的金属氧化物粉末，0.1〜1.0重量％的银化合物，0.005〜0.2重量％的聚丙烯酸，0.0001〜0.1重量％的硝酸，0.0001〜0.01 重量％的氨水和余量的去离子水。

公开(公告)号：KR1020030041644A

公开(公告)日：2003-05-27

申请号：KR1020010072563

申请日：2001-11-21

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이재석 ,  김원래 ,  도원중 ,  노현수 ,  이길성 ,  이종원 ,  윤보언 ,  하상록

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A slurry composition for polishing a metal line of a semiconductor wafer is provided to maintain constantly the oxidizing power of the slurry and obtain the uniform polishing speed by adding phosphoric compound for lowering the resolution of hydrogen peroxide to the slurry composition. CONSTITUTION: A slurry composition for polishing a metal line includes deionized water, metal oxide powders, iodic compound, hydrogen peroxide, phosphoric compound, and pH control agent. The metal oxide is selected from a group including silica, alumina, zirconia, and ceria. The iodic compound is selected from a group including iodobenzene diacetate, iodoacetic acid, and iodoethane. The phosphoric compound is formed with trimethyl phosphite or triethyl phosphite or the mixture of trimethyl phosphite and triethyl phosphite.

Abstract translation: 目的：提供一种用于抛光半导体晶片的金属线的浆料组合物，以保持浆料的氧化能力，并通过向浆料组合物中添加用于降低过氧化氢分辨率的磷化合物，获得均匀的抛光速度。 构成：用于抛光金属线的浆料组合物包括去离子水，金属氧化物粉末，碘化合物，过氧化氢，磷化合物和pH控制剂。 金属氧化物选自二氧化硅，氧化铝，氧化锆，二氧化铈等。 碘化合物选自二苯乙酸碘苯，碘乙酸和碘乙烷组。 磷酸化合物由亚磷酸三甲酯或亚磷酸三乙酯或亚磷酸三甲酯和亚磷酸三乙酯的混合物形成。

公开(公告)号：KR101340550B1

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：KR1020100140038

申请日：2010-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노종일 ,  전종선 ,  홍창기 ,  박용순 ,  김원래 ,  김동진

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 0.01~20.0중량%의 연마제; 0.01~10.0중량%의 산화제; 0.001~10.0중량%의 부식억제제; 0.1~10.0중량% 첨가되고 두 종류의 디카르복시산들을 혼합한 착화제; 및 50~99중량%의 탈이온수를 포함하는 화학기계적연마 조성물 및 이를 이용한 화학기계적연마 방법을 제시한다.

公开(公告)号：KR101279964B1

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020080135814

申请日：2008-12-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  노종일 ,  츄호머 ,  이태영 ,  최병호 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 부식 억제제, 및 유기산을 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 부식 억제제로 암모니아, 알킬 아민류, 아미노산류, 이민류, 및 아졸류로 이루어진 그룹에서 선택되는 2종 이상의 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 구리 배선에 대하여 높은 연마 속도를 나타낼 뿐만 아니라, 낮은 에칭 속도에 의하여 피연마물 표면에서의 디싱(dishing) 현상이 감소되므로, 구리 배선 연마 공정에 유용하다.
구리, 연마, CMP, 슬러리, 부식 억제제, 연마 속도, 에칭 속도, 디싱 현상

Abstract translation: 本发明涉及用于铜布线抛光CMP浆料组合物，更具体地，在CMP浆料组合物，包括去离子水，研磨剂，氧化剂，腐蚀抑制剂，和有机酸，氨，烷基胺，在所述腐蚀抑制剂的酸的氨基酸， 本发明涉及一种迁移流动，并且唑基2铜布线抛光其包括使用从包括选择的至少一种化合物的CMP浆料组合物。

公开(公告)号：KR1020100077701A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080135723

申请日：2008-12-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노종일 ,  츄호머 ,  김원래 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to have high polishing speed of a copper wiring, to obtain excellent polishing uniformity, and to be used for a polishing process of the copper wiring. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition for polishing a copper wiring includes ultrapure water, an abrasive, an oxidizing agent, a corrosion inhibitor, an organic acid, and an additive. An anionic surfactant is used as the additive in an amount of 10-400 ppm based on the total slurry composition. The anionic surfactant is selected from a group comprising sulfonates, sulfonate esters, phosphate esters, and carboxylates.

Abstract translation: 目的：提供化学机械抛光浆料组合物以具有高的抛光速度的铜布线，以获得优异的抛光均匀性，并用于铜布线的抛光工艺。 构成：用于抛光铜布线的化学机械抛光浆料组合物包括超纯水，研磨剂，氧化剂，防腐剂，有机酸和添加剂。 使用阴离子表面活性剂作为添加剂，其量为10-400ppm，基于总淤浆组成。 阴离子表面活性剂选自包括磺酸盐，磺酸酯，磷酸酯和羧酸盐的组。