公开(公告)号：KR101549722B1

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：KR1020120072227

申请日：2012-07-03

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 우창수 ,  전환승 ,  최승집

IPC: C08G77/04 ,  C08G77/24 ,  C08L83/04 ,  G02B1/10

Abstract: 본발명은광경화조성물, 상기조성물로형성된보호층및 상기보호층을포함하는광학부재에관한것이다. 보다상세하게는, 본발명은할로겐과 (메타)아크릴레이트기를포함하는실리콘화합물과광중합개시제를포함하는광경화조성물, 상기조성물로형성된보호층, 및상기보호층을포함하는광학부재에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020140076427A

公开(公告)日：2014-06-20

申请号：KR1020120144913

申请日：2012-12-12

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 우창수 ,  장승우 ,  전환승 ,  최승집

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H01L51/50

CPC classification number: G03F7/0755 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/027 ,  G03F7/0751 ,  H01L51/5253 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/11 ,  H01L51/50

Abstract: The present invention relates to a photocurable composition including a silicone compound with an amide group (A) represented by the following formula 1, a barrier layer including the same, a barrier stack including the same, an encapsulated device including the same, and an encapsulation method using the same.

Abstract translation: 本发明涉及一种光固化性组合物，其包含具有由下式1表示的酰胺基（A）的硅氧烷化合物，包含该硅氧烷化合物的阻挡层，包含该硅氧烷化合物的阻隔层，包含该阻挡层的封装装置， 方法使用相同。

公开(公告)号：KR1020140065952A

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：KR1020120133067

申请日：2012-11-22

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 우창수 ,  고상란 ,  김우한 ,  김하늘 ,  안치원 ,  이은선

IPC: C08L83/04 ,  C08L83/05 ,  C08K9/06 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: The present invention relates to an encapsulation material comprising: a filler having a surface treated by a silane coupling agent having at least one fluorine; a first polysiloxane having a silicon-bonded hydrogen at the terminal end (Si-H); and an encapsulation material including a second polysiloxane having a silicon-bonded alkenyl group at the terminal end (Si-Vi) and an electronic device comprising the encapsulation material.

Abstract translation: 本发明涉及一种包封材料，其包括：具有通过具有至少一个氟的硅烷偶联剂处理的表面的填料; 在末端具有与硅键合的氢的第一聚硅氧烷（Si-H）; 以及包含在末端具有与硅键合的烯基的第二聚硅氧烷（Si-Vi）的封装材料和包含该封装材料的电子器件。

公开(公告)号：KR101400182B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020090136178

申请日：2009-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  우창수 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 본 발명의 일 구현예에 따른 포토레지스트 하층막용 조성물은(A) 하기 화학식 1로 표시되는 폴리실록산 수지, 및 (B) 용매를 포함한다.
[화학식 1]
{(SiO
1.5 Y-SiO
1.5 )
x (SiO
2 )
y (XSiO
1.5 )
z }(OH)
e (OR
1 )
f
따라서, 우수한 보관 안정성 및 내에치성(etch resistance)을 가질 수 있고, 표면 물성의 조절이 용이할 수 있으며, 포토레지스트 패턴의 안정적인 형성을 가능하게 한다.
하층막, 포토레지스트, 실리콘, 폴리실록산

公开(公告)号：KR101266291B1

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：KR1020080137227

申请日：2008-12-30

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 조현모 ,  김상균 ,  우창수 ,  김미영 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

Abstract: 이로써, 본발명은굴절률과흡광도를용이하게조절하여, 반사방지특성이우수한레지스트하층막을제공할수 있는레지스트하층막용조성물, 이를이용한반도체집적회로디바이스의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR1020110079609A

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：KR1020117003554

申请日：2008-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이성재 ,  김희재 ,  김태호 ,  윤상근 ,  우창수

IPC: C08G77/04 ,  C08L83/04 ,  H01L27/00

CPC classification number: C08G77/04 ,  Y10T428/31663

Abstract: PURPOSE: A compound for filling micro-gap in a semiconductor device, a composition comprising the compound and a process for fabricating a semiconductor capacitor are provided to ensure excellent storage stability since the development rate and molecular weight is not changed according to keeping days. CONSTITUTION: A compound for filling micro-gap in a semiconductor device comprises (a) hydrolyzates prepared by the hydrolysis of compounds represented by formula 1:[RO]3Si-[CH2]nR', formula 2: HOOC[CH2]R2Si-O-SiR'2[CH2]COOH and formula 3: R3Si-O-X in the presence of an acid catalyst or (b) a poly condensate prepared by polycondensation of the hydrolysates, wherein n is from 0 to 10; R and R' are independently a hydrogen atom, a C1-C12 alkyl group or a C6-C20 aryl group; and X is R' or SiR'.

Abstract translation: 目的：提供一种用于填充半导体器件中的微间隙的化合物，包含该化合物的组合物和用于制造半导体电容器的方法，以确保优异的储存稳定性，因为显影速率和分子量根据保持天数不改变。 构成：用于填充半导体器件中的微间隙的化合物包括（a）通过水解由式1表示的化合物制备的水解产物：[RO] 3Si- [CH 2] n R'，式2：HOOC [CH 2] R 2 Si-O -SiR'2 [CH2] COOH和式3：R3Si-OX在酸催化剂存在下反应，或（b）通过水解产物缩聚制备的聚缩合物，其中n为0至10; R和R'独立地是氢原子，C 1 -C 12烷基或C 6 -C 20芳基; X是R'或SiR'。

公开(公告)号：KR1020100078853A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080137227

申请日：2008-12-30

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 조현모 ,  김상균 ,  우창수 ,  김미영 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  이우진 ,  김종섭

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0754

Abstract: PURPOSE: A resist under-layer composition, and a manufacturing method of a semiconductor integrated circuit device using thereof are provided to offer a resist under-layer with the excellent anti-reflection property by easily control the absorbance and the refractive index of the composition. CONSTITUTION: A resist under-layer composition contains the following: more than one compound selected from the group containing compounds marked with [R1]3Si-[Ph1]l-Si[R2]3 and [R1]3Si-[Ph1]m-Ph2; an organic silane polycondensate selected from the group containing compounds marked with [R1]3Si-(CH2)n-R3, [R1]3Si-R4, and [R1]3Si-X-Si[R1]3; and a solvent. In the chemical formulas, Ph1 and Ph2 area substituted or non-substituted phenylene group, respectively. R1 and R2 are selected from the group consisting of a halogen group, an alkoxy group, a carboxy group, and others, respectively. R3 is a substituted or non-substituted aryl group with the carbon number of 6~12.

Abstract translation: 目的：抗蚀剂层下组合物及其使用的半导体集成电路器件的制造方法，通过容易地控制组合物的吸光度和折射率，提供具有优异的抗反射性的抗蚀剂底层。 抗蚀剂底层组合物包含以下：多于一种选自含有[R 1] 3 Si- [Ph 1] Si [R 2] 3和[R 1] 3 Si- [Ph 1] m - PH2; 选自由[R1] 3Si-（CH2）n-R3，[R1] 3Si-R4和[R1] 3Si-X-Si [R1] 3标记的含有化合物的组的有机硅烷缩聚物; 和溶剂。 在化学式中，Ph1和Ph2分别取代或未取代的亚苯基。 R1和R2分别选自卤素基，烷氧基，羧基等。 R3是碳数为6〜12的取代或未取代的芳基。

公开(公告)号：KR101676520B1

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：KR1020130127349

申请日：2013-10-24

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 장승우 ,  문형랑 ,  우창수 ,  이우진 ,  전환승 ,  한동일

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/08 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G77/08 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/20 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C08L83/06 ,  H01L51/5256

Abstract: 본발명은 (A) 불포화기함유오르가노폴리실록산, (B) 화학식 1의불포화기및 에폭시기함유오르가노폴리실록산, (C) Si-H기함유오르가노실리콘화합물, 및 (D) 화학식 15의백금촉매를포함하는유기발광소자봉지용조성물, 및이를사용하여제조된유기발광소자표시장치에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于密封有机发光二极管的组合物，其包含：（A）含有不饱和基团的有机聚硅氧烷; （B）含有化学式1的不饱和基团和环氧基的有机聚硅氧烷; （C）含有Si-H基的有机硅化合物; 和（D）化学式15的铂催化剂和使用其制造的有机发光二极管显示装置。

公开(公告)号：KR101609410B1

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：KR1020120150061

申请日：2012-12-20

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이지연 ,  권지혜 ,  우창수 ,  이연수 ,  이창민 ,  하경진

IPC: C08F283/12 ,  C08F299/08 ,  C08L51/06 ,  H01L23/29

Abstract: 본발명은 (A)광경화성모노머및 (B)화학식 1의실리콘포함광경화성모노머를포함하는광경화조성물, 이를포함하는장벽층및 이를포함하는봉지화된장치에관한것이다.

公开(公告)号：KR101534334B1

公开(公告)日：2015-07-06

申请号：KR1020120113152

申请日：2012-10-11

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 남성룡 ,  이창민 ,  최승집 ,  권지혜 ,  우창수 ,  이연수 ,  하경진

IPC: C08F30/08 ,  C08L43/04 ,  H01L23/29 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5253 ,  G03F7/027 ,  G03F7/0755 ,  Y10T428/239

Abstract: 본발명은광경화조성물및 상기조성물로형성된보호층을포함하는장치에관한것이다. 보다상세하게는, 본발명은 (A)광경화성모노머, (B)실리콘포함모노머및 (C)광중합개시제를포함하고, 상기 (B)실리콘포함모노머는하기화학식 1의구조를갖는광경화조성물및 상기조성물로형성된보호층을포함하는장치에관한것이다.