Abstract:
PURPOSE: A composition for forming a silica layer is provided to remarkably reduce defects and form a silica layer with improved insulation and gap-fill properties. CONSTITUTION: A composition for forming a silica layer comprises one selected from hydrogenated polysilazane, hydrogenated polysiloxazane, and combinations thereof. The concentration of the hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane more than an average molecular weight of polystyrene of 50,000 is 0.1% or less. The number of particulates of the composition in the solution is 0-100 /cc. The weight average molecular weight of the hydrogenated polysilazane and hydrogenated polysiloxazane is 1,000-10,000. The total contents of the hydrogenated polysilazane and the hydrogenated polysiloxazane is 0.1-50 weight%.
Abstract:
하기화학식 1로표현되는적어도 1종의제1 실록산화합물, 말단에규소결합된수소(Si-H)를가지는적어도 1종의제2 실록산화합물, 그리고말단에규소결합된알케닐기(Si-Vi)를가지는적어도 1종의제3 실록산화합물을포함하는광학기기용경화형폴리실록산조성물, 상기광학기기용경화형폴리실록산조성물을경화하여얻은봉지재및 상기봉지재를포함하는광학기기에관한것이다. [화학식 1] (RRRSiO)(RRSiO)(L-O)(L-O)(RRSiO)(L-O-L-O)(RSiO-Y-SiOR)(RRSi-Y)(RSiO)(RSiO)(SiO-Y-SiO)(SiO)상기화학식 1에서, R 내지 R, Y내지 Y, M1, D1 내지 D7, T1 내지 T3 및 Q1은명세서에서정의한바와같다.
Abstract:
The present invention relates to an encapsulation composite, an encapsulation material, and an electronic device, and more specifically, to an encapsulation composite, an encapsulation material obtained by hardening the encapsulation composite, and an electronic device including the same, wherein the encapsulation composite includes a first siloxane compound with a plurality of Si-O-X bonds (X has Al, Zn, Mg, or Be). The plurality of Si-O-X bonds are repetitively arranged in the structure of the first siloxane compound. The first siloxane compound includes an alkenyl group (Si-Vi).
Abstract:
하기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 갖는 수소화 폴리실록사잔을 포함하고, 염소 농도 1ppm 이하인 실리카계 절연층 형성용 조성물이 제공된다.
상기 화학식 1 및 2에서, R 1 내지 R 7 은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고, R 1 내지 R 7 중 적어도 하나는 수소이다.
Abstract:
구조 중에 하기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 가지고 말단부에 하기 화학식 3으로 표현되는 부분을 가지는 수소화폴리실록사잔을 포함하고, 상기 수소화폴리실록사잔은 산소함유량이 0.2 내지 3 중량%이며, 하기 화학식 3으로 표현되는 부분은 구조 중의 Si-H 결합의 총 함량에 대하여 15 내지 35%로 포함되어 있는 갭필용 충전제 및 이를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법에 관한 것이다. 충전제, 수소화폴리실록사잔, 산소, 충전성, 평탄성
Abstract:
PURPOSE: A filler for filling a gap and a method for manufacturing a semiconductor capacitor using the same are provided to fill a fine gap without air voids. CONSTITUTION: A mold oxide film(3) with a gap is formed on a semiconductor substrate(1). A conductive layer is formed on the semiconductor substrate and the mold oxide film. A filler is applied on the gap and the conductive layer to form a filing layer. The mold oxide film and a charging pattern are eliminated. A dielectric layer is formed on a first electrode. A second electrode is formed on the dielectric layer.
Abstract:
(A) 적어도 하나의 말단에 하기 화학식 1로 표시되는 관능기를 포함하는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 감광성 디아조퀴아논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 그리고 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자가 제공된다. [화학식 1]
Abstract:
The present invention relates to an encapsulant composition comprising: an adhesion accelerator which is represented by chemical formula 1 and has an epoxy group of 2.0-5.0 mmol/g; at least one first polysiloxane which has a silicone bonding hydrogen (Si-H) at an end; and at least one second polysiloxane which has a silicone bonding alkenyl group (Si-Vi) at an end, to an encapsulant obtained by hardening the encapsulant composition and to an electronic device including the encapsulant. Chemical formula 1 is as follows: (R^1R^2R^3SiO_1/2)_M1(R^4R^5SiO_2/2)_D1(R^6SiO_3/2)_T1(R^7SiO_3/2)_T2(SiO_4/2)_Q1. In chemical formula 1, R^1 through R^7, M1, D1, T1, T2 and Q1 are the same as defined in the specification.