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公开(公告)号：KR1020170078373A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020150188828
申请日：2015-12-29
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단
Abstract: 게이트전극, 소스전극및 드레인전극을각각갖는 6개의박막트랜지스터로구성되는정적램코어셀이고, 정적램코어셀은비트라인과워드라인에각각연결되어데이터의기록및 독출을선택하는 2개의스위칭용박막트랜지스터; 및전원전압(Vdd) 또는접지전압(Vss)에연결되어데이터가기록및 독출되는 4개의데이터저장용박막트랜지스터를포함하고, 정적램코어셀은 6개의박막트랜지스터중에서선택된 2개의박막트랜지스터를포함하는제1 트랜지스터층; 제1 트랜지스터층상에위치하고, 나머지 4개의박막트랜지스터중에서선택된 2개의박막트랜지스터를포함하는제2 트랜지스터층; 및제2 트랜지스터층상에위치하고, 나머지 2개의박막트랜지스터를포함하는제3 트랜지스터층;을포함하고, 제1 트랜지스터층의 1종이상의전극과제2 트랜지스터층의 1종이상의전극이전기적연결되고, 제2 트랜지스터층의 1종이상의전극과제3 트랜지스터층의 1종이상의전극이전기적연결된것인수직적층구조의 3차원정적램코어셀이제공된다. 이에의하여, 본발명의수직적층구조의 3차원정적램코어셀은동일한평면상에동일한타입의유기트랜지스터를배치하여수직으로적층시킴으로써메모리소자제조시상이한타입의유기트랜지스터를형성하기위한복잡한패터닝공정을생략하고, 메모리소자가차지하는면적을줄여반도체회로의집적도를향상시킬수 있다.
Abstract translation: 包括每一个都具有栅极电极，源极电极和分别漏电极，SRAM核心单元为被连接到所述位线和字线上的两个开关选择记录和读取数据6个薄膜晶体管的SRAM核心单元 薄膜晶体管; 并且被连接到电源电压（Vdd）或接地电压（VSS）的数据包括要被写入的四个数据存储薄膜晶体管和读出，从六个TFT选自包括两个薄膜晶体管的SRAM核心单元 第一晶体管层; 第二晶体管层，位于所述第一晶体管层上并且包括从剩余的四个薄膜晶体管中选择的两个薄膜晶体管; Mitje第二晶体管位于该层上，包括另外两个薄膜晶体管的第三晶体管层包括，并且在第一晶体管层的第一纸张并电连接到第二晶体管的电极分配第二晶体管层中的所述一个部件上的电极 提供垂直层结构的三维静态柱塞芯单元，其中三晶体管层的一个或多个纸层上的电极电连接。 以这种方式，本发明的垂直层结构的三维SRAM核心单元是用于通过将相同类型的有机晶体管中垂直堆叠在同一平面制造存储元件形成的不同类型的有机晶体管的复合构图步骤 存储元件占据的面积可以减小，并且可以提高半导体电路的集成度。
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公开(公告)号：KR101590725B1
公开(公告)日：2016-02-02
申请号：KR1020140137526
申请日：2014-10-13
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: G11C13/02 , G06F3/061 , G11C13/0069
Abstract: 멀티레벨상 변화메모리의데이터코딩방법및 장치가개시된다. 멀티레벨상 변화메모리의데이터코딩방법은, 상변화메모리(PCM, Phase Change Memory)에대한데이터코딩장치가수행하는방법에있어서, 대상메모리셀(memory cell) 및대상메모리셀에인접한메모리셀들로구성된셀 그룹(cell group)을정의하는단계와, 참조메모리셀(reference memory cell)의저항값 레벨을이용하여셀 그룹내의메모리셀들의저항값 레벨을결정하는단계와, 결정된메모리셀들의저항값 레벨의분포가미리정의된규칙에부합하는지여부를판단하는단계를포함하되, 미리정의된규칙은, 셀그룹내에특정한저항값 레벨을갖는메모리셀을일정한개수들로한정하여모듈로연산(modulo operation)을이용하여판단이가능할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于对多级相变存储器的数据进行编码的方法和装置。 用于编码相变存储器（PCM）的数据编码的装置执行的多级相变存储器的数据编码方法包括以下步骤：定义由目标存储单元和存储器组成的单元组 邻近目标存储单元的单元; 通过使用参考存储单元的电阻值电平来确定单元组中的存储单元的电阻值电平; 以及确定参考存储器单元的确定的电阻值电平的分布是否与预定义规则一致。 可以通过将单元组中具有特定电阻值电平的存储单元的数量限制为预定数量来使用模运算来确定预定义规则。 本发明是为了在短时间内校正由漂移电阻引起的误差。
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公开(公告)号：KR102218740B1
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：KR1020180058581
申请日：2018-05-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명에따른트랜스포즈가가능한가중치셀은입력라인및 제 1 그룹의워드라인에접속된제 1 선택트랜지스터, 출력라인및 제 2 그룹의워드라인에접속된제 2 선택트랜지스터및 상기제 1 및제 2 선택트랜지스터와접속된시냅스가중치소자를포함하되, 상기입력라인과상기출력라인은서로수직하도록배치되고, 상기제 1 그룹의워드라인은상기입력라인에수직하도록배치되고, 상기제 2 그룹의워드라인은상기출력라인에서로수직하도록배치된다.
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公开(公告)号：KR102170279B1
公开(公告)日：2020-10-26
申请号：KR1020160148589
申请日：2016-11-09
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G06F7/58
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102168882B1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：KR1020180075548
申请日：2018-06-29
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
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公开(公告)号：KR102105936B1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：KR1020180072808
申请日：2018-06-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G11C13/00
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公开(公告)号：KR101698508B1
公开(公告)日：2017-01-20
申请号：KR1020150154634
申请日：2015-11-04
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 특정세포를감별하고그 개체수를세는센서기술에관한것으로서, 세포감별계수기는센서몸체와센서부를포함한다. 센서몸체는미세유체채널을가지며, 센서부는센서몸체에서미세유체채널과교차하도록형성된금속선과, 금속선을덮는절연막과, 금속선에교류전류를인가하는교류전원과, 금속선에연결된교류전압측정기를포함한다. 미세유체채널에금속나노입자들이부착된감지대상세포를포함하는액체시료가흐를때, 센서부는액체시료의열적특성변화를감지하여감지대상세포를감별및 계수한다.
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公开(公告)号：KR1020160038269A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020140130808
申请日：2014-09-30
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1657 , H01L43/08
Abstract: 스핀전달토크메모리가개시된다. 하나의자유층과두 개의고정층을가지는세 단자자기터널접합소자; 상기두 개의고정층에각각연결되는두 개의정류소자; 및상기세 단자자기터널접합소자의자유층-제1 고정층경로와상기세 단자자기터널접합소자의자유층-제2 고정층경로사이의저항값차이를검출하여데이터를독출하는감지증폭기를구성한다. 따라서, 세단자자기터널접합소자를이용하기때문에데이터를독출하는과정에서발생하였던비대칭문제를해결할수 있고, 보다빠른독출및 기록동작을가능하게할 수있다.
Abstract translation: 公开了一种自旋转移力矩存储器。 自旋转移转矩存储器包括：具有一个自由层和两个固定层的三端磁隧道结元件; 两个整流元件分别连接到两个固定层; 以及检测放大器，用于通过检测三端磁隧道结元件的自由层 - 第一固定层路径与三端磁隧道结元件的自由层 - 第二固定层路径之间的电阻值差来读取数据 。 因此，可以通过使用三端磁隧道结元件来解决数据读取处理中产生的不对称问题，并且可以更快地执行读取和记录操作。
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公开(公告)号：KR102118204B1
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：KR1020190064023
申请日：2019-05-30
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G06F7/58
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