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公开(公告)号：KR100848813B1
公开(公告)日：2008-07-28
申请号：KR1020070041249
申请日：2007-04-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L41/107 , H01L29/72 , B82Y15/00
CPC classification number: G11C13/025 , H01L41/107 , Y10S977/742
Abstract: A transistor using deformation caused by piezoelectric effect of a carbon nano tube is provided to obtain a transistor of a new concept using deformation of a carbon nano tube caused by deformation of a piezoelectric device by using a device of a several nano meter using a carbon nano tube. A piezoelectric device(6) is disposed at one side of a carbon nano tube(5) so that the carbon nano tube is deformed by contraction or expansion of the piezoelectric device. A switching process is performed by a difference of specific resistance of the carbon nano tube generated by a deformation quantity of the carbon nano tube caused by the contraction or expansion of the piezoelectric device. The piezoelectric device can be a shape memory piezoelectric actuator.
Abstract translation: 提供使用由碳纳米管的压电效应引起的变形的晶体管，以通过使用使用碳纳米管的几纳米器件来获得使用由压电器件的变形引起的碳纳米管的变形的新概念的晶体管 管。 压电装置（6）设置在碳纳米管（5）的一侧，使得碳纳米管通过压电装置的收缩或膨胀而变形。 通过由压电装置的收缩或膨胀引起的碳纳米管的变形量产生的碳纳米管的电阻差的差异进行切换处理。 压电器件可以是形状记忆压电致动器。
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公开(公告)号：KR102221763B1
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：KR1020180142913
申请日：2018-11-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본실시예에의한인공신경망회로는웨이트(weight) 정보를저장하는웨이트메모리소자와, 웨이트패스트랜지스터를포함하는단위웨이트메모리셀과, 프로그램되어임계값을저장하는임계값메모리소자와, 임계값패스트랜지스터를포함하는단위임계값(threshold) 메모리셀 및복수의단위웨이트메모리셀과복수의단위임계값메모리셀들이연결된웨이트-임계값컬럼과, 웨이트-임계값컬럼의출력신호가일 입력으로제공되고, 기준전압이타 입력으로제공되는감지증폭기를포함한다.
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公开(公告)号：KR101042333B1
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020080120500
申请日：2008-12-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 균일하고 잘 정렬된 발광물질로 이루어진 나노 구조물을 제조하여 이를 발광소자에 적용함으로써, CCFL이나 LED와 같은 종래의 후면광 유닛에 비해, 두께를 줄이고 소비전력을 낮추며 동시에 광원의 균일성을 우수하게 할 수 있는 광원용 구조물과 이를 이용한 광원의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 광원용 구조물의 제조방법은, 이중공중합체(DBC)로 나노패턴을 형성한 후, 이를 전극으로 사용하는 금속층에 전사하여, 금속층에 형성된 나노패턴을 마스크로 하여 발광물질의 나노구조를 형성함으로써, 종래에 비해 우수한 광원을 제공할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
후면광, 디스플레이, ZnO-
公开(公告)号：KR1020100091277A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：KR1020090010393
申请日：2009-02-10
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for doping a zinc oxide is provided to improve the electrical conductivity by increasing the concentration of a carrier while the mobility of the carrier is maintained. CONSTITUTION: A zinc oxide forming part(10), which includes a first bubbler, a first inert gas tank, and a first mask flow controller(13), forms a transparent conductive zinc oxide thin film. A doping part(20) is arranged to be symmetric to the zinc oxide forming part. With respect to the transparent conductive zinc oxide thin film, one or more elements from the IIIA family is doped with the zinc of the zinc oxide and one or more elements from the VIIA family is doped with the oxygen of the zinc oxide.
Abstract translation: 目的：提供一种掺杂氧化锌的方法，通过增加载体的浓度同时维持载体的迁移率来提高导电性。 构成：包含第一起泡器，第一惰性气体罐和第一掩模流量控制器（13）的形成氧化锌的部件（10）形成透明导电氧化锌薄膜。 掺杂部分（20）被布置成与氧化锌形成部分对称。 对于透明导电氧化锌薄膜，来自IIIA族的一种或多种元素掺杂有氧化锌的锌，并且来自VIIA族的一种或多种元素掺杂有氧化锌的氧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100950811B1
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020070115678
申请日：2007-11-13
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 고유전율 박막에 주입되는 질소의 위치와 양을 조절함으로써 고유전율 박막의 재현성과 열화에 대한 저항성을 높인 것으로, 특히 계면을 제외한 부분에 대한 질소처리와 질소처리시의 함량의 조절을 통해 박막의 신뢰성을 최적화시킨 것을 특징으로 한다.
본 발명은 MOSFET, 메모리 소자, TFT, 캐패시터 등에 모두 적용될 수 있으며 박막의 신뢰성과 계면특성을 향상시킬 수 있다.
고유전율 박막, 신뢰성-
公开(公告)号：KR1020100034416A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：KR1020080093534
申请日：2008-09-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of the sensor structure of using the nano wire arranged with the parallel arranged nano wire and sensor element manufactured thereby is proceed the manufacture and queue of the nano wire through the single process by using terrace. The nano wire structure having uniform-size and interval the process is simplified can be obtained. CONSTITUTION: It cuts so that the mono crystal substrate. Substrate is the thermal process and terrace is formed. The material forming the nano wire in the substrate in which terrace is formed is evaporated and the nano wire is formed in the edge of terrace. At this time, the shadow mask is arranged at the center of the interval of substrate and target. The production of the nano dot is prevented and the thickness of the nano wire is controlled.
Abstract translation: 目的：使用由平行布置的纳米线和由此制造的传感器元件布置的纳米线的传感器结构的制造方法通过使用平台通过单一工艺进行纳米线的制造和排队。 可以获得具有均匀尺寸和间隔的纳米线结构，该过程被简化。 构成：它切割成单晶基板。 底物是热过程，形成露台。 在形成露台的基板中形成纳米线的材料蒸发，并且在台面的边缘形成纳米线。 此时，荫罩布置在基板和目标的间隔的中心。 防止了纳米点的制造，并且控制了纳米线的厚度。
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公开(公告)号：KR1020100000966A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060662
申请日：2008-06-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/0229 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02274 , H01L21/02603
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a metal nano structure is provided to accurately control length of the nano structure through growth rate regulation. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metal nano structure comprises: a step of adding a metal precursor to heated semiconductor substrate to adsorb on the semiconductor substrate; a step of inputting purging gas to remove metal precursor which is not adsorbed; a step of inputting reaction gas with the metal precursor to reduce metal; and a step of inputting purging gas to remove reaction gas.
Abstract translation: 目的：提供一种制造金属纳米结构的方法，以通过生长速率调节来精确控制纳米结构的长度。 构成：金属纳米结构体的制造方法，其特征在于，包括：将加热了的半导体基板的金属前体加入到半导体基板上的工序; 输入吹扫气体以除去未吸附的金属前体的步骤; 与金属前体输入反应气体以还原金属的步骤; 以及输入吹扫气体以除去反应气体的步骤。
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公开(公告)号：KR100920455B1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：KR1020070098812
申请日：2007-10-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 플라스마 원자층 박막 증착 방법(plasma-enhanced atomic layer deposition, PE-ALD)을 사용하여 반도체 소자의 금속 실리사이드(metal silicide) 콘택트를 열처리 없이 직접 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 자연 산화막(native oxide)을 제거한 반도체 기판 위에, 금속 전구체(metal precursor)와 암모니아 플라스마를 반응물로 사용하는 공정을 기본으로 사용하고, 실리콘 전구체로서 실란(SiH
4 ) 가스를 부가적으로 첨부시켜 금속 실리사이드 박막을 형성시킨다. 본 발명에 따른 방법은 기존의 공정과 다르게 열처리 공정을 배제한 증착 방법이므로, 실리사이드 형성시에 실리콘 기판 소비 문제를 근본적으로 해결할 수 있을 뿐 아니라, PE-ALD 공정의 장점인 높은 단차 피복성(step coverage)의 장점을 활용할 수 있어, 향후 나노스케일 소자 제작시에 큰 장점을 지닌 공정으로 사용될 수 있다.
원자층 박막 증착 방법, 실리사이드, 반도체 소자 전극, 암모니아 플라스마-
20.发明公开
公开(公告)号：KR1020090093148A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080018506
申请日：2008-02-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C23C16/18 , C23C16/06 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: A phase controlling method between ruthenium thin film and conductive ruthenium oxide thin film by controlling the deposition temperature in atomic layer deposition is provided to improve device character and convenience of device fabrication by selectively changing phase between ruthenium layers or ruthenium oxide thin films. A phase controlling method between ruthenium thin film and conductive ruthenium oxide thin film by controlling the deposition temperature in atomic layer deposition comprises following steps. The ruthenium precursor vaporized on a heated substrate is injected into a reaction chamber with the argon gas for 2 seconds. A bubbler filled with the precursor is x with is heated at 65°C. The temperature of a feeding line is maintained at 10 ~ 15°C temperature higher than the bubbler. The flow rate of the argon gas is maintained as 20 sccm. The argon purging gas of 50 sccm is injected into the chamber for 2 seconds. The oxygen gas of 10 sccm is injected into the chamber for 2 seconds. The argon purging gas of 50 sccm is injected into the camber for 2 seconds. The precursor of the ruthenium is the Ru2. The substrate temperature is maintained at 300±25°C when depositing the ruthenium metal thin film.
Abstract translation: 提供了通过控制原子层沉积中的沉积温度的钌薄膜和导电氧化钌薄膜之间的相位控制方法，以通过选择性地改变钌层或氧化钌薄膜之间的相位来改善器件制造的器件特性和便利性。 通过控制原子层沉积中的沉积温度，钌薄膜和导电氧化钌薄膜之间的相位控制方法包括以下步骤。 在加热的基板上蒸发的钌前驱体用氩气注入反应室2秒钟。 填充有前体的起泡器是x在65℃下加热。 进料管的温度保持在比起泡器高10〜15℃的温度。 氩气的流量保持为20sccm。 将50sccm的氩气吹扫气体注入室2秒钟。 将10sccm的氧气注入室2秒钟。 将50sccm的氩气吹扫气体注入弧度2秒钟。 钌的前体是Ru2。 当沉积钌金属薄膜时，衬底温度保持在300±25℃。
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