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公开(公告)号：KR101711524B1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150100581
申请日：2015-07-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/516 , H01L29/41775 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/66984 , H01L43/00
Abstract: 위상절연체를포함하는트랜지스터를제공한다. 트랜지스터는, i) 기판, ii) 기판위에위치한위상절연체층, iii) 위상절연체층위에위치한드레인전극, iv) 드레인전극과이격되고, 위상절연체층위에위치하며, 강자성체를포함하는소스전극, v) 소스전극위에위치한터널접합층, 및 vi) 터널접합층위에위치한게이트전극을포함한다. 위상절연체층의스핀방향이그 표면에흐르는전류에의해고정되고, 게이트전극에인가되는전압에따라소스전극의스핀방향이기설정된방향으로변한다.
Abstract translation: 公开了包括拓扑绝缘体的晶体管。 晶体管包括：衬底; 设置在基板上的拓扑绝缘体; 设置在拓扑绝缘体上的漏电极; 与所述漏电极分离的源电极，设置在所述拓扑绝缘体上，并且包含铁磁性物质; 设置在源电极上的隧道结层; 以及设置在隧道结层上的栅电极。 拓扑绝缘体的自旋方向由流过其表面的电流固定，并且通过施加到栅电极的电压将源极的自旋方向改变到预定方向。
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公开(公告)号：KR1020170009109A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150100581
申请日：2015-07-15
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/516 , H01L29/41775 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/66984 , H01L43/00
Abstract: 위상절연체를포함하는트랜지스터를제공한다. 트랜지스터는, i) 기판, ii) 기판위에위치한위상절연체층, iii) 위상절연체층위에위치한드레인전극, iv) 드레인전극과이격되고, 위상절연체층위에위치하며, 강자성체를포함하는소스전극, v) 소스전극위에위치한터널접합층, 및 vi) 터널접합층위에위치한게이트전극을포함한다. 위상절연체층의스핀방향이그 표면에흐르는전류에의해고정되고, 게이트전극에인가되는전압에따라소스전극의스핀방향이기설정된방향으로변한다.
Abstract translation: 提供了包括相位绝缘体的晶体管。 Iv）源电极，其与漏电极隔开并位于相绝缘体层上，源电极包括铁磁材料; v）位于相绝缘体层上方的源电极; 位于源电极之上的隧道结层，以及vi）位于隧道结层之上的栅电极。 相绝缘体层的自旋方向由其表面上流动的电流固定，并且源电极的自旋方向根据施加到栅电极的电压在设定方向上改变。
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公开(公告)号：KR101192335B1
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：KR1020110045840
申请日：2011-05-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06F9/455
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F17/5009 , G06F2217/16 , G06T13/20 , G06T13/80
Abstract: PURPOSE: A fluid simulation method and a recording medium performing the same are provided to increase a degree which velocity momentum is satisfied, thereby overcoming instability of a lattice Boltzmann model. CONSTITUTION: Space in which fluid flows is become dioxide by a lattice of a regular interval(S10). It assumes that particles of the fluid repetitively move and collide on the lattice(S20). Maxwell-Boltzmann distribution is compared with n-th velocity momentum of Maxwell-Boltzmann distribution with dioxide. A linear polynomial equation is induced(S30). A weight coefficient corresponding to a discrete velocity of the particles of the fluid is calculated(S40). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Step for becoming dioxide for a space which fluid flows as a lattice of a regular interval; (S20) Step for assuming that particles of the fluid repetitively move and collide on the lattice; (S30) Step for inducing a linear polynomial equation by comparing Maxwell-Boltzmann distribution and n-th velocity momentum of the Maxwell-Boltzmann distribution with dioxide; (S40) Step for calculating a weight coefficient corresponding to a discrete velocity of the particles of the fluid based on the linear polynomial equation; (S50) Step for drawing a lattice Boltzmann model by using the weight coefficient
Abstract translation: 目的：提供流体模拟方法和执行该流体模拟方法的记录介质以增加满足速度动量的程度，从而克服格子波尔兹曼模型的不稳定性。 构成：流体流动的空间通过规则间隔的格子变成二氧化物（S10）。 它假定流体的颗粒重复地移动并碰撞在格子上（S20）。 麦克斯韦 - 波尔兹曼分布与麦克斯韦 - 波尔兹曼分布与二氧化碳的第n速度动量进行比较。 诱导线性多项式方程（S30）。 计算对应于流体颗粒的离散速度的重量系数（S40）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）流体作为规则间隔的格子流动的空间的二氧化物的步骤; （S20）假设流体的粒子重复地移动并碰撞在格子上的步骤; （S30）通过将Maxwell-Boltzmann分布的麦克斯韦 - 玻尔兹曼分布和第n速度动量与二氧化物进行比较来诱导线性多项式方程的步骤; （S40）基于线性多项式方程计算与流体粒子的离散速度对应的权重系数的步骤; （S50）使用权重系数绘制格子波尔兹曼模型的步骤
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公开(公告)号：KR101084020B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100046364
申请日：2010-05-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/82 , G11C11/16 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/66984 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/18 , Y10S257/902
Abstract: PURPOSE: A spin transistor using a dual charge supply layer structure is provided to efficiently control the precession of a spin injected to a channel layer by increasing the potential gradient of a channel. CONSTITUTION: A top cladding layer(2') and a bottom cladding layer(2) are formed with a dual cladding layer composed of an undoped InGaAs layer and an InAlAs layer. A second charge supply layer(4') is arranged on the top cladding layer. An InAs channel layer(1) forms a quantum well by an energy barrier of the top cladding layer and the bottom cladding layer. A buffer layer(5) reduces lattice mismatch between a semi-insulation InP substrate(9) and a first charge supply layer(4). An InAs capping layer(8) prevents the oxidation and denaturalization of a semiconductor.
Abstract translation: 目的：提供使用双电荷供应层结构的自旋晶体管，以通过增加通道的电位梯度来有效地控制注入到沟道层的自旋的进动。 构成：由未掺杂的InGaAs层和InAlAs层构成的双层包层形成上覆层（2'）和下覆层（2）。 第二电荷供给层（4'）布置在顶部包层上。 InAs沟道层（1）通过顶部覆层和底部包层的能量势垒形成量子阱。 缓冲层（5）减少半绝缘InP衬底（9）和第一电荷供应层（4）之间的晶格失配。 InAs覆盖层（8）防止半导体的氧化和变性。
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公开(公告)号：KR100953532B1
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：KR1020070101363
申请日：2007-10-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B1/00 , H01L21/027 , B82Y25/00
Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 자성반도체 박막, 상기 자성반도체 박막 상에 형성된 전도 채널, 상기 전도 채널 상에 형성된 절연막, 상기 전도 채널 양쪽에 형성된 상기 절연막의 일부를 제거하여 형성된 전기적 연결 단자 및 상기 절연막이 형성된 상기 전도 채널 상에 형성된 나노자성체 어레이 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성반도체/나노자성체 하이브리드형 스핀 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의해, 전자의 스핀 특성을 제어함으로써 내부 저항 제어가 가능한 독특한 물성의 자성반도체 스핀소자의 개발이 가능할 것으로 기대된다. 나아가 기존의 CMOS 보다 직접도, 스위칭 속도 및 에너지 측면에서 월등히 우수한 메모리 소자의 개발이 가능할 것이다.
자성반도체, 나노자성체, 스핀, 전도 채널, 볼텍스 구조-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070056758A
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050115814
申请日：2005-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G03F7/2059 , G03F7/004
Abstract: A method for manufacturing a two-dimensional array structure of a nano-sized ferromagnet is provided to improve the precision of fabrication by enhancing the resolution of nano patterning using a C60 fullerene based carbon thin film. A ferromagnetic film(12) is formed on a substrate(11). An amorphous carbon thin film(14) is deposited on the ferromagnetic film. An electron beam is irradiated onto the amorphous carbon thin film. At this time, the amorphous carbon thin film is selectively crystallized. The remaining amorphous carbon thin film is removed from the resultant structure to complete a crystallized carbon thin film pattern(14a). A nano-sized ferromagnetic array(12') is formed on the resultant structure by etching the ferromagnetic film using the carbon thin film pattern as an etch mask. Then, the carbon thin film pattern is removed. A C60 fullerene based carbon thin film is used as the carbon thin film.
Abstract translation: 提供了一种用于制造纳米尺寸铁磁体的二维阵列结构的方法，以通过使用C60富勒烯基碳薄膜提高纳米图案的分辨率来提高制造精度。 铁基膜（12）形成在基板（11）上。 无定形碳薄膜（14）沉积在铁磁膜上。 将电子束照射到无定形碳薄膜上。 此时，非晶碳薄膜被选择性地结晶。 从所得结构中除去剩余的无定形碳薄膜以完成结晶碳薄膜图案（14a）。 通过使用碳薄膜图案作为蚀刻掩模蚀刻铁磁膜，在所得结构上形成纳米尺寸的铁磁阵列（12'）。 然后，除去碳薄膜图案。 使用C60富勒烯类碳薄膜作为碳薄膜。
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公开(公告)号：KR100709395B1
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020060057043
申请日：2006-06-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 스핀 주입 효율이 높고 신호대 잡음비가 개선된 고품질 스핀 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 스핀 트랜지스터는, 하부 클래딩층, 채널층 및 상부 클래딩층을 갖는 반도체 기판부와; 상기 기판부 상에 형성된 강자성체 소스 및 드레인과; 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하는 게이트를 포함한다. 상기 하부 클래딩층은 제1 하부 클래딩층과 제2 하부 클래딩층의 2중 클래딩층 구조를 갖고, 상기 상부 클래딩층은 제1 상부 클래딩층과 제2 상부 클래딩층의 2중 클래딩 구조를 갖는다. 상기 소스 및 드레인은 상기 기판부 상면 아래로 매립되어 상기 제1 상부 클래딩층 또는 그 아래로 연장되어 있다.
스핀 트랜지스터, 강자성체, 스핀Abstract translation: 高质量的自旋晶体管，具有高自旋注入效率和改善的信噪比。 本发明的自旋晶体管包括：具有下包层，沟道层和上包层的半导体衬底部分; 在衬底上形成的铁磁源和漏极; 还有一个控制穿过沟道层的电子自旋的门。 下包层具有第一下包层和第二下包层的双包层结构，上包层具有第一上包层和第二上包层的双包层结构。 源极和漏极埋在衬底部分的上表面之下并延伸到第一上覆层或第一上覆层下面。
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公开(公告)号：KR1020060119109A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050041684
申请日：2005-05-18
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G11C11/161 , B82Y25/00 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: A magnetic memory device using a potential difference due to spin polarization and a fabrication method thereof are provided to use a two dimensional electron well layer as a path of bias current during a read operation and as a magnetization inversion current during a write operation, by using the potential difference between a ferromagnetic material and a semiconductor according to the magnetization direction of the ferromagnetic material. A magnetic memory device using a potential difference due to spin polarization uses the potential difference in parallel or anti-parallel state through bonding with a ferromagnetic material(230) using the spin polarization in a two-dimensional electron well layer(210a). The ferromagnetic material is one of Fe, Co, Ni, CoFe or NiFe. The two-dimensional electron well layer uses one of GaAs, InAs and InGaAs channels. When the InAs channel is bonded with the ferromagnetic material, ohmic contact is used.
Abstract translation: 提供使用由于自旋极化产生的电位差的磁存储器件及其制造方法，以在读取操作期间使用二维电子阱层作为偏置电流的路径，并且在写入操作期间使用二维电子阱层作为偏磁电流的路径，通过使用 根据铁磁材料的磁化方向，铁磁材料和半导体之间的电位差。 使用由于自旋极化引起的电位差的磁存储器件通过使用二维电子阱层（210a）中的自旋极化与铁磁材料（230）结合而使用并联或反并联状态的电位差。 铁磁材料是Fe，Co，Ni，CoFe或NiFe之一。 二维电子阱层使用GaAs，InAs和InGaAs沟道之一。 当InAs通道与铁磁材料接合时，使用欧姆接触。
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公开(公告)号：KR1020060097303A
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020050018421
申请日：2005-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/12 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1237 , G11C11/161
Abstract: 본 발명은 SOI 기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 특히 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 전자를 Si 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성됨을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자를 제시한다.
따라서, 본 발명은 종래의 자성체/Si 반도체 소자에서 구현되지 않았던 스핀밸브효과를 달성하여 반도체 트랜지스터에서 캐리어의 전하만을 전기장으로 제어하는 것과 달리 하이브리드형 자성체/반도체 소자에서는 소스와 드레인에 자성체를 사용하여 스핀을 SOI 반도체에 주입하고 검출함으로써 캐리어의 스핀을 이용한 메모리 및 논리소자로 응용할 수 있다.
스핀주입소자, SOI, 자성체/반도체 이종 접합구조, 자기저항, 스핀밸브-
公开(公告)号：KR100599344B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020040042043
申请日：2004-06-09
CPC classification number: A61K6/0023 , Y10S522/908 , C08L33/00
Abstract: 본 발명은 1단계 시술을 위한 치과용 고기능성 접착제 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 조성물은 2,2-비스[4-(2-히드록시-3-메타크릴로일옥시프로폭시)페닐]프로판 (이하, "Bis-GMA"라 칭함)에, 이 Bis-GMA 분자 중의 히드록시기의 수소 원자를 메타크릴레이트기로 치환한 멀티메타크릴레이트기 함유 다관능성 프리폴리머를 혼합한 프리폴리머 혼합물을 기재로 하고, 산성 단량체, 접착 단량체, 친수성 단량체, 희석 용매, 물, 무기 충전재, 광개시제 시스템을 포함하는 1단계 광중합형 치과용 고기능성 접착제 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 산부식제 처리 없이도 접착효과가 좋을 뿐만 아니라 치아와의 접착성이 뛰어나고 지각과민 현상 억제와 항우식성 등의 뛰어난 물성을 나타내고 생체 친화성도 우수한 효과를 나타낸다.
치과용 접착제, 1단계 시술, 산성 단량체, 멀티메타크릴레이트기 함유 다관능성 프리폴리머 혼합물, 접착 단량체, 친수성 단량체, 무기 충전재
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