-
公开(公告)号：KR100369210B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1020000030975
申请日：2000-06-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/565 , C04B41/50
Abstract: 본 발명은 기공율이 20∼60% 범위이며, 평균 기공경이 0.5∼30 μm 범위이고 전체 기공 중 90% 이상이 개기공 구조를 가지며, 전기저항식으로 발열이 가능한 SiC-Si-MoSi
2 다공성 세라믹 발열체와 그 제조방법, 그리고 이 다공성 세라믹 발열체를 포함하는 배기가스 필터에 관한 것이다. 본 발명의 다공성 세라믹 발열체는 원료분말 SiC, Si, MoSi
2 , C로 제조한 성형체를 고온에서 반응소결하여 SiC 입자가 연결되어 이루어진 골격구조 위에 SiC, Si와 MoSi
2 로 이루어진 코팅층을 형성한 것으로, 분리능과 발열능을 동시에 보유하고 있을 뿐 아니라 강도, 내열충격성 및 내산화성이 우수하므로 자체발열식 배기가스 필터에 사용하기에 적합하다.-
公开(公告)号：KR1019990057429A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970077480
申请日：1997-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/581
Abstract: 저탄성상 기지상인 BN이나 흑연 또는 이들의 혼합물의 미립의 AIN, AIN/SiC, AlON 고탄성상 기지상에 균일하게 분산된 복합기지상과 상기 고탄성상 기지상과 동일 조성을 갖는 골재로 이루어진 AlN (질화 알루미늄)계 내화물 및 그의 제조방법. AlN-BN, AlN/SiC-BN, AlON-BN계의 AlN계 내화물의 제조 방법에 있어서 기지상을 이루는 AlN, AlN/SiC, AlON 미립 입자와 BN이나 흑연 또는 그 혼합물의 입자를 균일하게 혼합하고 이를 골재 입자 사이에 고르게 분포시키는 방법을 사용하여 기지상내에 존재하는 저탄성상 BN이나 흑연 또는 그 혼합물의 입자의 균일한 분포를 위하여 기지상을 구성하는 미립 입자와 BN이나 흑연 또는 그 혼합물 입자를 동시 분산하여 열분무 건조법에 의해 제조한 과립 상태로 첨가함으로써 내화물 내에서 전체적인 균일도를 유지함은 물론 기지상 내에서 BN 입자의 고른 분포를 얻을 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100178357B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019980032456
申请日：1998-08-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01G25/02
CPC classification number: C23C8/24 , C04B35/486 , C04B41/5062
Abstract: 본 발명은 저온열화거동 (low temperauture degradation)을 억제하여 고강도, 고인성을 유지할 수 있는 재료의 표면에 질소를 고용체로 함유하고 내부 소재보다 저온열화가 억제되는 안정한 표면층을 가지는 지르코니아 복합재료 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 지르코니아 복합재료를 질소원 존재하에서 1200 - 1700℃의 온도에서 열처리하는 것으로 이루어진다.
-
公开(公告)号：KR100165869B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019950035818
申请日：1995-10-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01G25/02
CPC classification number: C23C8/24 , C04B35/486 , C04B41/5062
Abstract: 본 발명은 저온열화거동(low temperature degradation)을 억제하여 고강도ㆍ고인성을 유지할 수 있는, 재료의 표면에 질소를 고용체로 함유하고 내부소재보다 저온열화가 억제되는 안정한 표면층을 가지는 지르코니아 복합재료 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명이 제조방법은 지르코니아 소재 또는 지르코니아 복합소재를 질소원 존재하에서 1200~1700℃의 온도에서 열처리하는 것으로 이루어진다.
-
公开(公告)号：KR100822303B1
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：KR1020060106528
申请日：2006-10-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A new TaSi2-Si3N4 nanocomposite coating layer formed on a surface of tantalum or tantalum alloys is provided to improve isothermal oxidation resistance and repeated oxidation resistance of the coating layer at high temperatures and improve mechanical properties of the coating layer at high temperatures, and a manufacturing method of the nanocomposite coating layer is provided. A manufacturing method of a TaSi2-Si3N4 nanocomposite coating layer comprises the steps of: (a) simultaneously vapor-depositing tantalum and nitrogen onto a surface of tantalum or tantalum alloys as a matrix to form a TaN coating layer on the surface of the matrix, and forming a Ta2N coating layer on the TaN coating layer; and (b) vapor-depositing silicon onto the surface of the tantalum nitride coating layer to form a TaSi2-(28.4-11.7) vol.% Si3N4 nanocomposite coating layer, wherein the nanocomposite coating layer is gradient structured such that the Si3N4 volume fraction of the nanocomposite coating layer is reduced as it goes from the matrix side to the surface side.
Abstract translation: 提供在钽或钽合金表面上形成的新的TaSi2-Si3N4纳米复合涂层，以提高涂层在高温下的等温抗氧化性和反复抗氧化性，并提高涂层在高温下的机械性能。 提供了纳米复合涂层的方法。 TaSi2-Si3N4纳米复合涂层的制造方法包括以下步骤：（a）将钽和氮同时气相沉积到钽或钽合金的表面上作为基体，以在基体的表面上形成TaN涂层， 并在TaN涂层上形成Ta2N涂层; 和（b）在氮化钽涂层的表面上气相沉积硅以形成TaSi 2（28.4-11.7）体积％Si 3 N 4纳米复合材料涂层，其中纳米复合涂层是梯度结构的，使得Si 3 N 4体积分数 当纳米复合涂层从基体侧流到表面侧时，纳米复合涂层被还原。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100603020B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020040051245
申请日：2004-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 몰리브덴, 니오비움, 탄탈륨, 텅스텐 등과 같은 고융점 금속들 및 이들의 합금들과 같이 우수한 고온 내산화성을 필요로 하는 소재들 표면상에 형성된 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 고온에서 상기 모재들 표면에 몰리브덴 탄화물 코팅층 (MoC, Mo
2 C)을 형성한 후 실리콘을 기상 증착하여 고상치환반응에 의해서 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층을 제조한다. 상기 방법으로 제조된 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층은 등축정의 MoSi
2 결정입계에 SiC 입자들이 분포된 미세조직을 특징으로 하며, MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층에 존재하는 SiC 입자들의 부피 분율을 조절하여 모재의 열팽창계수와 유사한 조성의 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층이 가능하다. 따라서, 모재와 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층의 열팽창계수차에 의해서 생성될 수 있는 크랙의 발생을 근원적으로 억제함으로써 고온 반복 내산화성 및 저온 내산화성이 향상되고, 피복층의 기계적성질의 개선되어 열응력에 의한 미세크랙의 전파 억제할 수 있다.
MoSi₂, 복합피복층, 내산화성-
公开(公告)号：KR1020060013019A
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：KR1020040061786
申请日：2004-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 모재로서 니오비움 또는 그 합금의 표면상에 형성된 NbSi
2 계 나노 복합 피복층 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 고온에서 상기 모재 표면에 탄소 또는 질소를 기상 증착하여 니오비움 탄화물 또는 니오비움 질화물 확산층을 형성한 후 실리콘을 기상 증착하여 고상치환반응에 의해서 나노 복합 피복층을 제조한다. 상기 나노 복합 피복층은 등축정의 NbSi
2 결정입계에 SiC 또는 Si
3 N
4 입자들이 분포된 미세조직을 가지며, 나노 복합 피복층에 존재하는 SiC 또는 Si
3 N
4 입자들의 부피 분율에 의해서 모재의 열팽창계수와 유사한 조성의 NbSi
2 계 나노 복합 피복층이 형성된다. 이에 따라, 열팽창계수차에 의한 크랙의 발생을 근원적으로 억제하여 고온 반복 내산화성을 향상시키며, 또한, 피복층 표면에 치밀한 SiO
2 산화피막이 형성되어 고온 등온 내산화성의 향상과 더불어, 피복층의 기계적 성질의 개선, 즉 열응력에 의한 미세크랙의 전파 억제를 기할 수 있다.
니오비움, 피복층, 열팽창계수-
公开(公告)号：KR1020010110509A
公开(公告)日：2001-12-13
申请号：KR1020000030975
申请日：2000-06-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/565 , C04B41/50
CPC classification number: C04B41/87 , B01D46/2403 , C04B35/52 , C04B35/573 , C04B35/64 , C04B38/0054
Abstract: 본 발명은 기공율이 20∼60% 범위이며, 평균 기공경이 0.5∼30 μm 범위이고 전체 기공 중 90% 이상이 개기공 구조를 가지며, 전기저항식으로 발열이 가능한 SiC-Si-MoSi
2 다공성 세라믹 발열체와 그 제조방법, 그리고 이 다공성 세라믹 발열체를 포함하는 배기가스 필터에 관한 것이다. 본 발명의 다공성 세라믹 발열체는 원료분말 SiC, Si, MoSi
2 , C로 제조한 성형체를 고온에서 반응소결하여 SiC 입자가 연결되어 이루어진 골격구조 위에 SiC, Si와 MoSi
2 로 이루어진 코팅층을 형성한 것으로, 분리능과 발열능을 동시에 보유하고 있을 뿐 아니라 강도, 내열충격성 및 내산화성이 우수하므로 자체발열식 배기가스 필터에 사용하기에 적합하다.-
公开(公告)号：KR1020000019090A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980037015
申请日：1998-09-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/565
CPC classification number: C04B35/573 , B28B1/20 , C04B35/52 , C04B35/63404
Abstract: PURPOSE: A method for preparing composite is provided, for the preparation of reaction-bonded silicon carbide and the improvement of strength between particles. CONSTITUTION: A centrifugal body of multi component silicon carbide is prepared by adding two or more types of silicon carbide powders having different size to a polymer solution of different molecular weight, respectively; ball milling to obtain a slurry wherein the polymer is adsorbed onto the surface of silicon carbide; mixing the slurries to make a homogeneous slurry, injecting into a mold and performing the centrifugal forming; removing the excess slurry and re-performing the centrifugal forming; and drying the centrifugal body and releasing. The centrifugal body of multi component silicon carbide-carbon is prepared by the same method except obtaining a carbon slurry wherein the polymer is adsorbed onto the surface of carbon and mixing the above mentioned slurries. The centrifugal body of composite for multi component silicon carbide-carbon-metal powder is prepared by the same method except obtaining the above mentioned carbon slurry and a metal slurry wherein the polymer is adsorbed onto the surface of a metal and mixing with the slurries. The polymer is polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl alcohol or polyvinyl acetate.
Abstract translation: 目的：提供一种制备复合材料的方法，用于制备反应结合的碳化硅和提高颗粒之间的强度。 构成：通过向不同分子量的聚合物溶液中分别加入两种或更多种不同尺寸的碳化硅粉末来制备多组分碳化硅的离心体; 球磨以获得其中聚合物吸附到碳化硅表面上的浆料; 混合浆料制成均匀的浆料，注入模具并进行离心成型; 除去多余的浆料并重新进行离心成型; 并干燥离心体并释放。 除了获得其中聚合物吸附到碳表面上并混合上述浆料的碳浆料之外，通过相同的方法制备多组分碳化硅 - 碳的离心体。 除了获得上述碳浆料和金属浆料之外，通过相同的方法制备用于多组分碳化硅 - 碳 - 金属粉末的复合材料的离心体体，其中聚合物吸附在金属表面上并与浆料混合。 聚合物是聚乙烯吡咯烷酮，聚乙烯醇或聚乙酸乙烯酯。
-
公开(公告)号：KR1019990057428A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970077479
申请日：1997-12-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/00
Abstract: SiC-C, Al
2 O
3 -SiC-C, Al
2 O
3 -C, MgO-C, ZrO
2 -C, 또는 AlN-C계의 탄소함유 내화물의 제조방법으로서, 기지상을 이루는 SiC, Al
2 O
3 , MgO, ZrO
2 , 또는 AlN 미립 입자와 흑연 입자를 균일하게 혼합하고 이를 골재 입자 사이에 고르게 분포시키는 한편, 골재와 기지상 간의 계면강도 향상을 위해 내화물 성형체나 소결체에 무기 콜로이드 솔을 함침시키고 이를 열 처리함하여 계면 강도를 증가시킴으로써 결과적으로 탄소함유 내화물의 내열충격성과 내침식성을 향상시키는 방법이 제공된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.026 seconds)
