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公开(公告)号：KR1019980068606A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970005290
申请日：1997-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 주사하여 V자형의 홈을 형성함으로써 그 갈륨비소기판에 손상을 주며, 그 V자형홈의 가장깊은 부분에 형성한 양자점을 사용하는 광전소자의 출력이 약해 사용효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 습식식각으로 V자형홈을 형성하고, 2차원적인 반복구조를 갖는 양자점을 유기금속 화학증착법을 사용하여 용이하게 형성함으로써, 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시켜 광전소자의 광변환효율을 증대시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020020005218A
公开(公告)日：2002-01-17
申请号：KR1020000036003
申请日：2000-06-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a memory cell device of a non-destructive readout non-volatile memory device is provided to decrease an operation voltage, by forming a transistor of a metal/YMNO3/Si gate structure so that the voltage applied to a ferroelectric is remarkably increased at a low operation voltage and the voltage across an oxide layer can be decreased. CONSTITUTION: Y/Mn mole density is controlled to maintain a Y/Mn composition ratio from 21/15 to 8/14 so that a YMnO3 ferroelectric thin film of a transistor gate having a metal/ferroelectric/semiconductor structure is deposited by a metal organic decomposition(MOD) method.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造非破坏性读出非易失性存储器件的存储单元器件的方法，通过形成金属/ YMNO3 / Si栅极结构的晶体管来降低工作电压，使得施加到铁电体 在低操作电压下显着增加，并且可以降低跨越氧化物层的电压。 构成：控制Y / Mn摩尔浓度以使Y / Mn组成比从21/15至8/14保持，使得具有金属/铁电/半导体结构的晶体管栅极的YMnO 3铁电薄膜通过金属有机物 分解（MOD）方法。
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公开(公告)号：KR100250953B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019970045523
申请日：1997-09-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing fine quantum lines is provided to freely adjust the size of fine quantum lines upon formation of fine quantum lines. CONSTITUTION: A method for manufacturing fine quantum lines forms a groove of a specific shape on a substrate. Aluminum(Al) gallium(Ga) arsenide(As) having a step is formed on the substrate. A GaAs epitaxial layer is grown at the sidewall of the step using organic metal chemical deposition method. A growth control compound such as CCl4 or CBr4 for changing the growth rate of GaAs depending on the ratio of the concentration when the GaAs epitaxial layer is grown is injected. The GaAs epitaxial layer is grown at a specific temperature by injecting mixed 5-group elements and 3-group elements.
Abstract translation: 目的：提供精细量子线的制造方法，可以在形成微量子线时自由调节精细量子线的尺寸。 构成：用于制造精细量子线的方法在衬底上形成特定形状的沟槽。 在基板上形成具有台阶的铝（Al）镓（Ga）砷化物（As）。 使用有机金属化学沉积方法在台阶的侧壁处生长GaAs外延层。 注入用于根据GaAs外延层生长时的浓度比来改变GaAs的生长速度的诸如CCl4或CBr4的生长控制化合物。 GaAs外延层通过注入混合的5族元素和3族元素在特定温度下生长。
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公开(公告)号：KR100219836B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019970005289
申请日：1997-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래의 양자점 어레이 형성방법은 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자 또는 U자형의 홈을 파고, 그 홈의 하부에 양자점을 형성하였으나, V자 또는 U자형의 홈을 파는 공정에서 기판에 손상을 주어 그 양자점을 이용한 광전소자의 출력이 작아 그 광변환효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판상에 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소로 구성되는 양자구조를 형성하고, 불순물유도에 의한 격자무질서방법을 사용하여 그 양자구조에 양자세선을 형성한 후, 그 양자세선이 형성된 갈륨비소기판을 벽개하여 양자점 구조를 형성하고 그 양자점 구조에 유기금속 화학증착법으로 고밀도 양자점을 형성하여 갈륨비소기판에 손상을 주지 않고 용이하게 고밀도 양자점 어레이를 형성하여 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시킴으로써, 그 광전소자의 광변환효율을 증가시키는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990070850A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019980005950
申请日：1998-02-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/15
Abstract: 종래 기술을 이용하여 양자세선을 제작하면 양자세선의 모양이 초승달 모양으로 되어 수평방향의 광구속 효율이 떨어지고, 다층의 양자세선 제작시에 위쪽으로 올라갈수록 크기가 달라지는 단점을 가진다.
본 발명에서는 Ga(갈륨) 원자가 Al(알루미늄) 원자보다 확산이 잘 되는 특징을 이용하여, V 또는 U 자형 홈이 파진 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착법(MOCVD) 방법으로 Al
x Ga
1-x As/Al
y Ga
1-y As (x 〉y) 다층에피층 성장시킴으로써 양자세선의 두께(thickness) 및 폭(width)을 정확하게 조절 할 수 있을 뿐 아니라 x 또는 y 값을 변화시켜서 다양한 폭 및 에너지 갭을 가지는 양자세선을 제작할 수 있다. 또한, 본 발명을 이용하면 사각형 모양의 양자세선을 얻을 수 있고, 따라서 수평방향의 광구속 효율이 증가하는 등 우수한 특성을 가진 양자세선의 제작이 가능하다.-
公开(公告)号：KR1019980068605A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970005289
申请日：1997-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래의 양자점 어레이 형성방법은 갈륨비소기판에 전자선 엑스선을 사용하여 V자 또는 U자형의 홈을 파고, 그 홈의 하부에 양자점을 형성하였으나, V자 또는 U자형의 홈을 파는 공정에서 기판에 손상을 주어 그 양자점을 이용한 광전소자의 출력이 작아 그 광변환효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판상에 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소로 구성되는 양자구조를 형성하고, 불순물유도에 의한 격자무질서방법을 사용하여 그 양자구조에 양자세선을 형성한 후, 그 양자세선이 형성된 갈륨비소기판을 벽개하여 양자점구조를 형성하고 그 양자점구조에 유기금속 화학증착법으로 고밀도 양자점을 형성하여 갈륨비소기판에 손상을 주지않고 용이하게 고밀도 양자점 어레이를 형성하여 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 출력시킴으로써, 그 광전소자의 광변환효율을 증가시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980050586A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069421
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/0941
Abstract: 본 발명은 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 화합물 반도체를 이용하여 반구형 구조를 가진 반광 및 수광소자의 제작시 기판위에 두꺼운(약 300㎛) 에피층을 성장시킨 후 이를 반구형으로 만들기 위하여 기계적으로 랩핑(lapping)하는 방법을 이용하였는데, 이러한 랩핑(lapping) 공정은 대단히 복잡하고 힘들며 기계적인 가공으로 계면이 손상되기 쉬울 뿐 아니라 수율도 떨어지게 되는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 에피층을 성장시킬 때, 기판 위에 특별한 모양의 실리콘산화박막(SiO
2 )이나 실리콘질화박막(Si
3 N
4 )의 박막 마스크 패턴을 만들어 준 다음 반구형 에피층을 형성하는 방법을 제공하는데, 상기 박막 마스크 주변에서 선택적으로 에피층의 높이와 넓이를 조절할 수 있는 특성을 이용하여 반구형 구조, 반구형 어레이 구조의 제조를 가능하게 한다.
결국, 본 발명은 고효율의 발광 및 수광 소자를 제조 공정을 단순화시키고 광전소자의 광전변환 효율을 높이며 반구형(도움형) 고출력 발광 소자 제조를 가능하게 하며 기계적인 가공에 의한 표면손상 등을 방지할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100428417B1
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020000005979
申请日：2000-02-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B64C11/00
Abstract: PURPOSE: A small helicopter in tandem rotor type is provided to manufacture conveniently and precisely with an angle of a curved face and the shape, and to reduce the cost and the manufacturing time. CONSTITUTION: A diagonal line is drawn in an outer curved face of a cylinder having a smooth face. A blade is cut and manufactured completely. A pitch angle for contacting a blade to air is reduced from the root of the blade to the end to obtain constant lift value in the entire faces in rotating the blade of the helicopter. The blade is distorted with processing to incline spirally in the cylinder. The length of the blade is shortened, and the angle with the circle on the lower part of the cylinder is reduced to bend the curved face much in the small helicopter.
Abstract translation: 目的：提供一种串联式转子式小型直升机，可以方便精确地制造出曲面和形状的角度，并降低成本和制造时间。 构成：在具有光滑面的圆柱体的外曲面中画出对角线。 刀片被完全切割和制造。 用于使叶片接触空气的倾斜角从叶片的根部到端部减小，以在旋转直升机的叶片时在整个面中获得恒定的升力值。 刀片扭曲变形，在圆柱体内呈螺旋状倾斜。 缩短了叶片的长度，并减小了与圆筒下部的圆的角度，从而使小型直升机中的曲面弯曲得更多。
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公开(公告)号：KR100325643B1
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：KR1019980032022
申请日：1998-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판에 불순물 확산에 의해 형성된 p형(또는 n형) 우물구조의 영역안에 형성된 소오스, 드레인, 강유전체게이트로 구성된 하나의 트랜지스터만으로 데이터를 읽고 쓰는 메모리소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 저장된 데이터를 파괴하지 않고 판독해낼 수 있는 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 하나의 트랜지스터를 사용하여 정보를 읽고 쓸수 있도록 단위소자(MEMORY CELL)의 게이트(Gate)와 p형 우물구조를 정보를 입력(쓰기)시키기 위한 회로로 구성하고, 소오스(Source)와 드레인(Drain)은 데이터를 출력(읽기)하기 위한 회로로 구성하여, 각각 2개씩의 읽기 및 쓰기 단자를 통해 정보를 입출력하는 회로를 포함하는 메모리소자와, 상기 제조방법은 Si기판에 p형(또는 n형) 우물구조를 형성시키고, p형(또는 n형) 우물구조 내에 소오스(Source)와 드레인(Drain)을 제조한 후 게이트(Gate)를 구성하는 제조방법이 제시된다.
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