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公开(公告)号：KR101091609B1
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020090050410
申请日：2009-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 실시예들은 나노선, 그 제조 장치 및 방법에 관한 것이다. 나노선은 은 및 III족 원소에 의하여 도핑된 산화아연으로 이루어질 수 있다. 나노선 제조 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 기판; 상기 챔버 내에 상기 기판과 인접하여 위치하며 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질; 상기 챔버를 가열하는 가열기; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하는 레이저 발생기를 포함할 수 있다. 나노선 제조 방법은, 챔버 내에 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질 및 기판을 서로 인접하여 위치시키는 단계; 상기 챔버를 가열하는 단계; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
나노선, 은, 알루미늄, III족, 코도핑, 산화아연-
公开(公告)号：KR101076690B1
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020090085229
申请日：2009-09-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 전계효과트랜지스터는, 기판; 상기기판상의게이트절연막; 상기게이트절연막상에서로이격하여위치하는소스전극및 드레인전극; 및상기소스전극및 상기드레인전극사이에위치하며, 은이도핑된산화아연을포함하여이루어지는나노선을포함할수 있다. 전계효과트랜지스터의제조방법은, 제1 기판상에게이트절연막을형성하는단계; 제2 기판상에나노선을형성하는단계; 상기나노선의적어도일부를상기제2 기판으로부터분리하여용액에혼합시키는단계; 상기나노선이혼합된용액을제1 기판에주입하여상기제1 기판상에나노선을위치시키는단계; 및상기제1 기판상에상기나노선을사이에두고서로이격된소스전극및 드레인전극을형성하는단계를포함할수 있다.
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13.发明授权
公开(公告)号：KR101040138B1
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090103613
申请日：2009-10-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 박막 형성 방법은, 기판상에 은 및 III족 원소에 의하여 상호 도핑된 산화아연을 포함하는 박막을 형성하는 단계; 및 상기 박막 내의 산소 공공을 감소시키기 위하여, 기체 분위기에서 상기 박막을 가열하는 단계를 포함할 수 있다. 이때 박막을 형성하는 단계는, 은 및 III족 원소에 의하여 상호 도핑된 산화아연을 포함하는 타겟 물질 및 기판을 제공하는 단계; 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 상기 타겟 물질을 상기 기판상에 박막으로 증착시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 박막 형성 방법은 은 및 III족 원소가 상호 도핑된 박막을 열처리함으로써, 박막 내의 산소 공공(vacancy)을 감소시켜 p형 전도 특성을 향상시킬 수 있다.
p형, 산화아연, 박막, 은, 알루미늄, 상호 도핑-
公开(公告)号：KR1020120118171A
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：KR1020110035588
申请日：2011-04-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 이상렬
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: An electronic device and a manufacturing method thereof are provided to improve properties of a semiconductor device by blocking moisture and gas to be transmitted to an oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A semiconductor device is arranged on a substrate(100). The semiconductor device comprises an oxide semiconductor layer. The oxide semiconductor layer is partly exposed to outside. A passivation layer(15) is arranged on the semiconductor device in order to cover the exposed oxide semiconductor layer. The passivation layer is formed of an oxide insulator including magnesium.
Abstract translation: 目的：提供一种电子器件及其制造方法，以通过阻止要传输到氧化物半导体层的水分和气体来改善半导体器件的性能。 构成：半导体器件布置在衬底（100）上。 半导体器件包括氧化物半导体层。 氧化物半导体层部分地暴露于外部。 钝化层（15）布置在半导体器件上以覆盖暴露的氧化物半导体层。 钝化层由包含镁的氧化物绝缘体形成。
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公开(公告)号：KR101172729B1
公开(公告)日：2012-08-14
申请号：KR1020110027648
申请日：2011-03-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/088 , H01L29/0669 , H01L29/66477
Abstract: PURPOSE: An inverter having a metal oxide nanowire and a manufacturing method thereof are provided to easily produce the inverter having excellent characteristics by controlling the diameter of the metal oxide nanowire. CONSTITUTION: An insulating layer(12) is formed on a gate substrate(11). A first field effect transistor(10) includes source/drain electrodes(14,16). A second field effect transistor(20) includes a source/drain electrode(18). A first nano wire(13) and a second nano wire(15) are located on the insulating layer. The source/drain electrode is located to be spaced while being interposed between the first and second nanowires on the insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供具有金属氧化物纳米线的逆变器及其制造方法，通过控制金属氧化物纳米线的直径容易地制造具有优异特性的逆变器。 构成：在栅极基板（11）上形成绝缘层（12）。 第一场效应晶体管（10）包括源极/漏极（14,16）。 第二场效应晶体管（20）包括源极/漏极（18）。 第一纳米线（13）和第二纳米线（15）位于绝缘层上。 源极/漏极电极被定位成间隔开，同时插入绝缘层上的第一和第二纳米线之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120019126A
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020100082298
申请日：2010-08-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/12 , B82B1/00 , G01N27/407
Abstract: PURPOSE: A Ga-doped nano-wire gas sensor and a manufacturing method of the same are provided to be used for the various technical fields in which the gas sensing is necessary. CONSTITUTION: A Ga-doped nano-wire gas sensor comprises a substrate(101), an insulating layer(102), and a nano-wire(103) and a plurality of electrode. The insulating layer is formed in the top of the substrate. The nano-wire is located on surface the insulating layer. The gallium is doped in the nano-wire. A plurality of electrodes is electrically connected to the nano-wire.
Abstract translation: 目的：提供一种Ga掺杂纳米线气体传感器及其制造方法，用于需要气体感测的各种技术领域。 构成：Ga掺杂纳米线气体传感器包括衬底（101），绝缘层（102）和纳米线（103）和多个电极。 绝缘层形成在基板的顶部。 纳米线位于绝缘层的表面上。 镓在纳米线中掺杂。 多个电极电连接到纳米线。
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公开(公告)号：KR1020110072007A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090128764
申请日：2009-12-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/324 , H01L29/45
Abstract: PURPOSE: A co-doped thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by forming a channel made of materials without In. CONSTITUTION: A gate electrode(11) and an insulation layer(12) in contact with the gate electrode are formed. One selected among group of lithium, sodium, potassium, copper, silver, and gold is combined with one selected among scandium, yttrium, boron, aluminum, gallium, and indium. The combined material and a target material with zinc are vaporized with laser. A channel layer(13) is formed by depositing the vaporized target material as a thin film. A source electrode and a drain electrode are contacted with the channel layer and the source electrode is separated from the drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种共掺杂薄膜晶体管及其制造方法，以通过形成由In形成的材料形成的沟道来降低制造成本。 构成：形成与栅电极接触的栅电极（11）和绝缘层（12）。 选自锂，钠，钾，铜，银和金中的一种选自钪，钇，硼，铝，镓和铟中的一种。 组合的材料和锌的靶材料被激光蒸发。 通过将蒸发的目标材料沉积为薄膜而形成沟道层（13）。 源电极和漏电极与沟道层接触，源电极与漏电极分离。
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公开(公告)号：KR1020110048723A
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020090105417
申请日：2009-11-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor with buried layer and a method for manufacturing the same are provided to improve the driving property of a thin film transistor by improving the punch-through between a drain electrode and a source electrode. CONSTITUTION: In a thin film transistor with buried layer and a method for manufacturing the same, a source electrode(14a) and a drain electrode(14b) are separated from each other. A channel layer(13) comprises a first layer and a second layer which contacts with the source electrode and the drain electrode. The carrier concentration of the first layer is higher than that of the second layer. A gate insulating layer(12) is contacted with the channel layer and the source and drain electrodes. A gate electrode(11) is contacted with the gate insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供具有掩埋层的薄膜晶体管及其制造方法，以通过改善漏电极和源电极之间的穿通来改善薄膜晶体管的驱动性能。 构成：在具有掩埋层的薄膜晶体管及其制造方法中，源电极（14a）和漏电极（14b）彼此分离。 沟道层（13）包括与源电极和漏电极接触的第一层和第二层。 第一层的载流子浓度高于第二层的载流子浓度。 栅极绝缘层（12）与沟道层和源极和漏极接触。 栅电极（11）与栅极绝缘层接触。
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公开(公告)号：KR1020110030055A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：KR1020090087989
申请日：2009-09-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/26
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to configure a channel layer using a combination of new materials except indium, thereby saving production costs. CONSTITUTION: A source electrode(14a) and a drain electrode(14b) are formed on a substrate(100). A channel layer(13) contacts the source electrode and the drain electrode. The channel layer is formed by pulse laser deposition. A gate insulating film(12) contacts the channel layer, the source electrode, and the drain electrode. A gate electrode(11) contacts the gate insulating film.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，以使用铟以外的新材料的组合构成沟道层，从而节省生产成本。 构成：在基板（100）上形成源电极（14a）和漏电极（14b）。 沟道层（13）接触源电极和漏电极。 通道层由脉冲激光沉积形成。 栅极绝缘膜（12）接触沟道层，源电极和漏电极。 栅电极（11）与栅极绝缘膜接触。
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公开(公告)号：KR1020100131690A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：KR1020090050409
申请日：2009-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16 , C23C16/0263 , H01L21/02603 , H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A silver-doped nanowire with p-type semiconductor characteristic is provided to enable the growth of nano wire by laser irradiation and to control silver content doped on the nano wire by controlling a silver content within a target material. CONSTITUTION: A nano wire comprises silver-doped zinc oxide. A device comprises a substrate and the nano wire including silver-doped zinc oxide which is located on the surface of the substrate. A method for manufacturing silver-doped zinc oxide comprises: positioning the substrate(20) and a target material(30) containing silver-doped zinc oxide within a chamber(10); heating the chamber; and depositing the target material on the substrate in a nano wire(1) shape by irradiating laser to the target material.
Abstract translation: 目的：提供具有p型半导体特性的银掺杂纳米线，以通过激光照射来生长纳米线，并通过控制目标材料中的银含量来控制掺杂在纳米线上的银含量。 构成：纳米线包含掺杂银的氧化锌。 一种器件包括衬底和纳米线，其包括位于衬底表面上的掺银氧化锌。 一种制造掺杂银的氧化锌的方法包括：将衬底（20）和含有掺银氧化锌的靶材料（30）定位在室（10）内; 加热室; 以及通过向所述目标材料照射激光，以纳米线（1）形式将所述靶材料沉积在所述基板上。
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