公开(公告)号：KR1020170063086A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020150169052

申请日：2015-11-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김정우 ,  강일석

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 본발명은나노재료를연성물질로매립하거나유연기판에전사하는방법을제공하기위한나로재료의제조방법으로서, 웨이퍼상에희생층을형성하는제 1 단계; 상기희생층상에나노재료와상기나노재료의상부및/또는측면에접하는지지패턴을형성하는제 2 단계; 상기나노재료의하부에언더컷을형성하도록상기희생층의적어도일부를제거하는제 3 단계; 상기나노재료의하부를충전하고상기지지패턴의상부면이노출되도록 1차연성물질패턴을형성하는제 4 단계; 상기지지패턴및 상기희생층의나머지를제거하는제 5 단계; 및제거된상기지지패턴및 상기희생층의나머지가점유하던공간을충전하도록 2차연성물질패턴을형성하는제 6 단계;를포함한다.

Abstract translation: 一种用于生产我发明的材料以提供用于嵌入方法方法或转移至所述柔性基板的柔性材料制成的银材料，其包含：形成在晶片上的牺牲层的第一步骤; 在牺牲层和与纳米材料的顶部和/或侧表面接触的支撑图案上形成纳米材料的第二步骤; 去除至少一部分牺牲层以在纳米材料下方形成底切的第三步骤; 填充所述纳米材料的下部的第四步骤形成初级可燃材料图案，使得支撑面服饰图案被暴露; 第五步，去除支撑图案和牺牲层的其余部分; 以及形成第二可锻材料图案以填充由所移除的支撑图案和剩余的牺牲层占据的空间的第六步骤。

公开(公告)号：KR1020130102902A

公开(公告)日：2013-09-23

申请号：KR1020120024094

申请日：2012-03-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이병주 ,  정호 ,  배남호 ,  강일석

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A solar cell and a method for fabricating the same are provided to obtain a large-sized substrate by maintaining a plasmon formation distance. CONSTITUTION: A first conductive electrode includes a concave-convex part. Nanoparticles are in contact with the first conductive electrode. A photoactive layer (140) covers the nanoparticles. An anti-reflective coating (150) is formed on the photoactive layer. A second conductive electrode (160) is formed on the anti-reflective coating.

Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，以通过维持等离子体激元的形成距离来获得大尺寸的基板。 构成：第一导电电极包括凹凸部。 纳米颗粒与第一导电电极接触。 光敏层（140）覆盖纳米颗粒。 在光敏层上形成抗反射涂层（150）。 在抗反射涂层上形成第二导电电极（160）。

公开(公告)号：KR101369368B1

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：KR1020130006672

申请日：2013-01-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안치원 ,  강일석 ,  박용규 ,  신영현

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/306

Abstract: The present invention relates to a high aspect ratio through structure metal filling method. More particularly, a dry etching and a wet etching are complexly used to manufacturing a high aspect ratio through structure in a single crystal silicon substrate. A step of depositing an etch step layer for stopping the wet etching to solve a problem that an etching height is not controlled in the wet etching is included. By forming a seed layer for plating by using a nanomaterial network, metal can be buried in a high aspect ratio through structure.

Abstract translation: 本发明涉及通过结构金属填充方法的高纵横比。 更具体地，在单晶硅衬底中通过结构制造高纵横比，复杂地使用干蚀刻和湿蚀刻。 包括沉积用于停止湿蚀刻的蚀刻步骤层以解决在湿蚀刻中不控制蚀刻高度的问题的步骤。 通过使用纳米材料网络形成用于电镀的种子层，可以通过结构将金属埋入高纵横比。

公开(公告)号：KR101315065B1

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：KR1020120024094

申请日：2012-03-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이병주 ,  정호 ,  배남호 ,  강일석

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 전력변환효율을 개선하고 원가 경쟁력이 있는 태양전지 및 그 제조방법을 위하여, 글래스 기판, 상기 글래스 기판 상에 배치되며 상기 글래스 기판과 반대쪽 표면이 텍스쳐링 처리되어 요철이 형성된 제1 도전성전극, 상기 제1 도전성전극과 접촉하는 복수의 나노입자들, 상기 제1 도전성전극 상에 배치되며 상기 복수의 나노입자들을 덮는 광활성층, 상기 광활성층 상의 반사방지층 및 상기 반사방지층 상의 제2 도전성전극을 포함하는, 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR102168744B1

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：KR1020190060917

申请日：2019-05-24

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이종권 ,  강일석 ,  박종철 ,  오재섭 ,  윤석오 ,  박재홍 ,  나예은

IPC: G02B5/30

公开(公告)号：KR102166765B1

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：KR1020190064139

申请日：2019-05-30

Applicant: 한국과학기술원 ,  주식회사 옵트론텍

Inventor： 이종권 ,  강일석 ,  심갑섭 ,  김광희 ,  김재범 ,  김장섭 ,  김병오 ,  박종철

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/30 ,  G02B1/10

公开(公告)号：KR102156349B1

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：KR1020180083021

申请日：2018-07-17

Applicant: 한국과학기술원 ,  포항공과대학교 산학협력단 ,  세종대학교산학협력단

Inventor： 강일석 ,  유권재 ,  김희연 ,  최경근 ,  정종완

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/56 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR1020160081256A

公开(公告)日：2016-07-08

申请号：KR1020140194802

申请日：2014-12-31

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 임채현 ,  강일석 ,  김희연 ,  안치원 ,  황욱중

IPC: G01N27/414 ,  G01N27/12 ,  H01L41/39

CPC classification number: G01N27/4146 ,  G01N27/12 ,  G01N27/127 ,  H01L41/39

Abstract: 본발명은가스를검출하는가스센서에관한것으로, 더욱상세하게는센서소자에흡착된가스를표면탄성파소자를이용하여탈착시키는표면탄성파를이용한그래핀가스센서에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及气体传感器检测气体。 更具体地，本发明涉及使用表面声波的石墨烯气体传感器，其使得能够使用波声波装置将由传感器装置吸附的气体附着到传感器装置并从传感器装置分离。 使用表面声波的石墨烯气体传感器包括：基板; 感测单元; 以及附件和拆卸单元。

公开(公告)号：KR101458045B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020130055108

申请日：2013-05-15

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 유권재 ,  안치원 ,  강일석 ,  신영현

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 본 발명은 대면적 고품질의 그래핀 성장을 위한 CVD 보조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 화학기상증착 장치의 석영 튜브 내에 구비되며, 두 개의 커버플레이트 사이가 실링부에 의해 밀폐되어 형성된 공간부 내부에 금속 박막이 증착된 기판이 구비되고, 실링부의 외주면 일정영역에 형성된 가스유입구 및 가스배출구를 통해 탄소 및 수소가스가 유동되도록 함으로써, 최소량의 가스를 정성적으로 제어할 수 있고, 고온에서 금속 박막의 증발이 방지되도록 하는 CVD 보조 장치에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于高质量和大尺寸石墨烯生长的化学气相沉积（CVD）辅助装置。 更具体地，CVD辅助装置布置在化学气相沉积装置的石英管中。 在其上沉积有薄金属板的基板设置在由两个盖板之间的密封部分形成的空白空间中。 碳氢气体流过形成在密封部分的外周侧的某一部分上的气体入口和气体出口。 因此，CVD辅助装置可以以最小量定性地控制气体，并且可以防止金属薄板在高温下的蒸发。