公开(公告)号：KR1019960029431A

公开(公告)日：1996-08-17

申请号：KR1019950001319

申请日：1995-01-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이흔 ,  김진수

IPC: C09K5/00

Abstract: 본 발명은 흡수식 냉방기용 흡수용액 조성물에 관한 것이다. 좀더 구체적으로, 본 발명은 기존의 흡수용액에 에탄올아민을 첨가하여 흡수식 냉방기의 공냉운전을 가능케 하는 흡수용액 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 흡수식 냉방기용 흡수용액은 할로겐화 리튬 16.0 내지 81.0중량%, 에탄올아민 4.0 내지 24.0중량% 및 물 15.0 내지 60.0중량%를 포함한다. 본 발명의 흡수용액 조성물은 흡수용액의 결정화 방지효과가 우수하여 흡수식 냉방기에 적용할 경우 흡수식 냉방기의 공냉운전을 가능케 하는 등의 효과를 지니고 있다는 것이 확인되었다.

公开(公告)号：KR1020100062502A

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020080121159

申请日：2008-12-02

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  한진우 ,  김동현 ,  김정우 ,  김진수 ,  송명호 ,  오재섭 ,  박윤창

IPC: H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/108 ,  H01L27/10826 ,  H01L29/1033

Abstract: PURPOSE: A capacitor-less DRAM and a method for manufacturing the same are provided to improve the hole-storage capacity due to a hole-barrier by forming a continuous germanium layers or a non-continuous dots through an ion implantation method and a heat treatment process. CONSTITUTION: A source(105), a channel, and a drain(106) are successively formed on a substrate(100). A gate insulating layer(103) is formed on the channel. A gate is formed on the gate insulating layer. A germanium layer or a germanium dot is formed in the channel. The gate insulating layer is made of a silicon oxide, a nitride film, an aluminum oxide, a hafnium oxide, or a zinc oxide.

Abstract translation: 目的：提供一种无电容器DRAM及其制造方法，以通过离子注入法和热处理形成连续锗层或非连续点来改善由于空穴阻挡引起的空穴存储能力 处理。 构成：源（105），沟道和漏极（106）依次形成在衬底（100）上。 在沟道上形成栅极绝缘层（103）。 栅极形成在栅极绝缘层上。 在通道中形成锗层或锗点。 栅极绝缘层由氧化硅，氮化物膜，氧化铝，氧化铪或氧化锌制成。

公开(公告)号：KR1020090002839A

公开(公告)日：2009-01-09

申请号：KR1020070067129

申请日：2007-07-04

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 강동원 ,  강정욱 ,  김진수 ,  박찬익

IPC: G06F9/06 ,  G06F12/00

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7206

Abstract: An index scheme of a flash memory for modifying, inserting or deleting a leaf node is provided to reduce a access time about the flash memory and to lengthen the lifetime of the flash memory by minimizing the number of filled in. Index nodes related to a leaf node and the leaf node are filled in the same page which is identical in mu-tree(e). The index nodes(C, A) which are the parent nodes of the leaf nodes and leaf node(F) is stored in the page(P1). The leaf node(E) and the index nodes(B, A) are stored in the page(P2). The leaf node(D) and index nodes(B, A) are stored in the page(P3). If the leaf node(E) and index nodes(B, A) are stored in the page(P2), the index node(A) becomes invalid since the index node(A) designates the page in which the index nodes(B, C) are stored.

Abstract translation: 提供了用于修改，插入或删除叶节点的闪存的索引方案，以减少对闪存的访问时间，并通过最小化填充数来延长闪存的寿命。与叶相关的索引节点 节点和叶节点填充在与mu树（e）中相同的页面中。 作为叶节点和叶节点（F）的父节点的索引节点（C，A）存储在页面（P1）中。 叶节点（E）和索引节点（B，A）存储在页面（P2）中。 叶节点（D）和索引节点（B，A）存储在页面（P3）中。 如果叶节点（E）和索引节点（B，A）存储在页面（P2）中，索引节点（A）变得无效，因为索引节点（A）指定索引节点（B， C）被存储。

公开(公告)号：KR100343129B1

公开(公告)日：2002-11-30

申请号：KR1019980058889

申请日：1998-12-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이흔 ,  김진수

IPC: F25B15/00

Abstract: 본 발명은 증기압축기를 포함하는 삼중효용 흡수식 냉방기에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 중온, 고온의 재생기 또는 증발기에 하나 혹은 그 이상의 증기압축기를 장착시킴으로써, 재생기 또는 증발기에서 발생하는 냉매증기를 압축하여 고온 재생기의 온도를 170℃ 이하로 유지시키고, 하나의 용액순환 사이클을 가지는 삼중효용 흡수식 냉방기에 관한 것이다. 따라서, 본 발명의 삼중효용 흡수식 냉방기는 고온 운전에 따른 용액에 의한 부식문제를 해결하여 실용화를 가능케 한다.

公开(公告)号：KR1019990075121A

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019980009123

申请日：1998-03-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이대길 ,  원찬희 ,  정광섭 ,  최진호 ,  김진수 ,  최진경 ,  전성식 ,  조덕현

IPC: G01M7/00

Abstract: 본 발명은 공기압실린더로 충격체를 가속시켜서 기계 구조물에 충돌시키므로써, 기계 구조물의 충격 흡수 특성을 효율적으로 그리고, 적은 비용으로 시험하기 위한 공압식 충격 시험기에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 기계구조물의 충격 흡수 특성을 효율적으로 시험하는 공압식 충격 시험기에 있어서, 충격을 완충하는 받침부(15,16)의 상부의 중심에 고정된 고정대(14)와, 상기 고정대(14)의 "T"자 슬롯(14')에 결합되어 시험편(9)을 지지하는 지지바(11)와, 가속도계(6)가 부착된 충격부(8)와, 상기 충격부(8)를 가이드축부(4)의 내부에서 수직방향으로 발사시키는 피스톤축(20)이 상판(18)의 중심을 관통하게 결합된 공기압실린더부(2)와, 상기 공기압실린더부(2)에 공기압을 공급하는 공압력탱크부 와, 상기 상판(18)의 하면에서 상기 피스톤축(20) 및 상기 충격부(8)를 잠금 및 해제작동시키는 전자석부(3)와 제어부를 포함하며, 상기 제어부는 상기 공기압실린더부(2)와 전자석부(3)를 제어하여 상기 충격부(8)를 상기 시험편(9)에 충돌시키며, 상기 시험편(9)의 충격� �을 센서부(51,52,71,72,73,74) 및 상기 가속도계(6)에서 측정하는 것을 특징으로 하는 공압식 충격 시험기가 제공된다.

公开(公告)号：KR100149284B1

公开(公告)日：1998-10-01

申请号：KR1019950001319

申请日：1995-01-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이흔 ,  김진수

IPC: C09K5/00

Abstract: 본 발명은 흡수식 냉방기용 흡수용액 조성물에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 기존의 흡수용액에 에탄올아민을 첨가하여 흡수식 냉방기의 공냉운전을 가능케 하는 흡수용액 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 흡수식 냉방기용 흡수용액은 할로겐화 리튬 16.0 내지 81.0중량%, 에탄올아민 4,0 내지 24.0 중량% 및 물 15.0 내지 60.0중량%를 포함한다. 본 발명의 흡수용액 조성물은 흡수용액의 결정화 방지효과가 우수하여 흡수식 냉방기에 적용할 경우 흡수식 냉방기의 공냉운전을 가능케 하는 등의 효과를 지니고 있다는 것이 확인되었다.

公开(公告)号：KR1019970009471B1

公开(公告)日：1997-06-13

申请号：KR1019940017941

申请日：1994-07-25

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이대길 ,  김진수 ,  최진경 ,  최진호 ,  정광섭

IPC: B60J5/00

Abstract: The shock absorber(10) is structured with a round bar or a bar with a square or uneven section. Besides, inside the end of the composite material buffer foam(12) can be packed, or by wrapping the circumference of the steel pipe(13) with a composite material(11) to complete a round bar. At this time to the both ends of the shock absorber, the short composite material is bound with adhesive(20a) or by bending a bracket(20) and sticking it to the end of the shock absorbing material, connects the both ends by welding.

Abstract translation: 减震器（10）由圆形杆或具有正方形或不平坦部分的杆构成。 此外，可以在复合材料缓冲泡沫（12）的末端内部填充或者用复合材料（11）包裹钢管（13）的圆周以完成圆棒。 此时到减震器的两端，短的复合材料用粘合剂（20a）或通过弯曲支架（20）并粘附到减震材料的端部，通过焊接连接两端。

公开(公告)号：KR1020120067707A

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：KR1020100129255

申请日：2010-12-16

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 이영재 ,  유경종 ,  김진수 ,  이준 ,  이용인 ,  윤준보 ,  연정호 ,  이주형 ,  이정언

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0338 ,  Y10S438/947 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A method for forming a large area nano-scale pattern is provided to uniformly produce a fine pattern by repeatedly reducing pattern pitch without distortion of shape after forming a pattern of micrometer scale. CONSTITUTION: Main thin films(140, 160) which are separated by a protective layer are formed. The protective layer is formed into a silicon nitride film or a silicon oxide film. A first main pattern(121) is formed by patterning a first main thin film. A first spacer pattern(191) is formed based on the first main pattern. A second main pattern(141) is formed by transferring the first spacer pattern to a second main thin film. A second spacer pattern is formed based on the second main pattern. A third main pattern is formed by transferring the second spacer pattern to a third main thin film.

Abstract translation: 目的：提供一种形成大面积纳米尺度图案的方法，通过在形成微米尺度的图案之后，通过重复地减少图形间距而不变形，均匀地产生精细图案。 构成：形成由保护层分离的主薄膜（140,160）。 保护层形成为氮化硅膜或氧化硅膜。 第一主图案（121）通过图案化第一主薄膜而形成。 基于第一主图形形成第一间隔图案（191）。 第二主图案（141）通过将第一间隔图案转印到第二主薄膜而形成。 基于第二主图形形成第二间隔图案。 通过将第二间隔图案转印到第三主薄膜上形成第三主图案。

公开(公告)号：KR100847021B1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：KR1020060104446

申请日：2006-10-26

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이준원 ,  김진수 ,  조희승

IPC: G06F12/00 ,  G06F9/06

Abstract: 본 발명은 데이터 저장 장치, 데이터 저장 방법 및 그 방법이 기록된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 임시 저장 장치에 저장되는 데이터의 관리 정책을 개선하여 그 성능을 향상하기 위한 데이터 저장 장치, 데이터 저장 방법 및 그 방법이 기록된 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 관한 것이다.
본 발명의 데이터 저장 장치는 복수의 데이터를 블록 단위로 저장하는 주 저장 장치, 주 저장 장치로 입출력되는 데이터 중 일부를 임시로 저장하는 임시 저장 장치를 포함하고, 임시 저장 장치로 입출력되는 데이터를 블록 단위로 처리하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명의 데이터 저장 장치는 임시 저장 장치의 데이터 입출력을 주 기억 장치의 특성에 맞추어 처리함으로써, 데이터 저장 장치의 성능을 최적화시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 플래시 메모리를 주 기억 장치로 사용하는 데이터 저장 장치에서 주 기억 장치에 대하여 수행되는 연산 중 비교적 많은 시간을 소모하는 삭제 연산과 쓰기 연산의 연산 횟수를 줄일 수 있는 효과가 있다.
플래시 메모리, 버퍼, 캐시 메모리, 블록 노드, 페이지 노드

公开(公告)号：KR1020080038613A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020060105732

申请日：2006-10-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이준원 ,  김진수 ,  강정욱 ,  조희승

IPC: G06F12/00 ,  G06F12/06

Abstract: A method for managing a flash memory is provided to reduce a required memory amount of an address table for remapping, manage the flash memory efficiently by remapping data of a physical block to a logical block, and manage remapping information in the flash memory without any additional device. A super logical block including more than one logical block is generated. Pages of the logic block included in the super logical block are remapped to a physical block included in a super physical block. Remapping information for the pages of the logical block included in the super logical block is stored to a flash memory together with data by checking whether the remapping information for the logical block is stored in a ram, finding a location of the remapping information when the remapping information is not found, reading the remapping information stored in the found location, and storing the read remapping information to the RAM.

Abstract translation: 提供了一种用于管理闪存的方法，以减少用于重新映射的地址表的所需存储量，通过将物理块的数据重新映射到逻辑块来有效地管理闪存，并且管理闪存中的重映射信息，而不需要任何附加 设备。 生成包含多个逻辑块的超级逻辑块。 包含在超级逻辑块中的逻辑块的页面被重新映射到包括在超级物理块中的物理块。 包含在超级逻辑块中的逻辑块的页面的重新映射信息通过检查逻辑块的重映射信息是否被存储在RAM中而与数据一起被存储到闪速存储器，当重新映射时找到重映射信息的位置 没有找到信息，读取存储在找到的位置的重新映射信息，并将读取的重新映射信息存储到RAM中。