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公开(公告)号：KR1019950013006B1
公开(公告)日：1995-10-24
申请号：KR1019920018961
申请日：1992-10-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C30B25/04
Abstract: The epitaxial lithium niobate thin film is prepared by (A) mixing lithium isopropoxide [Li(OCH2(CH3)2 and niobium isopropoxide in molar ratio of 1:1 under nitrogen or argon atmosphere, (B) making a coating solution by resolving the mixture in methanol solution, (C) spin-coating the obtained solution on a sapphire substrate uniformly, (D) drying the coated substrate, and (E) repeating the coating and the drying processes to make a multi-layered thin film. The formed multi-layered thin film is used for an elastic wave device or a optical waveguide device.
Abstract translation: 外延铌酸锂薄膜是通过（A）在氮或氩气氛下以1:1摩尔比混合异丙醇锂[Li（OCH 2（CH 3）2）和异丙氧化铌来制备的，（B）通过分解混合物制备涂布溶液 在甲醇溶液中，（C）均匀地将得到的溶液旋涂在蓝宝石基材上，（D）干燥涂布的基材，（E）重复涂布和干燥处理以制成多层薄膜， 层状薄膜用于弹性波器件或光波导器件。
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公开(公告)号：KR1020140039750A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120106371
申请日：2012-09-25
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/45
CPC classification number: H01L41/45 , H01L41/193 , H01L41/317 , H01L41/332
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a piezoelectric polymer core-shell structure and, more specifically, to a method for manufacturing a piezoelectric polymer core-shell structure, by manufacturing an electrode by depositing a conductive polymer solution on polyurethane acrylate pillars, and depositing a piezoelectric polymer P(VDE-TrFE) solution on the electrode. By an embodiment of the present invention, the method can reduce manufacturing costs and can perform a large area process by being able to copy the polyurethane acrylate pillars several times through one mold. Also, the method of the present invention can be applied in various fields such as not only a piezoelectric device and an energy harvest using the same, but also a nonvolatile memory device and a bio device by manufacturing a vertically aligned nanostructure and a vertically aligned micro structure. [Reference numerals] (AA) Electrode
Abstract translation: 本发明涉及一种制造压电聚合物核 - 壳结构的方法，更具体地说，涉及通过在聚氨酯丙烯酸酯柱上沉积导电聚合物溶液来制造电极的压电聚合物芯 - 壳结构的制造方法，以及 在电极上沉积压电聚合物P（VDE-TrFE）溶液。 通过本发明的一个实施方案，该方法可以降低制造成本，并且可以通过一次模具将聚氨酯丙烯酸酯柱多次复制来进行大面积的加工。 此外，本发明的方法也可以应用于各种领域，例如不仅压电器件和使用其的能量收集，还可以应用非易失性存储器件和生物器件，通过制造垂直排列的纳米结构和垂直排列的微结构 结构体。 （标号）（AA）电极
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公开(公告)号：KR101303086B1
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020120010135
申请日：2012-02-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G11B11/10
Abstract: 본 발명은 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 강유전 고분자 박막을 기판 일면에 형성된 전극층의 상면에 형성하여 정보 저장 및 보존이 가능한, 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명인 강유전 고분자 박막을 이용한 정보 저장 매체는 기판과, 상기 기판 일면에 형성된 전극층과, 상기 전극층 상면에 형성된 VDF와 TrFE가 70:30 내지 80:20 비율인 VDF-TrFE 강유전 고분자 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 일면에 전극층을 형성하는 단계와, VDF와 TrFE를 70:30 내지 80:20 비율로 혼합한 VDF-TrFE 펠렛을 준비하는 단계와, 상기 VDF-TrFE 펠렛을 메틸에틸케톤(Methylethylketone) 용매에 용해시키는 단계와, 상기 용해된 용액을 상기 전극층 상면에 코팅하는 단계와, 상기 코팅된 기판을 어닐링(Annealing) 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020120118269A
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：KR1020110035742
申请日：2011-04-18
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L41/0472 , H01L41/193 , H01L41/293 , H01L41/331 , H02N2/18
Abstract: PURPOSE: An energy gaining system and a manufacturing method thereof are provided to convert external pressure or mechanical vibration into an electric energy. CONSTITUTION: A conductive spiral core electrode(401) has elastic force or elasticity. A ferroelectric polymer layer(402) is selectively formed on a surface of a center electrode. A surface electrode(403) is formed on a surface of the ferroelectric polymer layer. The center electrode includes Fe, Ni, Cr, Ti, Mo, Ag, Au, Al, Cu, W, or TiN.
Abstract translation: 目的：提供能量获取系统及其制造方法，以将外部压力或机械振动转换为电能。 构成：导电螺旋芯电极（401）具有弹性力或弹性。 在中心电极的表面上选择性地形成铁电聚合物层（402）。 表面电极（403）形成在铁电聚合物层的表面上。 中心电极包括Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Ag，Au，Al，Cu，W或TiN。
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公开(公告)号：KR1020120105951A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020110023698
申请日：2011-03-17
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A ferroelectric polymer nano-dot device and a dewetting process for the manufacturing thereof are provided to have uniform size and density and to be uniformly patterned. CONSTITUTION: A ferroelectric polymer nano-dot device(200) comprises a substrate(101), a lower electrode(102) and P(VDF-TrFE) nano-dots(201). The substrate is composed of insulating materials. The lower electrode is formed on an upper surface of the substrate. The P(VDF-TrFE) nano-dot is formed on the upper surface of the lower electrode in an anti-glare structure and is composed of P(VDF-TrFE) polymers. The ferroelectric polymer nano-dot device additionally includes an upper electrode(104) on the surface of the nano-dot. A dewetting process for manufacturing ferroelectric Polymer nano-dot device comprises the following steps: preparing a substrate; forming a lower electrode on the upper surface of the substrate; obtaining a P (VDF-TrFE) polymer solution; spreading the upper surface of the lower electrode with the P (VDF-TrFE) polymer solution; and obtaining the P (VDF-TrFE) nano-dot through an annealing process.
Abstract translation: 目的：提供铁电聚合物纳米点装置和其制造的去湿方法以具有均匀的尺寸和密度并且被均匀地构图。 构成：铁电聚合物纳米点装置（200）包括基板（101），下电极（102）和P（VDF-TrFE）纳米点（201）。 基板由绝缘材料构成。 下电极形成在基板的上表面上。 P（VDF-TrFE）纳米点以防眩光结构形成在下电极的上表面上，由P（VDF-TrFE）聚合物构成。 铁电聚合物纳米点装置还包括在纳米点的表面上的上电极（104）。 用于制造铁电聚合物纳米点装置的去湿方法包括以下步骤：制备基材; 在所述基板的上表面上形成下电极; 获得P（VDF-TrFE）聚合物溶液; 用P（VDF-TrFE）聚合物溶液撒布下电极的上表面; 并通过退火工艺获得P（VDF-TrFE）纳米点。
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Patent Agency Ranking16.发明授权전압을 이용한 강자성박막의 자화용이축 제어방법 및 이를이용한 비휘발성, 초고집적, 초절전형 자기메모리와정보기록방법 有权전압을이용한강자성박막의자화용이축제어방법및이를이용한비휘발성，초고집적，초절전형자기메모리와정보기록방법
公开(公告)号：KR100451660B1
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1020020046734
申请日：2002-08-08
Applicant: 한국과학기술원 , 대한민국(서울대학교 총장)
IPC: G11C11/15
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a magnetization easy axis of a ferroelectric film using a voltage, a non-volatile, a high-integrated, and a power-saving magnetic memory using the same, and a method for recording information are provided to control the spin direction of the ferroelectric film by using an inverse magnetostriction effect and an inverse piezoelectricity effect. CONSTITUTION: A magnetic memory includes a piezoelectric layer(21), a free magnetic layer(22), a fixed magnetic layer(24), and a non-magnetic layer(22). The piezoelectric layer is formed with a piezoelectric element which is selected from PZT, PLZT, BLY, and SBT. The thickness of the piezoelectric layer is less than 500nm. The magnetic layer is selected from CoPd or ABC alloy where A is Co, Fe, Ni and B is Co, Fe, Ni and C is Pd, Pt, Au, Cu, Al, W. The thickness of the magnetic layer is less than 50nm. The electric field is formed by applying a voltage to an electrode layer in a stacked structure of the electrode layer, the piezoelectric layer, and the magnetic layer. A magnetization easy axis of the magnetic layer is switched between a thin film and a vertical axis by the magnetic field.
Abstract translation: 目的：提供一种使用电压来控制强电介质膜的磁化易磁化轴的方法，使用该方法的非易失性，高集成度和省电的磁存储器，以及记录信息的方法，以控制 通过使用逆磁致伸缩效应和逆压电效应来使铁电膜的自旋方向发生变化。 构成：磁存储器包括压电层（21），自由磁层（22），固定磁层（24）和非磁层（22）。 压电层由选自PZT，PLZT，BLY和SBT的压电元件形成。 压电层的厚度小于500nm。 磁性层选自CoPd或ABC合金，其中A是Co，Fe，Ni和B是Co，Fe，Ni和C是Pd，Pt，Au，Cu，Al，W。磁性层的厚度小于 50纳米。 电场是通过向电极层，压电层和磁性层的堆叠结构中的电极层施加电压而形成的。 磁层的磁化易磁化轴通过磁场在薄膜和垂直轴之间切换。
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17.发明公开전압을 이용한 강자성박막의 자화용이축 제어방법 및 이를이용한 비휘발성, 초고집적, 초절전형 자기메모리와정보기록방법 有权使用电压，非易失性，高集成度和节能磁记录来控制磁化膜的磁化轴的方法，以及使用它的方法
公开(公告)号：KR1020030046296A
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：KR1020020046734
申请日：2002-08-08
Applicant: 한국과학기술원 , 대한민국(서울대학교 총장)
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a magnetization easy axis of a ferroelectric film using a voltage, a non-volatile, a high-integrated, and a power-saving magnetic memory using the same, and a method for recording information are provided to control the spin direction of the ferroelectric film by using an inverse magnetostriction effect and an inverse piezoelectricity effect. CONSTITUTION: A magnetic memory includes a piezoelectric layer(21), a free magnetic layer(22), a fixed magnetic layer(24), and a non-magnetic layer(22). The piezoelectric layer is formed with a piezoelectric element which is selected from PZT, PLZT, BLY, and SBT. The thickness of the piezoelectric layer is less than 500nm. The magnetic layer is selected from CoPd or ABC alloy where A is Co, Fe, Ni and B is Co, Fe, Ni and C is Pd, Pt, Au, Cu, Al, W. The thickness of the magnetic layer is less than 50nm. The electric field is formed by applying a voltage to an electrode layer in a stacked structure of the electrode layer, the piezoelectric layer, and the magnetic layer. A magnetization easy axis of the magnetic layer is switched between a thin film and a vertical axis by the magnetic field.
Abstract translation: 目的：使用电压，非易失性，高集成度和省电的磁存储器来控制强电介质薄膜的易磁化轴的方法，以及用于记录信息的方法来控制 通过使用逆磁致伸缩效应和逆压电效应，铁电体膜的旋转方向。 构成：磁存储器包括压电层（21），自由磁性层（22），固定磁性层（24）和非磁性层（22）。 压电层由选自PZT，PLZT，BLY和SBT的压电元件形成。 压电层的厚度小于500nm。 磁性层选自CoPd或ABC合金，其中A为Co，Fe，Ni和B为Co，Fe，Ni和C为Pd，Pt，Au，Cu，Al，W。磁性层的厚度小于 50纳米。 通过向电极层，压电层和磁性层的堆叠结构中的电极层施加电压而形成电场。 磁性层的易磁化轴通过磁场在薄膜和垂直轴之间切换。
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公开(公告)号：KR100294850B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019980022134
申请日：1998-06-13
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 부분용융물질을 이용하여 저온에서 PZT 후막을 제조하는 방법에 관한 것이다. PZT는 Pb
1+x (Zr
y Ti
1-x )O
3 의 조성식을 가지며 전기적으로 우수한 압전 및 유전특성을 갖는 물질로써 PZT는 엑추에이터, 트랜스듀서, 캐퍼시터, 센서 등의 소자로 널리 이용되고 있다. PZT 후막 제조에 있어서는 소결온도가 1,000℃ 이상이면 소결시 및 집적시 실리콘 등의 반도체와 상호 확산반응이나 납성분의 휘발이 일어나 제조에 어려움이 있고, 소결조제를 첨가하여 소결온도를 낮추면 불순물 영향으로 PZT 특성이 저하되는 문제점이 있다. 본 발명은 PZT를 구성하는 원료물질 중에서 용융점이 낮은 물질(PbO, CH
3 COOPbㆍ3H
2 O, Pb(NO
3 )
2 등)과 용융점이 높은 물질(ZrO
2 , TiO
2 , PbZrO
3 , PbTiO
3 등)을 함께 사용하여 1,000℃ 이하의 온도에서 열처리하므로 PZT가 균일하고 미세한 입자들로 형성되며, 소결밀도가 높고 불순물이 함유되지 않아 압전 및 유전 특성이 우수할 뿐만 아니라 반응시간이 짧기 때문에 경제적으로 PZT를 제조할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR101453494B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020120106371
申请日：2012-09-25
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L41/45
Abstract: 본 발명은 압전 고분자 코어-쉘 구조체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 폴리우레탄 아크릴레이트 필러 위에 전도성 폴리머 용액을 증착하여 전극을 제조하고, 상기 전극 위에 압전 고분자 P(VDF-TrFE) 용액을 증착하는 압전 고분자 코어-쉘 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 의하면 하나의 몰드를 통해 폴리우레탄 아크릴레이트 필러를 여러번 복제할 수 있다는 점에서 제조단가를 낮출 수 있으며 대면적 공정이 가능하다. 또한, 수직 정렬된 나노 구조체 및 마이크로 구조체를 제조함으로써 압전센서와 이를 이용한 에너지 하베스터 뿐만 아니라 비휘발성 메모리소자 및 바이오소자 등의 다양한 분야에 적용 가능하다.
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