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11.发明公开
公开(公告)号：KR1020060067170A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040105538
申请日：2004-12-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명에 따른 초전도 전력장치의 효율 향상방법은, 초전도 테이프를 권선하여 제작되는 초전도 전력장치의 효율 향상방법으로서, 상기 초전도 테이프 권선의 일부의 온도를 독자적으로 더욱 낮추어 상기 초전도 테이프 권선에 흐르는 전류를 크게 함으로써 온도가 낮춰지지 않은 다른 부분에서의 자기장 방향을 최대임계전류에 해당하는 자기장 방향과 일치하게 분포시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 온도를 부분적으로 조절함으로써 초전도 전력장치의 효율을 향상시킬 수 있게 된다.
초전도 테이프, 최대임계전류, 자기장, 온도, 효율, 초전도 자석-
公开(公告)号：KR1020010055735A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：KR1019990057015
申请日：1999-12-13
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L39/2454 , B21B3/00 , C30B1/00 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B29/22 , C30B29/225
Abstract: PURPOSE: A tape type metal substrate is provided to have the crystal form of a single crystal level and maintain the direction and alignment of a crystal even when an YBCO film is thickly grown in more than several micrometers. CONSTITUTION: A tape type metal substrate rolls nickel metal having the purity of 99.9% or more into a tape type. The tape type substrate(20) is partially heated. The partially heated substrate is slowly passed through a heating furnace(10) so that its £100| axis can be parallel to the tape surface and its £001| axis can be inclined by an angle of 20-30 degree against the tape surface, in the crystal direction of nickel.
Abstract translation: 目的：提供带状金属基板以具有单晶层的晶体形式，并且即使当YBCO膜在几个微米厚度生长时也保持晶体的方向和取向。 构成：带状金属基材将纯度为99.9％以上的镍金属卷成带状。 带状基材（20）被部分加热。 部分加热的基底缓慢通过加热炉（10），使其£100 | 轴可以平行于磁带表面和其£001 | 在镍的晶体方向上，轴可以相对于带表面倾斜20-30度的角度。
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公开(公告)号：KR100232062B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019970065111
申请日：1997-12-01
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 연속적으로 공급되는 띠형 기판 상에 균일한 박막, 예컨대 고온초전도물질의 박막을 형성하는 방법 및 그에 사용되는 장치에 관해 개시하고 있다. 본 발명은, BaCuO
2 , CuO 및 Y
2 O
3 등의 금속산화물을 가늘고 긴 막대형태로 소결한 것을 레이저로 동시에 가열하여 증발시킴으로써 연속된 띠형 금속기판에 고온 초전도체박막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 균일한 성질을 나타내는 고온 초전도체 단결정 박막을 연속적으로 제조할 수 있으며, 원통형 챔버의 내벽 전체에 띠형 금속기판을 나선형으로 감아 이동시키면서, 빠른 속도로 대량 생산할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980053335A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960072433
申请日：1996-12-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L39/08
Abstract: 본 발명은 큰 임계전류를 가지며 곡면 기판상에 성장된 고온 초전도체 박막과 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 고온 초전도체 물질이 증착되는 기판은 실린더 형상으로 되어 있으며, 상기 실린더형 기판 상에는 완충층이 증착되어 있으며, 상기 완충층 위로는 고온 초전도물질이 막형태로 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막이 제공되며, 또한 상기한 곡면 기판상에 고온 초전도체 박막을 형성하는 방법으로서, 기판을 실린더 형상으로 가공하는 단계, 기판을 회전시키면서 기판위로 완충층을 증착시키는 단계, 상기 완충층 위로는 고온 초전도 물질을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도체 박막의 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 큰 임계전류를 가지는 고온 초전도체 박막을 평면 기판이 아닌 곡면 기판상에 성장시키므로써 그 응용범위를 더욱 확대시킬수 있으며, 구체적으로는 실린더형 기판 상에 형성된 고온 초전도체 박막을 자기장 차폐장치로 사용할 수 있으며, 고온 초전도체 박막을 실린더형 기판 상에 띠 형상으로 패터닝(patterning) 함으로써 3차원 적인 고온 초전도체 코일 등을 제작할 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1020130096102A
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：KR1020120017650
申请日：2012-02-21
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C09J5/00 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/602 , C09J2205/10
Abstract: PURPOSE: An adhesive for a high temperature superconducting tape is provided to be able to adhere/connect while maintaining the superconducting state of a connection part in adhering/connecting two high temperature superconducting tapes. CONSTITUTION: An adhesive comprises thin films (12a,12b) deposited with a composition of Re-Ba-Cu-O with a melting point of 850deg.C or lower. An adhering method of a high temperature superconducting tape comprises a step of forming thin films deposited with a composition of Re-Ba-Cu-O with a melting point of 850deg.C or lower on the facing surface of two high temperature superconducting tapes (10a,10b); a step of pressurizing and heating so that the adhesive melts in the state of a low oxygen partial pressure while heating with pressurizing so as to adhere the formed thin films; and a step of obtaining a superconducting phase + a secondary phase of the high temperature superconducting tape by rapidly increasing the oxygen partial pressure.
Abstract translation: 目的：提供用于高温超导带的粘合剂，以便能够在粘合/连接两个高温超导带的同时保持连接部件的超导状态下粘附/连接。 构成：粘合剂包括用熔点为850℃或更低的Re-Ba-Cu-O组合物沉积的薄膜（12a，12b）。 高温超导带的粘合方法包括在两个高温超导带（10a）的相对表面上形成沉积有Re-Ba-Cu-O组成的薄膜，熔点为850℃或更低的薄膜 ，10B）; 加压和加热的步骤，使得粘合剂在加压加热的同时在低氧分压的状态下熔融，从而粘附所形成的薄膜; 以及通过快速增加氧分压获得高温超导带的超导相+第二相的步骤。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020040074694A
公开(公告)日：2004-08-26
申请号：KR1020030010071
申请日：2003-02-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3497 , H01J37/3417
Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided which is appropriate for prompt evaporation of high temperature superconductor by improving evaporation rate and capable of reducing influence of plasma on substrate. CONSTITUTION: The sputtering apparatus comprises two outer cylinders(20) equipped with rotation central shafts(22) with being parallel to each other and positioned with being spaced apart from each other in a certain distance; sputtering targets(30) installed to go around the outer surface of the outer cylinders and positioned so that the sputtering targets are always oppositely directed to each other; cooling means installed inside the outer cylinders respectively to cool the sputtering targets; a sputtering gas injection pipe for supplying the sputtering gas so that sputtering gas passes through a part adjacent to center of the sputtering targets oppositely directed to each other; a tape type substrate(70) positioned with being oppositely directed to the sputtering gas injection pipe and supplied so that the substrate is moved with being approximately parallel to the respective rotation central shafts of the outer cylinders; and a plasma power supply means for producing plasma(52) by ionizing sputtering gas.
Abstract translation: 目的：提供溅射装置，适用于通过提高蒸发速率及降低等离子体对基板的影响，迅速蒸发高温超导体。 构成：溅射装置包括配备有旋转中心轴（22）的两个外筒（20），它们彼此平行并且以一定距离彼此间隔开定位; 溅射靶（30）安装成围绕外筒的外表面并定位成使得溅射靶总是相互指向的; 冷却装置分别安装在外筒内部以冷却溅射靶; 溅射气体注入管，其用于供给溅射气体，使得溅射气体通过与溅射靶的相反方向相对的中心附近的部分; 位于与溅射气体注入管相反方向定位的带状基底（70），以使得基板与外筒的旋转中心轴大致平行地移动; 以及用于通过电离溅射气体产生等离子体（52）的等离子体供电装置。
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公开(公告)号：KR1020030012350A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：KR1020010046343
申请日：2001-07-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/0078 , C23C14/0063 , C23C14/505 , C23C14/568
Abstract: PURPOSE: An apparatus for fabricating thin film is provided to solve conventional problems of a bad effect on reaction stability and uniformity deterioration of sputtering rate and thin film composition by manufacturing a compound thin film as preventing mixing of reaction gas with sputtering gas. CONSTITUTION: The apparatus for fabricating thin film comprises a process chamber(100) which is divided into three parts of reaction chamber(114), pumping chamber(112) and sputtering chamber(110) from the left side by vertical partitions(100a), and in which penetration holes are formed on the vertical partitions so that the three parts are actually connected; a reaction gas injection port(114a) that is installed on the reaction chamber to inject a reaction gas into the reaction chamber; a sputtering gas injection port(111a) that is installed on the sputtering chamber to inject a sputtering gas into the sputtering chamber; a gas outlet(112a) that is formed on the pumping chamber to exhaust gases in the reaction chamber and the sputtering chamber to the outside; a substrate support(120) which is installed in the sputtering chamber to support a substrate(122) in such a way that the substrate support is reciprocated side to side from the sputtering chamber to the reaction chamber through the pumping chamber; and a sputtering target support(130) that is installed in the sputtering chamber to support a sputtering target(132), wherein the sputtering target is a metallic target, and the substrate support and the sputtering target support are installed in the sputtering chamber in such a way that they are vertically oppositely directed to each other.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜的装置，以解决通过制造化合物薄膜来防止反应气体与溅射气体混合的反应稳定性和溅射速率和薄膜组合物的均匀性劣化的常规问题。 构成：薄膜制造装置包括处理室（100），其由左侧由垂直隔板（100a）分为反应室（114），泵送室（112）和溅射室（110）三部分， 并且其中在垂直隔板上形成贯通孔，使得三个部分实际连接; 反应气体注入口（114a），其安装在所述反应室中以将反应气体注入所述反应室中; 溅射气体注入口（111a），其安装在所述溅射室上以将溅射气体注入到所述溅射室中; 气体出口（112a），其形成在泵送室上以将反应室中的气体和溅射室排出到外部; 衬底支撑件（120），其安装在所述溅射室中以支撑衬底（122），使得所述衬底支撑件通过所述泵送室从所述溅射室一侧往复运动到所述反应室; 以及安装在溅射室中以支撑溅射靶（132）的溅射靶支撑件（130），其中所述溅射靶是金属靶，并且所述衬底支撑件和所述溅射靶支撑件以这样的方式安装在所述溅射室中 它们相互垂直相对的方式。
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公开(公告)号：KR100340784B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019990057015
申请日：1999-12-13
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L39/2454 , B21B3/00 , C30B1/00 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B29/22 , C30B29/225
Abstract: 고온초전도체테이프를제작하기위한테이프형금속기판및 그제조방법에관해개시하고있다. 본발명의기판은 99.9% 이상의순도를가진니켈의결정방향이그 [100]축은테이프면과평행이고, 그 [001]축은상기테이프면에대해일정각도로기울어진것을특징으로한다. 이러한기판을제작하기위해, 순도 99.9% 이상의테이프형니켈을압연-스폿용접-이동식열처리한다. 본발명에따르면, 매우긴 길이의테이프형니켈기판을단결정수준으로제작할수 있다. 이러한니켈기판상에코팅된완충막및 고온초전도막의결정축배열은테이프전체길이에대해서완전성을보이고큰 막두께에대해서도안정성을보인다. 따라서, 이러한결정성에의해테이프전체길이에대한임계전류밀도를매우크게할 수있고, YBCO 고온초전도막의두께를두껍게함으로서총 임계전류도크게할 수있다.
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20.发明公开고온 초전도 Y1Ba2Cu3O7-X(YBCO) 박막을 이용한 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자 및 그 제조방법 失效采用高温超导Y1Ba2Cu3O7-X（YBCO）薄膜的双外延约瑟夫森结器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1019980025767A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960044009
申请日：1996-10-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L39/22
Abstract: 본 발명은 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 고온 초전도 Y
1 Ba
2 Cu
3 O
7-x (YBCO) 박막을 이용한 바이에피택시얼 죠셉슨 접합(bi-epitaxial Josephson junction )소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 고온 초전도체(YBCO)와 결정상수가 비슷한 단결정(SrTiO
3 또는 LaAlO
3 )기판을 c축이 표면 수직 벡터에 대하여 α°기울어지게 자른 다음, 상기 기판에 고온 초전도체와 결정상수 차가 큰 박막(YSZ층)을 rf 스퍼터링(sputtering) 방법으로 증착한 다음, 박막층(YSZ층)의 반쪽을 도 3b의 b축 틸트 바운더리(tilt boundary) 또는 도 3c의 b축 트위스트 바운더리(twist boundary) 형태가 되도록 포토리소그래피(photolithography) 방법과 이온 밀링(ion milling) 방법으로 깍아내고, 그 위에 고온 초전도체와 매칭이 잘되는 박막(CeO
2 )을 rf 스퍼터링 방법으로 증착한 후, 고온 초전도체(YBCO) 박막을 dc 스퍼터링 방법으로 증착하여 죠셉슨 접합소자를 만듦으로써 집적화가 가능하고 수율이 높으며, 기판을 c축이 표면 수직 벡터에 대하여 갖는 임의의 작은각이 되도록 자름으로써 접합각 을 조절할 수 있어 특성(높은 IcRn 값)이 좋은 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자를 얻을 수 있다.
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