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    N-형 반도체 다이아몬드의 제조방법
    11.
    发明公开
    N-형 반도체 다이아몬드의 제조방법 失效
    制造N型半导体金刚石的方法

    公开(公告)号：KR1019980072454A

    公开(公告)日：1998-11-05

    申请号：KR1019970007294

    申请日：1997-03-05

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 유진 ,  이웅선 ,  김정근

    IPC: H01L21/20

    Abstract: n-형 반도체 다이아몬드를 제조하는 방법으로 CVD방법을 이용하여 다이아몬드증착과 동시에 불순물을 도핑한다. N-형 불순물로써 Li화합물과 B화합물을 동시에 도핑한후, 다이아몬드의 표면을 에칭하여 n-형 반도체 다이아몬드를 제조하는 방법으로 비저항 특성이 10
    -2 Ωcm이하의 우수한 특성을 나타내는 다이아몬드를 제조하는 발명이다.

    전기도금법과　고온 산화법을 결합한 금속산화물-탄소나노튜브 복합박막의 제조방법
    13.
    发明公开
    전기도금법과　고온 산화법을 결합한 금속산화물-탄소나노튜브 복합박막의 제조방법 有权
    使用组合电化学沉积和热氧化制备金属氧化物碳纳米管复合膜的方法

    公开(公告)号：KR1020100032012A

    公开(公告)日：2010-03-25

    申请号：KR1020080090949

    申请日：2008-09-17

    Applicant: 한국표준과학연구원 ,  한국과학기술원

    Inventor： 송재용 ,  유진 ,  유정준

    IPC: B82B3/00 ,  B82Y30/00

    CPC classification number: C25D5/54 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/158 ,  C25D7/12 ,  H01J1/304

    Abstract: PURPOSE: A fabricating method of a metal oxide - carbon nanotube composite film is provided to replace all metal thin film materials capable of an electroplating including a semiconductor interconnection material. CONSTITUTION: A fabricating method of a metal oxide - carbon nanotube composite film comprises the following steps: producing metal - carbon nanotube mixing coating liquid by adding a carbon nanotube and an anionic surfactant into a metal plating solution including metal, metal salt or a metal chelating agent; and forming the metal oxide - carbon nanotube composite film by installing a cathode and an anode on the carbon nanotube mixing coating liquid and using an electroplating to form the metal oxide - carbon nanotube composite film on the anode. The metal from the metal or the metal salt is selected from the group consisting of copper(Cu), nickel(Ni), chrome(Cr), zinc(Zn), tin(Sn), silver(Ag), bismuth(Bi), gold(Au), or indium (In).

    Abstract translation: 目的：提供一种金属氧化物 - 碳纳米管复合膜的制造方法，以替代能够包括半导体互连材料的能够进行电镀的所有金属薄膜材料。 构成：金属氧化物 - 碳纳米管复合膜的制造方法包括以下步骤：通过在包括金属，金属盐或金属螯合物的金属电镀溶液中加入碳纳米管和阴离子表面活性剂来生产金属 - 碳纳米管混合涂布液 剂; 并通过在碳纳米管混合涂布液上安装阴极和阳极并使用电镀在阳极上形成金属氧化物 - 碳纳米管复合膜来形成金属氧化物 - 碳纳米管复合膜。 来自金属或金属盐的金属选自铜（Cu），镍（Ni），铬（Cr），锌（Zn），锡（Sn），银（Ag），铋（Bi） ，金（Au）或铟（In）。

    취성파괴 방지를 위한 무연솔더와 금속 표면의 합금원소접합방법
    15.
    发明授权
    취성파괴 방지를 위한 무연솔더와 금속 표면의 합금원소접합방법 失效
    将无铅焊料和金属化合金与合金元素接合以防止脆性断裂的方法

    公开(公告)号：KR100902163B1

    公开(公告)日：2009-06-10

    申请号：KR1020070030556

    申请日：2007-03-28

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 유진 ,  지영근 ,  고용호

    IPC: H01L23/48

    CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K2201/34 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/18 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3463 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

    Abstract: 본 발명은 무연솔더와 니켈이나 구리의 금속층을 합금원소에 의하여 표면처리간의 계면반응 조절에 따른 취성파괴 방지에 관한 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 니켈 혹은 구리로 처리된 전자부품의 접합시 무연솔더에 합금원소(M)를 첨가하여 무연솔더의 조성을 조절하거나 니켈 혹은 구리표면위에 합금원소(M) 중 한 가지 원소를 도금함으로써 솔더 접합부에서 생성되는 금속간화합물의 상(phase)을 변화시켜 취성파괴를 막을 수 있는 접합방법에 관한 것이다.
    본 발명의 특징은 전자부품간의 접합에 있어서, 무전해 니켈 혹은 구리로 표면 처리된 부분에 적절한 함량의 합금원소는 Zn, Al, Be, Si, Ge, Mg로 구성되며 한 가지 이상을 가지는 무연솔더를 사용하거나 상기의 원소 중 하나를 니켈 혹은 구리 표면위에 도금함으로써 리플로우를 거쳤을 때 금속간 화합물의 생성을 억제하는 대신 새로운 금속간 화합물을 나타나게 함으로써 솔더와 표면처리간의 기계적 특성을 크게 증가시킬 수 있는 전자부품의 접합방법을 제공한다. 또한 본 발명은 전자부품과 전자부품을 솔더링 접합시 기존의 무연솔더에서 나타나는 금속간화합물의 변화를 유도하여 취성파괴를 방지함으로써 전자기기의 신뢰성을 보장할 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种连接电子封装部件的方法，包括以下步骤：在具有用铜或镍处理的表面的每个电子封装部件的顶部上回流含有合金元素的无铅焊料; 并将表面处理的电子部件安装在无铅焊料上，然后回流无铅焊料，以在无铅焊料和每个电子部件的表面处理部分之间产生金属间化合物。 或者，根据本发明的接合电子封装部件的方法包括以下步骤：在具有用铜或镍处理的表面的每个电子部件的顶部上形成由合金元件制成的镀层和回流无铅焊料 ; 并将表面处理的电子部件安装在无铅焊料上，然后回流无铅焊料，使包含在镀层中的合金元素扩散到无铅焊料中，并在无铅焊料与无铅焊料之间产生金属间化合物 每个电子部件的表面处理部分。 本发明可以通过在电子器件的电子封装部件焊接在一起时导致由现有的无铅焊料产生的金属间化合物的变化来防止电子封装部件的脆性断裂，从而确保电子器件的可靠性。

    고온고압용 고크롬페라이트계 내열합금 및 제조방법
    18.
    发明授权
    고온고압용 고크롬페라이트계 내열합금 및 제조방법 失效
    高温高压部件制造高耐热耐热钢的方法

    公开(公告)号：KR100268708B1

    公开(公告)日：2000-10-16

    申请号：KR1019980019105

    申请日：1998-05-26

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 유진 ,  구본승 ,  류석현

    IPC: C22C38/54 ,  C22C38/44 ,  C22C38/46 ,  C22C38/52

    Abstract: PURPOSE: A heat resistant alloy of high chrome ferrite series for high temperature and high pressure is provided, which is excellent in ambient temperature tensile strength, ductibility and creep rupture strength. The alloy is made by using copper, nickel and manganese instead of expensive cobalt to get the same effect of cobalt and also can get excellent creep rupture strength of one hundred thousand hours at 600 deg.C and 650 deg.C. CONSTITUTION: The alloy is as follows: (i) main constituents of 0.06-0.25 % of carbon, 8-13 % of chrome, 0.05-1.0 % of molybdenum, 1.0-4.0 % of tungsten, 0.1-0.3 % of vanadium, 0.01-0.1 % of niobium, 0.01-0.1 % of tantalum, 0.001-0.025 % of boron, 0.005-0.07 % of nitrogen; (ii) sub constituents of more than one of element selected from less than 3 % of copper, less than 1.5 % of nickel, less than 1.5 % of manganese, each element being added in a range of less than 13 % of chrome equivalent that is defined as equation (1); (iii) deoxidants and removing agent of non-metallic inclusion; (iv) the balance of iron and impurities, the equation (1) being chrome equivalent(%) = Cr+ 0.8Si + 2Mo + 1W + 4V + 2Nb + 1.7Al + 60B + 2Ti + 1Ta - 2.0Ni - 0.4Mn - 0.6Co - 0.6Cu - 2ON - 2OC (by wt.%).

    Abstract translation: 目的：提供高温高压高铬铁氧体系耐热合金，环境温度拉伸强度，延展性和蠕变断裂强度优良。 该合金通过使用铜，镍和锰代替昂贵的钴来获得相同的钴的效果，并且还可以在600摄氏度和650摄氏度下获得十万小时的优异的蠕变断裂强度。 构成：合金如下：（i）主要成分为碳0.06-0.25％，铬8〜13％，钼0.05〜1.0％，钨1.0-4.0％，钒0.1〜0.3％ -0.1％的铌，0.01-0.1％的钽，0.001-025％的硼，0.005-0.07％的氮; （ii）选自少于3％的铜，少于1.5％的镍，小于1.5％的锰的元素中的多种元素的次成分，每种元素的添加量小于铬当量的13％ 定义为方程（1）; （iii）非金属夹杂剂的脱氧剂和去除剂; （iv）铁和杂质的平衡，式（1）为铬当量（％）= Cr + 0.8Si + 2Mo + 1W + 4V + 2Nb + 1.7Al + 60B + 2Ti + 1Ta-2.0Ni-0.4Mn-0.6 Co-0.6Cu-2ON-20C（重量％）。

    N-형 반도체 다이아몬드의 제조방법
    19.
    发明授权
    N-형 반도체 다이아몬드의 제조방법 失效
    N型半导体制造方法

    公开(公告)号：KR100253115B1

    公开(公告)日：2000-05-01

    申请号：KR1019970007294

    申请日：1997-03-05

    Applicant: 한국과학기술원

    Inventor： 유진 ,  이웅선 ,  김정근

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: H01L21/041 ,  C30B25/02 ,  C30B29/04 ,  H01L21/0405

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing N-type semiconductor diamond is provided to be capable of manufacturing an N-type semiconductor diamond by etching the surface of diamond after Li compound and B compound are simultaneously doped using N-type impurity by means of chemical vapor deposition method. CONSTITUTION: A method for manufacturing N-type semiconductor diamond dopes Li compound being an n-type impurity and boron(B) compound being a p-type impurity on a diamond film at the same time when the diamond film is deposited using chemical vapor deposition method. B compound on the surface layer is removed by etching. Etching of the surface layer employs a hydrogen gas.

    Abstract translation: 目的：提供一种制造N型半导体金刚石的方法，以便通过化学气相沉积法，利用N型杂质同时掺杂Li化合物和B化合物之后，通过蚀刻金刚石表面来制造N型半导体金刚石 方法。 构成：制造N型半导体金刚石掺杂剂的方法在使用化学气相沉积法沉积金刚石膜的同时，在金刚石膜上使用n型杂质的Li化合物和作为p型杂质的硼（B）化合物 方法。 通过蚀刻除去表面层上的B化合物。 表面层的蚀刻采用氢气。

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