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公开(公告)号：KR101919353B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020160028407
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 및상기버퍼층에형성된나노막대층을포함하는질화물반도체나노막대장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
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公开(公告)号：KR101674931B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020150022049
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제1 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제1-A 배리어층을, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을각 포함하되, 제1-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明提供一种使用逐渐阈值屏障的高效率深紫外（DUV）发光二极管（LED），能够提供无电子阻挡层（EBL）的优异的电子阻挡效应。 根据本发明的一个实施例，在从衬底顺序堆叠的N型化合物半导体层，有源层和P型化合物半导体层的高效率DUV LED中，有源层包括三个量子阱层， 以及从N型化合物半导体层围绕三个量子阱层的第一至第四势垒层。 第一阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（1-A）第二阻挡层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （1-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（x）Ga（1-x）N。 （2-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（xa）Ga（1-x + a）N，并且（3-A）第三势垒层的化合物比为Al_（x-2a ）Ga（1-x + 2a）N（其中0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160100425A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150022049
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L2924/12041
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제1 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제1-A 배리어층을, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을각 포함하되, 제1-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明提供一种使用逐渐阈值屏障的高效率深紫外（DUV）发光二极管（LED），能够提供无电子阻挡层（EBL）的优异的电子阻挡效应。 根据本发明的一个实施例，在从衬底顺序堆叠的N型化合物半导体层，有源层和P型化合物半导体层的高效率DUV LED中，有源层包括三个量子阱层， 以及从N型化合物半导体层围绕三个量子阱层的第一至第四势垒层。 第一阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（1-A）第二阻挡层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （1-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（x）Ga（1-x）N。 （2-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（xa）Ga（1-x + a）N，并且（3-A）第三势垒层的化合物比为Al_（x-2a ）Ga（1-x + 2a）N（其中0
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公开(公告)号：KR101512958B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130094636
申请日：2013-08-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 사파이어 기판 위에 템플레이트층을 형성함에 있어서 별도의 마스크나 복잡한 공정 없이 시간과 비용을 단축시키기 위하여 간단한 질화처리 또는 Al 처리와 식각을 통하여 나노구조 질화물 반도체층을 형성하여, 이러한 템플레이트층 위에 제조되는 반도체 소자(예, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지 등)가 저 결함의 질화물 반도체 기반으로 제작되어 광추출 효율이 향상될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明形成通过简单的氮化或Al工艺和蚀刻单独的掩模或具有纳米结构的氮化物半导体层，以减少时间和成本而没有任何复杂的工艺中形成在蓝宝石基板上的模板层，该模板层上制造 其中衬底用于高品质的半导体器件，其（例如，发光二极管（LED），激光二极管（LD），太阳能电池等）是由基于半导体氮化物低缺陷的半导体器件制造方法可提高提取效率 它涉及。
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公开(公告)号：KR1020150018118A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130094636
申请日：2013-08-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 사파이어 기판 위에 템플레이트층을 형성함에 있어서 별도의 마스크나 복잡한 공정 없이 시간과 비용을 단축시키기 위하여 간단한 질화처리 또는 Al 처리와 식각을 통하여 나노구조 질화물 반도체층을 형성하여, 이러한 템플레이트층 위에 제조되는 반도체 소자(예, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지 등)가 저 결함의 질화물 반도체 기반으로 제작되어 광추출 효율이 향상될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及制造用于高质量半导体器件的衬底的方法，其能够通过在模板层（例如发光二极管（LED），激光二极管（LED）等）上制造半导体器件来提高光提取的效率 LD）和太阳能电池），通过简单的硝化处理或AI处理和蚀刻形成纳米结构氮化物半导体层，以便在没有复杂工艺或成形的额外掩模的情况下降低成本和时间，基于具有低故障的氮化物半导体 蓝宝石衬底上的模板层。
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公开(公告)号：KR1020140134809A
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130054465
申请日：2013-05-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 형성되는 질화물 반도체층 사이에 양자섬(Quantum Island)을 삽입한 후 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及制造高质量半导体衬底的方法。 具有提高的内部量子效率的高质量半导体衬底可以通过在将量子岛插入形成在诸如蓝宝石的衬底上的氮化物半导体层之后使用用于再生长具有低缺陷密度的氮化物半导体层的模板层来制造 。
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公开(公告)号：KR101402785B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020110145408
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체층에서 발생하는 면 적층 결함(BSFs)이 없도록 하기 위하여 반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 반극성 질화물 반도체 결정을 형성하되, 산화막, 질화막 등 절연막 마스크를 일정 두께 이상 형성 후 그 사이의 윈도우를 통해 질화물 반도체 결정을 성장시켜 절연막 마스크에 의한 적층 결함(BSFs)의 측면 성장을 블로킹함으로써, 절연막 마스크 패턴 위로는 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 이루어지도록 하고, 그 위에 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 반도체 소자를 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
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