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公开(公告)号：KR1020110022451A
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020090080056
申请日：2009-08-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: PURPOSE: A high quality non-polar/antipolarity semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the defect of a template layer and improve the crystalline quality by forming the template layer as a double buffer layer. CONSTITUTION: A sapphire substrate(110) comprises a crystal plane for the growth of non-polar or the antipolarity nitride semiconductor layer. A template layer(120) is formed on the sapphire substrate. The template layer comprises a low temperature buffer layer(121) and a high temperature buffer layer(122). The high temperature buffer layer is formed at the temperature higher than the formation temperature of the low temperature buffer layer.
Abstract translation: 目的：提供高质量的非极性/反极性半导体器件及其制造方法，以通过将模板层形成为双缓冲层来减少模板层的缺陷并提高结晶质量。 构成：蓝宝石衬底（110）包括用于生长非极性或反极性氮化物半导体层的晶面。 在蓝宝石衬底上形成模板层（120）。 模板层包括低温缓冲层（121）和高温缓冲层（122）。 在比低温缓冲层的形成温度高的温度下形成高温缓冲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130124766A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120048148
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/20
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a substrate for a high-quality semiconductor device capable of manufacturing a high-quality semiconductor device with improved inner quantum efficiency and light extraction efficiency by reforming the surface to be have pores and using a template layer to regrow a nitride semiconductor layer having low defect density on the surface in a dry-etching method at HVPE, MOCVD, or CVD device which forms the nitride semiconductor layer on a substrate such as sapphire, injects HCL gas, and makes the same react at high temperatures. [Reference numerals] (S10) Forming template layer;(S20) Porous etching;(S30) Regrowth
Abstract translation: 本发明涉及一种高质量半导体器件用基板的制造方法，其能够通过将具有孔隙的表面重整并使用模板层来制造具有提高的内量子效率和光提取效率的高质量半导体器件 在HVPE，MOCVD或CVD装置上，在形成氮化物半导体层的诸如蓝宝石的衬底上，以干蚀刻方法在表面上重新生长具有低缺陷密度的氮化物半导体层，注入HCL气体，并使其在高温下反应 温度。 [数据]（S10）形成模板层;（S20）多孔蚀刻;（S30）再生长
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公开(公告)号：KR1020130076957A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145408
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high quality semiconductor device on a BSFS-free nitride semiconductor is provided to improve the recombination of electrons and holes by using a template layer for restraining a piezoelectric effect. CONSTITUTION: A substrate (110) is prepared. A mask pattern composed of an insulating layer is formed on the substrate. A nitride semiconductor layer is formed. The height of the nitride semiconductor layer is same as the height of the mask pattern. A template layer (120) is formed. A semiconductor device structure is formed on the template layer. [Reference numerals] (110) Substrate; (120) Template layer; (130) LED layer
Abstract translation: 目的：提供一种在无BSFS的氮化物半导体上制造高质量半导体器件的方法，通过使用用于抑制压电效应的模板层来改善电子和空穴的复合。 构成：准备衬底（110）。 在基板上形成由绝缘层构成的掩模图案。 形成氮化物半导体层。 氮化物半导体层的高度与掩模图案的高度相同。 形成模板层（120）。 在模板层上形成半导体器件结构。 （附图标记）（110）基板; （120）模板层; （130）LED层
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公开(公告)号：KR101173072B1
公开(公告)日：2012-08-13
申请号：KR1020090080057
申请日：2009-08-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 비극성/반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 질화물 반도체 결정을 형성하여 극성 질화물 반도체의 활성층에서 발생하는 압전현상(piezoelectric effect)을 제거하고, 일정 방향으로 경사면을 이루는 사파이어 결정면의 해당 오프-축(off-axis) 상에 템플레이트(template) 층을 형성하여 반도체 소자의 결함 밀도를 줄이고 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 비극성 또는 반극성 질화물 반도체층의 성장을 위한 결정면을 갖는 사파이어 기판 상에 템플레이트층과 반도체 소자 구조를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법에서, 상기 사파이어 기판은 결정면이 일정 방향으로 틸트(tilt)된 기판이며, 상기 틸트된 기판 위에 질화물 반도체층과 GaN층을 포함하는 상기 템플레이트층을 형성하는 방법이다.
반도체 광소자, 비극성, 반극성, 사파이어 기판, 경사각, LED-
公开(公告)号：KR101082784B1
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020090080056
申请日：2009-08-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: 본발명은비극성/반극성질화물반도체층성장이가능한사파이어결정면위에질화물반도체결정을형성하여극성질화물반도체의활성층에서발생하는압전현상(piezoelectric effect)을제거하고, 템플레이트(template) 층을이중버퍼층으로형성하여반도체소자의결함밀도를줄이고내부양자효율과광추출효율을향상시킨고품질비극성/반극성반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따라비극성또는반극성질화물반도체층의성장을위한결정면을갖는사파이어기판상에템플레이트층과반도체소자구조를형성하는반도체소자의제조방법에서, 상기템플레이트층을형성하는과정은, 제1 온도에서제1 질화물반도체버퍼층을형성하는과정, 상기제1 질화물반도체버퍼층위에상기제1 온도보다높은제2 온도에서제2 질화물반도체버퍼층을형성하는과정, 및상기제2 질화물반도체버퍼층위에 GaN층을형성하는과정을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110022452A
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020090080057
申请日：2009-08-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A high quality non-polar/semi-polar semiconductor device on tilted substrate and a manufacturing method thereof are provided to reduce the defect of the template layer by improving the surface shape by forming the template layer on the off-axis of the sapphire crystal side forming the inclination in the specified direction. CONSTITUTION: The sapphire substrate comprises the crystal plane for the growth of the non-polar or the antipolarity nitride semiconductor layer. The crystal plane of the sapphire substrate comprises the A-side, the M-side, and the R-side. A template layer(120) is formed on the sapphire substrate. The template layer comprises the nitride semiconductor layer and the GaN layer. A light emission diode layer(130) is formed on the template layer.
Abstract translation: 目的：提供倾斜衬底上的高品质非极性/半极性半导体器件及其制造方法，其制造方法通过在蓝宝石的离轴上形成模板层来改善表面形状来减少模板层的缺陷 晶体侧在指定方向上形成倾斜。 构成：蓝宝石衬底包括用于生长非极性或反极性氮化物半导体层的晶面。 蓝宝石衬底的晶面包括A侧，M侧和R侧。 在蓝宝石衬底上形成模板层（120）。 模板层包括氮化物半导体层和GaN层。 在模板层上形成发光二极管层（130）。
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