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公开(公告)号:KR101414570B1
公开(公告)日:2014-07-03
申请号:KR1020120081217
申请日:2012-07-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 실리콘 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 (a) 제1 도전형 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 전면에, 상기 실리콘 태양전지의 전면전극의 형성 위치에 대응하는 개구부를 가지도록 마스킹 페이스트를 이용하여 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 개구부를 통해 노출된 상기 실리콘 기판의 전면의 제1 영역에 제2 도전형 불순물이 함유된 도핑 페이스트를 프린팅하여 건조하는 단계; (c) 상기 패턴을 제거하는 단계; (d) 상기 실리콘 기판을 제1 열처리하여, 상기 도핑 페이스트에 함유된 제2 도전형 불순물을 상기 제1 영역을 통해 상기 실리콘 기판 내부로 제1 확산시킴으로서 제1 에미터층을 형성하는 단계; 및 (e) 제2 도전형 불순물을 도핑하기 위한 도핑가스 분위기에서 상기 실리콘 기판을 제2 열처리하여, 제2 에미터층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 본 발명은 패턴을 이용하여 증착된 도핑 페이스트의 넓게 퍼지는 현상을 억제함으로써 전면전극과 에미터층 사이의 접촉저항을 일정 수준 이하로 작게 유지할 수 있다.
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公开(公告)号:KR102138688B1
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:KR1020180159451
申请日:2018-12-11
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/052 , H01L35/32 , H01L31/0368 , H01L31/18 , H01L35/04 , H01L31/0224
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公开(公告)号:KR102087813B1
公开(公告)日:2020-03-19
申请号:KR1020180074799
申请日:2018-06-28
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0328 , H01L31/02
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公开(公告)号:KR1020170043782A
公开(公告)日:2017-04-24
申请号:KR1020150143276
申请日:2015-10-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/04 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 더상세하게는나노표면구조를이용하여도금전극의부착력을향상시킨결정질실리콘태양전지및 이의제조방법에대한것이다. 본발명에따르면, 도금전극이형성되는부분에나노구조를갖는실리콘표면을형성시켜부착력을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池,更具体地涉及一种具有改进的使用纳米表面结构的电镀电极的附着力的晶体硅太阳能电池及其制造方法。 根据本发明,可以在形成电镀电极的部分形成具有纳米结构的硅表面,从而提高了粘附性。
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公开(公告)号:KR1020140015835A
公开(公告)日:2014-02-07
申请号:KR1020120081218
申请日:2012-07-25
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a silicon solar cell and the present invention comprises: (a) a step of processing surface texturing with a first conductivity type impurity which was doped to the front surface of a silicon substrate; (b) a step of forming patterns using a masking paste to the front surface of the silicon substrate of which the surface texturing is finished to the location where it corresponds to a front electrode to form an opening; (c) a step of etching a first area of the front silicon surface exposed by the opening; (d) a step of removing the patterns formed by the masking paste; (e) a step of forming an emitter layer to the etching location from step (c) so as to diffuse a second conductivity type impurity; (f) a step of forming a reflection film that is equipped with a passivation layer on the front silicon surface; (e) and a step of forming the front electrode on the upper part of the emitter layer. By doing so, the present invention may flatten the area corresponding to the front electrode of the silicon substrate so that it may improve the efficiency of the silicon solar cell by reducing the possibilities of disconnection according to the uneven surface structure when conventionally forming the front electrode.
Abstract translation: 硅太阳能电池的制造方法技术领域本发明涉及硅太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:(a)在第一导电型杂质的表面上掺杂硅衬底的表面的工序; (b)使用掩模糊形成图案的步骤,其中所述表面纹理完成到所述硅衬底的正面,其与所述前电极对应的位置形成开口; (c)蚀刻由所述开口露出的所述前硅表面的第一区域的步骤; (d)去除由掩模膏形成的图案的步骤; (e)从步骤(c)向蚀刻位置形成发射极层以扩散第二导电类型杂质的步骤; (f)在前硅表面上形成配备有钝化层的反射膜的步骤; (e)和在发射极层的上部形成正面电极的步骤。 通过这样做,本发明可以使与硅衬底的前电极相对应的面积变平,从而通过根据不均匀的表面结构减少断开的可能性,可以提高硅太阳能电池的效率 。
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公开(公告)号:KR102137258B1
公开(公告)日:2020-07-22
申请号:KR1020200004346
申请日:2020-01-13
Applicant: 부경대학교 산학협력단 , 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L31/049 , H01L31/18 , C09C1/36 , C09D11/037 , B41M1/12
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公开(公告)号:KR101619831B1
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:KR1020140182280
申请日:2014-12-17
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/049 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/049 , H01L31/18
Abstract: 본발명은태양전지에관한것으로서, 더상세하게는광 유도도금(LIP: Light Induced Plating)에서후면전극보호용절연층을적용하는태양전지및 이의제조방법에대한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池。 更具体地说,本发明涉及一种用于在光电镀(LIP)中涂覆用于后电极保护的绝缘层的太阳能电池及其制造方法,其不会在整个电极中发生金属损失。
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公开(公告)号:KR102215322B1
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:KR1020190029377
申请日:2019-03-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0376
Abstract: 본발명의일실시예에따른실리콘태양전지는실리콘기판, 상기실리콘기판의전면에위치하는에미터층, 상기에미터층의전면에위치하는패시베이션막, 상기에미터층에전기적으로연결되는전면전극, 상기실리콘기판의후면에위치하는터널링층, 상기터널링층후면에위치하고밴드갭이실리콘보다작은반도체물질을포함하는후면전계층및 상기후면전계층에전기적으로연결되는후면전극을포함할수 있고, 상기후면전계층을도입하여실리콘이흡수하지못하는여분의빛을흡수함으로써태양전지의광흡수율을증대시킬수 있다.
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