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公开(公告)号：KR1020060067100A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050037956
申请日：2005-05-06
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/0259 , H01L27/0285 , H01L27/0288
Abstract: 본 발명은 반도체 집적회로(Integrated Circuit)에 적용되는 반도체 제어 정류기(Silicon Controlled Rectifier; SCR)를 이용한 정전기 방전(Electro-static discharge; ESD) 보호 회로에 관한 것으로, 3중 웰 구조의 반도체 기판을 사용하여 ggNMOS 소자의 기판에 해당하는 p웰에 바이어스를 인가할 수 있도록 함으로써 반도체 제어 정류기의 트리거 전압이 종래보다 감소될 수 있으며, PNP 및 NPN 바이폴라 트랜지스터로 구성되는 두 개의 반도체 제어 정류기를 통해 방전 경로가 형성되도록 함으로써 방전 용량이 증대될 수 있다.
정전기 방전(ESD), 보호 회로, 반도체 제어 정류기(SCR), 트리거 전압, RC 네트워크Abstract translation: 本发明是一种半导体集成电路（集成电路）的半导体可控整流器的是适用于使用的半导体基板的是，的用于保护电路;;静电放电（ESD静电放电）采用三层阱结构（可控硅SCR） 通过使得可以在半导体可控整流器的触发电压施加偏压施加到p阱的GGNMOS器件的基板这可以比常规被减小，通过两个半导体可控整流器由PNP和NPN双极型晶体管的放电通路 这样可以增加放电容量。
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公开(公告)号：KR1020060065463A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020050052149
申请日：2005-06-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/018528 , H04L25/0272
Abstract: 본 발명의 저전압 차동신호 구동회로는 전원전압 단자와 접지 단자 사이에 접속되어 차동 증폭 신호들을 출력하는 차동 증폭 신호 발생부와, 차동 증폭 신호들에 따라 커먼모드 전압을 생성하는 커먼모드 전압 생성부와, 전원전압 단자 및 차동 증폭 신호 발생부의 출력 단자들 사이에 접속되며 커먼모드 전압에 따라 저항이 변하는 가변부하 소자들을 포함하며, 낮은 공급전원에서 고속으로 동작이 가능하고, 공급전원과 동작온도 및 제조공정 등의 변화에 대하여 안정된 신호 잡음 특성과 차동 출력 신호의 크기를 제공하여, 저전압 동작환경에 적용이 용이하다.
저전압, 차동신호, 공급전원, 동작온도, 귀환, 위상, 옵셋, 커먼모드-
公开(公告)号：KR1020040036410A
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020020065430
申请日：2002-10-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An infrared detecting pixel is provided to facilitate fabrication of the structure of a detection part and maximize an effective detecting area by separating the detection part from a substrate having a read-out integrated circuit by a gap and by electrically connecting electrodes of the detection part and the read-out integrated circuit by a pillar. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) includes the read-out integrated circuit. The detection part detects infrared rays, located over the semiconductor substrate and spatially separated from the substrate. A plurality of support units have a dual cylinder structure made of outer insulation pillars(104a,104b) and inner conductive bridges(106a,106b), connecting the semiconductor substrate with the detection part. A signal detected by the detection part is delivered to the read-out integrated circuit of the semiconductor substrate through the conductive bridge.
Abstract translation: 目的：提供一种红外线检测像素，以便于制造检测部件的结构，并通过将检测部分与具有读出集成电路的基板间隔开来并通过电连接检测电极而使检测部分分离，从而使检测部分最大化 部分和读出的集成电路由一个支柱。 构成：半导体衬底（100）包括读出的集成电路。 检测部分检测位于半导体衬底上并与衬底空间分离的红外线。 多个支撑单元具有由外绝缘柱（104a，104b）和内导电桥（106a，106b）制成的双圆筒结构，其将半导体衬底与检测部分连接。 由检测部检测的信号通过导电桥传送到半导体基板的读出集成电路。
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公开(公告)号：KR1020030083206A
公开(公告)日：2003-10-30
申请号：KR1020020021644
申请日：2002-04-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03L7/099
CPC classification number: H03L1/00 , H03L7/0995
Abstract: PURPOSE: An adaptive loop gain control circuit for voltage controlled oscillator is provided to obtain a stable operational characteristic by compensating the oscillating control current and a gain of a PLL(Phase Locked Loop) according to a supply voltage and a variation of temperature. CONSTITUTION: An adaptive loop gain control circuit for voltage controlled oscillator includes a detection voltage generator(210) and a control circuit(220). The detection voltage generator(210) generates a detection voltage signal corresponding to a driving voltage and a variation of temperature. The control circuit(220) outputs an oscillation control current signal corresponding to the detection voltage signal and an input control voltage signal. The detection voltage generator(210) includes a noise filter in order to remove noise elements from the detection voltage signal. The noise filter is formed with a resistance and a capacitor.
Abstract translation: 目的：提供一种用于压控振荡器的自适应环路增益控制电路，通过根据电源电压和温度变化补偿振荡控制电流和PLL（锁相环）的增益来获得稳定的工作特性。 构成：用于压控振荡器的自适应环路增益控制电路包括检测电压发生器（210）和控制电路（220）。 检测电压发生器（210）产生对应于驱动电压和温度变化的检测电压信号。 控制电路（220）输出与检测电压信号对应的振荡控制电流信号和输入控制电压信号。 检测电压发生器（210）包括噪声滤波器，以便从检测电压信号中去除噪声元素。 噪声滤波器由电阻和电容器形成。
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公开(公告)号：KR1019990052189A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071638
申请日：1997-12-22
IPC: H04L7/033
Abstract: 본 발명은 디지털 데이터를 동기 전송하는 시스템의 수신 장치에서 수신된 데이터 신호와 국지 클럭간의 위상차를 검출하기 위한 위상 비교 검출기 및 검출방법에 관한 것으로서, 입력되는 데이터 신호의 천이를 검출하고 천이 신호를 출력하는 천이 검출부와, 리셋 신호의 신호 폭과 지연된 국지 클럭을 제공하는 제 2, 제 3 시간 지연장치와, 데이터 천이 신호와 지연된 국지 클럭 신호를 클럭으로 하고 논리값 "1"을 데이터로 하여 2개의 위상 정보 신호를 출력하는 위상 정보 검출부와, 상기 위상 정보 검출부로부터 출력되는 2개의 위상 정보 신호로부터 데이터 신호와 국지 클럭 신호간의 위상차를 나타내는 펌프업 신호와 기준 신호인 펌프다운 신호를 출력하는 결정부로 구성되어, 펌프업 신호와 펌프다운 신호를 출력하는 신호 천이 방식에 의한 위� � 비교 검출기 및 검출방법을 제공함으로써, 수신된 데이터 신호와 국지 클럭 신호의 위상을 D 플립플롭을 이용하여 간접적으로 위상 비교하여 소자 공정의 변화에 무감하게 신호들간의 위상차에 상응하는 위상 정보를 검출하므로서 위상 동기 에러를 최소화하고, 복구된 데이터 신호와 국지 클럭간의 타이밍 이득을 극대화할 수 있으며, 고속 디지털 데이터 전송 시스템에 있어서 데이터 신호를 효과적으로 처리할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019930011282A
公开(公告)日：1993-06-24
申请号：KR1019910021081
申请日：1991-11-25
IPC: H01L29/70
Abstract: 본 발명은 정보의 고속처리를 요하는 시스템에 사용되는 바이폴라 소자구조 및 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 바이폴라 소자의 구조는 다결정 실리콘 전극들간의 트렌치 격리영역을 정의하기 위한 측벽 질화막을 에미터다결정 실리콘 전극의 안쪽에 정의함으로써 공정 신뢰도 측면에서 두가지의 문제점을 가지고 있다.
첫째로 P+다결정 실리콘의 선택적 건식식각을 위한 다결정 실리콘 산화막 성장시 다결정 실리콘 내에서의 붕소 역산화에 의한 베이스-컬렉터 접합 깊이의 불균일성 활성 및 비활성 베이스 영역을 형성하기 위한 붕소의 동시 주입 등을 베이스 접합깊이와 불순물 분포의 제어를 곤란하게 한다.
둘째로 소자의 전체 크기를 결정하는 P+다결정 실리콘의 선행 정의는 각 전극간의 전기적 격리를 위한 다결정실리콘의 건식식각시 식각종점의 결정을 곤란하게 한다.
또한 증착 산화막에 의한 트렌치 격리영역의 목구공정은 다결정 실리콘 에미터 표면의 손상을 가져올 수 있다. 본 발명은 각 다결정 실리콘 전극간의 트렌치 격리영역을 정의하기 위한 측멱 질화막을 에미터 다결정 실리콘전극의 바깥쪽으로 형성함으로써, 다결정 실리콘의 식각종짐의 결정을 용이하게 하고, 또한 에미터 다결정 실리콘 전극상에 질화막과 N+다결정 실리콘을 이용함으로써 트렌치 격리영역의 복구를 위한 증착산화막의 건식식각의 종점의 절정과 베이스 영역에서의 불순물 분포의 제어를 용이하게 하고, 또한 다결정 실리콘 전극상에 실리사이드가 선택적으로 자기 정렬되는 구조척 개선을 통하여 공정 신뢰도와 바이폴라 소자의 성능을 향상시키도록한 것이다.
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