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公开(公告)号：KR1020100060107A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080118553
申请日：2008-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03F3/193 , H03F1/0211 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F2200/451
Abstract: PURPOSE: A super high frequency amplifier and a bias circuit for the same are provided to optimize performance by adjusting a source voltage, regardless of a change in the properties of a depletion-type FET(Field Effect Transistor) due to the process change. CONSTITUTION: An amplifier circuit amplifies a high frequency signal through a depletion-type FET(30). An input matching circuit(20) matches the inputted high frequency signal in the depletion-type FET. An output matching circuit(40) matches the amplified signal, and thereby outputs the matched signal. A bias circuit(80) gives a negative value to a voltage between a gate and a source of the depletion-type FET by applying a positive voltage to the source of the depletion-type FET. The bias circuit tunes the voltage between the gate and the source by changing the positive voltage applied to the source.
Abstract translation: 目的：提供超高频放大器和偏置电路，以通过调节源极电压来优化性能，而不管由于过程变化而导致的耗尽型FET（场效应晶体管）的特性变化。 构成：放大器电路通过耗尽型FET（30）放大高频信号。 输入匹配电路（20）匹配耗尽型FET中输入的高频信号。 输出匹配电路（40）匹配放大的信号，从而输出匹配信号。 偏置电路（80）通过向耗尽型FET的源极施加正电压来给出耗尽型FET的栅极和源极之间的电压的负值。 偏置电路通过改变施加到源极的正电压来调节栅极和源极之间的电压。
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公开(公告)号：KR100911431B1
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：KR1020070086662
申请日：2007-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명의 실시예에 의한 저조파 혼합기는, 국부발진(LO) 신호 및 RF 신호에 의해 스위칭 동작을 수행하는 제 1 및 제 2트랜지스터(Q1, Q2)가 구비된 믹서 코어부와; 상기 믹서 코어부에 구비된 트랜지스터의 비선형성을 극대화하는 바이어스를 인가하는 전원부(VCC)와; 상기 믹서 코어부에 RF 신호를 인가하는 RF 포트와; 상기 믹서 코어부에 LO 신호를 인가하는 LO 포트와; 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터에 인가되는 RF 신호가 서로 180도의 위상차를 가지도록 구비되는 제 1 위상 지연회로 및 제 2 위상 지연회로를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
Mixer, sub-harmonic-
公开(公告)号：KR1020090054880A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：KR1020080021063
申请日：2008-03-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01P5/10
Abstract: A broadband balun is provided to allow easy design and manufacture of an integrated circuit by improving the integration degree and product yield. A broadband balun comprises a first circuit(10) and a second circuit(20), and a first circuit comprises a first signal wire(111), a third signal wire(113), and a first coupler. The first coupler couples a first signal wire and a third signal wire. The first signal wire is connected to an input port(PORT1), and the third signal wire is connected to an output port(PORT2). A second circuit comprises a second signal line(112), a fourth signal line(114), and a second coupler, and the second coupler couples the second signal line and the fourth signal line.
Abstract translation: 提供宽带平衡 - 不平衡变压器，以便通过提高集成度和产品产量来简化设计和制造集成电路。 宽带平衡 - 不平衡变换器包括第一电路（10）和第二电路（20），第一电路包括第一信号线（111），第三信号线（113）和第一耦合器。 第一耦合器耦合第一信号线和第三信号线。 第一条信号线连接到输入端口（PORT1），第三根信号线连接到输出端口（PORT2）。 第二电路包括第二信号线（112），第四信号线（114）和第二耦合器，并且第二耦合器耦合第二信号线和第四信号线。
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公开(公告)号：KR100801570B1
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：KR1020060122144
申请日：2006-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/189
CPC classification number: H03F1/56 , H01P1/2135 , H03F3/193 , H03F3/604
Abstract: A UHF(Ultra High Frequency) amplifier is provided to minimize variation of a capacitance due to variation of a manufacturing condition by maintaining a constant capacitance irrespective of a thickness variation of a dielectric material. An amplifier amplifies a high frequency signal. Input matching circuits(110,130) match the high frequency signals from input terminals with each other and supply the matched signals to the amplifier. Bias supply units(150,160,170,180) supply bias voltages to the amplifier. Output matching circuits(120,135) deliver the high frequency signal amplified at the amplifier to an output terminal. A DC block/RF(Radio Frequency) matching unit(101,126,136) is coupled between the input terminal and the input matching circuit or between the output matching circuit and the output terminal, and is configured to have first and second strip lines having a spiral or curved shape.
Abstract translation: 提供UHF（超高频）放大器，以通过保持恒定的电容来最小化由于制造条件的变化引起的电容变化，而与电介质材料的厚度变化无关。 放大器放大高频信号。 输入匹配电路（110,130）将来自输入端子的高频信号彼此匹配，并将匹配的信号提供给放大器。 偏置电源单元（150,160,170,180）向放大器提供偏置电压。 输出匹配电路（120,135）将放大器放大的高频信号传送到输出端。 DC块/ RF（射频）匹配单元（101,126,136）耦合在输入端子和输入匹配电路之间或耦合在输出匹配电路和输出端子之间，并且被配置为具有第一和第二带状线，其具有螺旋形或 弯曲的形状。
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公开(公告)号：KR1020070059842A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060044929
申请日：2006-05-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C25D5/54
Abstract: A gold bump structure which can reduce defective proportion generated due to causes such as lead opening and the like in a process of bonding the gold bump to semiconductor chips and so on by improving non-uniformity of the gold bump with respect to thickness of a gold bump formed by a plating process, and a fabrication method of the gold bump structure are provided. A gold bump comprises: a seed metal layer formed on a substrate; a plating bump layer formed on an upper portion of the seed metal layer; and a domed gold-rich process alloy formed on an upper portion of the plating bump layer and made from a metal with a low melting point. A fabrication method of a gold bump comprises the steps of: forming a seed metal layer(23) on a substrate(21); plating and forming a gold bump layer(25) on the seed metal layer; forming a metal layer with a low melting point on the gold bump layer; and forming a domed gold-rich process alloy(27) on an upper portion of the low melting point metal layer-formed gold bump layer. The method further comprises the steps of: forming an adhesion layer(22) between the seed metal layer and the substrate; removing the exposed seed metal layer and the adhesion layer under the exposed seed metal layer; and forming a photosensitive film for forming patterns of the gold bump layer.
Abstract translation: 一种金凸块结构，其可以通过改善金凸块相对于金的厚度的不均匀性，从而在金凸块与半导体芯片等接合的过程中减少由于诸如引线开口等原因而产生的不良比例 提供通过电镀工艺形成的凸块，以及金凸块结构的制造方法。 金凸块包括：形成在基板上的种子金属层; 形成在种子金属层的上部的电镀突起层; 以及形成在电镀凸块层的上部并由具有低熔点的金属制成的穹顶金富余工艺合金。 金凸块的制造方法包括以下步骤：在基底（21）上形成种子金属层（23）; 电镀并在种子金属层上形成金突起层（25）; 在金凸点层上形成具有低熔点的金属层; 以及在低熔点金属层形成的金凸块层的上部形成圆顶状富金合金（27）。 该方法还包括以下步骤：在种子金属层和基底之间形成粘合层（22）; 去除暴露的种子金属层下的暴露的种子金属层和粘附层; 以及形成用于形成金凸块层的图案的感光膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100631051B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050084755
申请日：2005-09-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: A method for manufacturing a pseudo morphic high electro mobility transistor is provided to improve the electric property and to increase breakdown voltage by forming a passivation layer having double recess structure. A cap layer(24) and a channel layer(22) are formed on a substrate(20). A source/drain(26) is formed on the cap layer. A first passivation layer(27) is formed, and then patterned to expose the cap layer in a channel region. A first recess structure is formed by removing the exposed cap layer. A second passivation layer is formed on the entire surface of the resultant structure. A second recess structure is formed by patterning the second passivation layer(29) to expose the substrate of the first recess structure. A multi-layered photosensitive film is formed, and then patterned to have an opening of gate shape and to expose the substrate through the second recess structure. A gate is formed to connect to the substrate through the second recess structure by removing the multi-layered photosensitive film, after depositing a metal on the resultant structure.
Abstract translation: 提供了一种用于制造拟态高电动迁移率晶体管的方法，以通过形成具有双凹陷结构的钝化层来改善电特性并增加击穿电压。 盖层（24）和沟道层（22）形成在衬底（20）上。 源极/漏极（26）形成在盖层上。 形成第一钝化层（27），然后将其图案化以暴露沟道区中的盖层。 通过去除暴露的盖层来形成第一凹陷结构。 在所得结构的整个表面上形成第二钝化层。 通过图案化第二钝化层（29）以暴露第一凹陷结构的衬底来形成第二凹陷结构。 形成多层光敏膜，然后将其图案化以具有栅极形状的开口并通过第二凹陷结构暴露衬底。 在将金属沉积在所得结构上之后，通过去除多层光敏膜，形成栅极以通过第二凹陷结构连接到基板。
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公开(公告)号：KR100609681B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020030090037
申请日：2003-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03D7/12
Abstract: 믹서 회로를 제공한다. 본 발명의 믹서 회로는 소스 단자를 접지하는 전계 효과 트랜지스터와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 단자에 접속되고, LO 신호를 상기 전계 효과 트랜지스터에 전달하는 LO 정합 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 단자에 접속되고, LO 신호를 입력 받아 LO 정합 회로를 통하여 LO 주파수 대역의 신호를 상기 전계 효과 트랜지스터에 공급하는 신호 결합기 회로를 포함한다. 그리고, 본 발명의 믹서 회로는 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되고, IF 신호를 입력 받아 IF신호를 상기 전계 효과 트랜지스터에 전달하는 IF 정합 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되어 바이어스를 가할 수 있는 게이트 바이어스 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어 바이어스를 가할 수 있는 드레인 바이어스 회로와, 상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인 단자에 연결되어, RF 신호를 RF 출력 단자로 전달하는 RF 정합 회로를 구비한다. 본 발명의 믹서 회로는 LO 신호의 삽입 손실을 감소시키고 DC 차단과 동시에 저주파수 대역의 불요신호의 영향을 차단할 수 있고, LO 신호의 누설에 기인한 신호 변형 특성을 개선할 수 있다.
믹서 회로, 전계 효과 트랜지스터, 신호 결합기 회로-
公开(公告)号：KR1020060061628A
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040100422
申请日：2004-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/189
CPC classification number: H03F3/193 , H03F1/0266 , H03F1/56 , H03G1/0029
Abstract: 본 발명은 안정화 회로가 구비된 고주파 증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소정의 고주파 신호를 증폭하기 위한 트랜지스터를 포함하는 고주파 증폭기에 있어서, 상기 트랜지스터의 입력단에 입력된 고주파 신호의 이득 손실을 방지함과 아울러 이득 안정도를 증가시키기 위한 저항과 캐패시터가 병렬로 구성된 안정화 회로가 직렬로 연결됨으로써, 고주파 증폭기의 이득 손실 없이 안정도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
고주파 증폭기, 안정화 회로, 저항, 캐패시터, 임피던스, 트랜지스터, 입력 임피던스 정합부, 출력 임피던스 정합부, 바이어스 회로부-
公开(公告)号：KR100510596B1
公开(公告)日：2005-08-26
申请号：KR1020020075214
申请日：2002-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 파이(П) 형태의 단면 구조와 미엔더(Meander) 형태의 평면 구조로 게이트 전극을 게이트 영역에 형성하여 게이트 면적을 증가시키고 이를 통해 게이트가 점유하는 공핍영역(Depletion layer)을 확장시킴으로써, 스위치 트랜지스터의 중요한 특성인 OFF상태에서의 소자 격리 특성 및 단위면적당 고전력 특성의 향상시킴과 동시에 두개의 T형 게이트 전극을 형성할 때 보다 안정된 반도체 공정을 이용함으로써 공정의 재현성을 확보할 수 있는 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号：KR100469642B1
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：KR1020020030541
申请日：2002-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L31/105
Abstract: The present invention relates to a photoreceiver and method of manufacturing the same. For the purpose of a selective detection of a specific wavelength, if a waveguide type photodetector using a multiple quantum-well layer having a quantum confined stark effect as an optical absorption layer, the wavelength that is absorbed by the stark effect by which the transition energy edge of the optical absorption band is varied depending on the intensity of an electric field applied to the multiple quantum-well layer is varied. Thus, a wavelength selective detection characteristic can be varied simply implemented. The waveguide type photodetector of this structure is integrated on a semi-insulating InP substrate with a heterogeneous bipolar transistor having an n+InP/p+InGaAs/n-InGaAs/n+InGaAsP high-gain amplification characteristic. Thus, a photoreceiver of a high performance and a high sensitivity having a specific wavelength selective detection function that can be used in an optical communication system of a high-performance wavelength-multiplexing mode can be provided.
Abstract translation: 光接收器及其制造方法技术领域本发明涉及一种光接收器及其制造方法。 出于选择性检测特定波长的目的，如果使用具有量子限制斯塔克效应的多量子阱层作为光吸收层的波导型光电检测器，那么被由转换能量 光吸收带的边缘根据施加到多量子阱层的电场的强度而变化。 因此，可以简单地实现波长选择性检测特性的变化。 这种结构的波导型光检测器集成在具有n + InP / p + InGaAs / n-InGaAs / n + InGaAsP高增益放大特性的异质双极晶体管的半绝缘InP衬底上。 因此，可以提供具有特定波长选择性检测功能的高性能和高灵敏度的光接收器，其可以在高性能波长多路复用模式的光通信系统中使用。 ＆lt;图像＆GT;
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