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11.发明授权
公开(公告)号：KR101213471B1
公开(公告)日：2012-12-18
申请号：KR1020090002732
申请日：2009-01-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/067 , H01L49/003
Abstract: 본발명은 MIT 소자의자체발열문제를해결할수 있는금속-절연체전이(MIT) 소자의자체발열방지회로및 그방지회로용집적소자의제조방법을제공한다. 그자체발열방지회로는소정임계온도이상에서급격한금속-절연체전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가발생하고, 전류구동소자에연결되어전류흐름을제어하는 MIT 소자; 상기 MIT 소자에연결되어상기 MIT 이후에상기 MIT 소자의자체발열을제어하는트랜지스터; 및상기 MIT 소자및 상기트랜지스터에연결된저항소자;를포함한다.
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12.发明授权원적외선 반사막을 포함한 태양전지, 그 태양전지를 포함한 태양전지 모듈 및 태양전지 모듈을 포함한 태양광 발전 시스템 有权包括远红外线反射膜，太阳能电池模块和太阳能发电系统的太阳能电池组件包括相同的太阳能电池
公开(公告)号：KR101127599B1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100004474
申请日：2010-01-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/062
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 태양광 발전용 태양전지의 온도상승 방지를 위한 원적외선 반사막을 포함한 태양전지, 그 태양전지를 포함한 태양전지 모듈 및 태양전지 모듈을 포함한 태양광 발전 시스템을 제공한다. 그 태양전지는 소정의 임계온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 물질을 포함하고, 상기 MIT 물질에 의하여 상기 임계온도 이상에서 가시광선은 투과하고 원적외선은 반사하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101109667B1
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020080131599
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K1/0201 , H01L2224/48091 , H05K1/181 , H05K2201/10053 , H05K2201/10166 , H05K2201/10522 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명에 따른 전력 소자 패키지는, 퓨즈 대신에 반영구적으로 사용가능한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 이용하여 전력 소자의 발열을 제어하면서, 이와 더불어 전력 소자의 상부 일 영역에만 형성된 소형의 방열판을 통해 전력 소자에서 발생된 열을 외부로 방출시키며, 이에 따라 우수한 방열 성능을 갖는다. 따라서, 본 발명에 따른 전력 소자 패키지는 전력 소자를 사용하는 모든 전기 전자회로에 유용하게 활용될 수 있다.
금속-절연체 전이, 전력 트랜지스터 발열 제어, 패키지-
公开(公告)号：KR100937871B1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：KR1020070129929
申请日：2007-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/72 , G02B6/35
Abstract: 본 발명은 3 단자 MIT 소자의 스위칭 소자로서의 이용의 문제점을 개선하기 위하여, 소비전력이 작고 또한 신뢰성이나 내구성 문제도 해결할 수 있으며, 더 나아가 고속으로 스위칭 기능이 가능한 MIT 소자를 포함한 광 유도 스위칭 장치를 제공한다. 그 스위칭 장치는 광원을 포함하는 광 스위칭 모듈; 및 상기 광 스위칭 모듈에 결합되어 상기 광 스위칭 모듈에서 출력되는 광 또는 전자파를 감지하는 광 감지 소자부;를 포함하고, 상기 광 감지 소자부가 상기 광을 감지하여 소자를 ON-OFF(켜짐-꺼짐) 스위칭한다. 한편, 광 감지 소자부는 MIT(Metal-Insulator Transition)발생 전압에서 불연속 MIT가 발생하는 MIT 박막, 및 상기 MIT 박막에 컨택하는 적어도 2개의 전극을 포함하는 MIT 소자를 적어도 하나 구비한 MIT 소자 어레이이고, 상기 MIT 소자는 광이 조사되었을 때, 상기 MIT 발생 전압이 이동되는 특징을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020090093767A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080091266
申请日：2008-09-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G05F3/24
CPC classification number: H01L21/8222 , H01L23/62 , H01L27/067 , H01L27/082 , H01L2924/0002 , H03K17/14 , H03K17/567 , H01L2924/00
Abstract: A high current control circuit comprising a metal-insulator transition(MIT) device and a system comprising the same circuit are provided to control the heat generated from a transistor without using the cooling fin. A high current control circuit comprises a MIT-TR composition element(1000) and a switching control transistor(400). The MIT-TR composition element is connected to a current driving device(500). The MIT-TR composition element has the MIT device and a transistor for preventing heat from being generated. The MIT device performs the metal-insulator transition at the predetermined transition voltage. The transistor for preventing heat from being generated is connected to the MIT device. The switching control transistor controls the on-off switching of the MIT-TR composition element. The system has the high current control circuit in the array shape.
Abstract translation: 提供包括金属 - 绝缘体转变（MIT）器件和包括相同电路的系统的高电流控制电路以控制从晶体管产生的热而不使用冷却鳍。 高电流控制电路包括MIT-TR组成元件（1000）和开关控制晶体管（400）。 MIT-TR组成元件连接到电流驱动装置（500）。 MIT-TR组成元件具有MIT器件和用于防止产生热的晶体管。 MIT装置在预定的转变电压下执行金属 - 绝缘体转变。 用于防止产生热量的晶体管连接到MIT装置。 开关控制晶体管控制MIT-TR组成元件的开 - 关切换。 该系统具有阵列形状的高电流控制电路。
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Patent Agency Ranking16.发明公开
公开(公告)号：KR1020090091648A
公开(公告)日：2009-08-28
申请号：KR1020090002732
申请日：2009-01-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/067 , H01L49/003
Abstract: A circuit for preventing self-heating of MIT(Metal-Insulator-Transition) device and a method for fabricating an integrated device for the same circuit are provided to control the current drive of the current drive device by packaging the MIT device and the resistance device. An MIT device(100) generates the MIT(Metal-Insulator Transition) at the critical temperature or more, and is connected to the current-driven device and controls the current flow. A resistance unit(300) connects a MIT device and a transistor. A transistor is a bipolar transistor(200). The bipolar transistor is the NPN type or the PNP type. The MIT device, the transistor and the resistance unit are integrated to one chip and are packaged. The transistor is the bipolar transistor or the MOS transistor.
Abstract translation: 提供用于防止MIT（金属绝缘体转换）装置的自身加热的电路和用于制造用于同一电路的集成装置的方法，以通过封装MIT装置和电阻装置来控制当前驱动装置的电流驱动 。 MIT设备（100）在临界温度或更高温度下生成MIT（金属绝缘体转换），并连接到电流驱动器件并控制电流。 电阻单元（300）连接MIT装置和晶体管。 晶体管是双极晶体管（200）。 双极晶体管是NPN型或PNP型。 MIT器件，晶体管和电阻单元集成到一个芯片中并进行封装。 晶体管是双极晶体管或MOS晶体管。
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公开(公告)号：KR1020090061957A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070128990
申请日：2007-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L21/67121
Abstract: A metal-insulator transition device and packaging method thereof are provided to decrease the cost of the manufacturing process by connecting the electrode of substrate with the lead of the lead frame of the MIT chip. The metal-insulator transition device and package method comprise a substrate(110), a lead frame, a Mott insulator(120), a first electrode and a second electrode. The lead frame has the first and second leads(311, 312). The first and second leads have p and q shapes. The first and second leads are arranged in the lead frame in order to face. The Mott insulator is arranged in the top of the substrate. The first and second electrodes are connected to the Mott insulator. In this case, the substrate is located on the MIT. The first and second electrodes are positioned under the substrate and contacts with the bonding ball(320).
Abstract translation: 提供了一种金属 - 绝缘体转换器件及其封装方法，通过将衬底电极与MIT芯片的引线框架的引线连接来降低制造工艺的成本。 金属 - 绝缘体转变器件和封装方法包括衬底（110），引线框架，Mott绝缘体（120），第一电极和第二电极。 引线框架具有第一和第二引线（311,312）。 第一和第二引线具有p和q形状。 第一和第二引线被布置在引线框架中以便面对。 Mott绝缘体布置在基板的顶部。 第一和第二电极连接到Mott绝缘体。 在这种情况下，衬底位于麻省理工学院。 第一和第二电极位于衬底下方并与接合球（320）接触。
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公开(公告)号：KR1020090059823A
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：KR1020070126876
申请日：2007-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L45/1206
Abstract: A memory cell based on metal-insulator transition material and a manufacturing method thereof are provided to prevent a property change of a VO2 thin film formed by a following process by using a switching device of a bottom gate mode. A silicon oxide film(115) is formed on a substrate(110). A gate electrode(120) is formed on the silicon oxide film. A gate insulation film(130) is formed on the silicon oxide film and the gate electrode. A source electrode(140) and a drain electrode(150) are formed on the gate insulation film. A MIT(Metal Insulator Transition) thin film(160) for switching is formed on the gate insulation film between the source electrode and the drain electrode. A MIT thin film(170) for resistance is formed on the drain electrode. A top electrode(180) is formed on the MIT thin film for resistance. A top insulation film(190) covers the source electrode, the drain electrode, and the MIT thin film for switching.
Abstract translation: 提供了基于金属 - 绝缘体转变材料的存储单元及其制造方法，以通过使用底栅模式的开关装置来防止由后续处理形成的VO2薄膜的性质变化。 在基板（110）上形成氧化硅膜（115）。 在氧化硅膜上形成栅电极（120）。 在氧化硅膜和栅电极上形成栅绝缘膜（130）。 在栅极绝缘膜上形成源极（140）和漏极（150）。 用于切换的MIT（金属绝缘体转移）薄膜（160）形成在源电极和漏电极之间的栅极绝缘膜上。 在漏极上形成用于电阻的MIT薄膜（170）。 顶部电极（180）形成在MIT薄膜上用于电阻。 顶部绝缘膜（190）覆盖源极电极，漏极电极和用于切换的MIT薄膜。
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公开(公告)号：KR100809397B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060018507
申请日：2006-02-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/316 , H01J2201/316 , H01J2201/3165 , H01J2329/0486 , H01J2329/0489
Abstract: 전자의 방출효율이 큰 전자방출소자 및 이를 포함하는 디스플레이를 제공한다. 그 소자 및 디스플레이는 기판 상에 상호 대향하며 소정의 간격만큼 이격되어 형성된 갭에 의해 분리된 금속-절연체 전이 물질층과, 분리된 전이 물질층의 각각에 연결되어 전이 물질층의 갭으로 전자를 방출시키기 위한 전극들을 포함한다
전자방출, 금속-절연체 전이, 갭-
公开(公告)号：KR100744551B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060015636
申请日：2006-02-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 일정한 특정온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 갖는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서 및 그 온도센서를 포함한 경보기를 제공한다. 그 온도센서는 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition:MIT) 박막 및 전이 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극 박막을 구비한 급격한 MIT 소자를 포함하고, 급격한 MIT 소자는 일정한 전이온도에서 급격한 금속-절연체 전이를 일으키는 특성을 가진다. 또한, 경보기는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 구비한 온도센서; 온도센서와 연결된 릴레이 스위치; 및 릴레이 스위치에 연결된 경보신호기;를 포함한다. 본 발명의 경보기는 급격한 MIT 소자를 이용한 온도센서를 포함함으로써, 회로적으로 간단하고 소형의 사이즈로 제작할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 경보기
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