公开(公告)号：KR1020080108212A

公开(公告)日：2008-12-12

申请号：KR1020080116800

申请日：2008-11-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기현 ,  서경수 ,  백규하 ,  유인규 ,  강승열 ,  안성덕 ,  김철암

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/00 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1313 ,  B08B11/04 ,  G02F2001/1316

Abstract: A cleaning solution of the flexible substrate is provided to increase the yield of the manufacturing process of the flexible device without the change of the mass production facility of the existing semiconductor and display device. A cleaning solution of the flexible substrate comprises the following steps: the step for putting the flexible substrate(21); the step for removing the foreign materials attached on both main surfaces of the flexible substrate by taking advantage of adhesion using the first roller(22) positioned at each main surfaces of the flexible substrate; the step for transcribing the foreign materials from the first roller to the second roller and removing the foreign materials. The second roller has the adhesion greater than the first roller. The step for removing the foreign materials and the step for transferring the foreign materials and removing are performed under the inert atmosphere or the vacuum atmosphere.

Abstract translation: 提供柔性基板的清洁溶液以增加柔性装置的制造过程的产量，而不改变现有的半导体和显示装置的批量生产设备。 柔性基板的清洗液包括以下步骤：将柔性基板（21）放置的步骤; 通过利用位于柔性基板的每个主表面处的第一辊（22）的粘合力来去除附着在柔性基板的两个主表面上的异物的步骤; 将异物从第一辊转印到第二辊并除去异物的步骤。 第二辊具有大于第一辊的粘合力。 在惰性气氛或真空气氛下进行除去异物的步骤和转移异物和除去步骤。

公开(公告)号：KR1020060066590A

公开(公告)日：2006-06-16

申请号：KR1020050037899

申请日：2005-05-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김철암 ,  백규하 ,  서경수 ,  강승열 ,  유인규 ,  안성덕 ,  오지영 ,  김기현 ,  명혜진 ,  이옥주

IPC: H01B1/22

Abstract: 본 발명은 티올로 안정화된 금 나노입자를 이용한 투명 전극의 제조 방법 및 이로부터 얻은 투명 전극에 관한 것으로서, 상기 투명 전극의 제조 방법은 티올로 안정화된 금 나노입자를 유기 용매중에 분산시키는 단계; 상기 금 나노입자 분산액을 기판위에 스핀 코팅하는 단계; 및 상기 금 나노입자 분산액이 코팅된 기판을 저온에서 소결시켜 도전성 박막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제조방법을 통해 얻은 투명 전극은 저온 및 용액 기반하에 형성될 수 있으며, 우수한 투명성과 낮은 면저항값을 갖는다. 더 나아가 이와 같은 투명 전극은 플레시블 디스플레이의 플라스틱 기판위에 구현될 수 있다.
금, 나노입자, 투명 전극

公开(公告)号：KR100560430B1

公开(公告)日：2006-03-13

申请号：KR1020030093105

申请日：2003-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김철암 ,  강승열 ,  안성덕 ,  정명주 ,  서경수 ,  백규하

IPC: C08L91/00

Abstract: 자외선 경화에 의해 성형 가능한 유기 소자용 봉지 조성물 및 그 제조 방법과 유기 소자의 봉지 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 봉지 조성물은 오일과, 상기 오일에 용해 가능한 탄성 중합체와, 상기 오일에 용해 가능한 광개시제로 이루어진다. 유기 소자용 봉지 조성물을 제조하기 위하여 제1 탄성 중합체를 제1 오일에 용해시켜 탄성 중합체 용액을 형성한다. 상기 탄성 중합체 용액에 광개시제를 첨가하여 혼합한다. 탄성 중합체 블렌드를 이용하고자 하는 경우에는, 제2 탄성 중합체를 제2 오일에 용해시켜 블렌드 형성용 용액을 형성하고, 탄성 중합체 용액에 블렌드 형성용 용액을 첨가하여 탄성 중합체 블렌드 용액을 형성한다. 이 때, 광개시제는 상기 탄성 중합체 블렌드 용액에 첨가된다. 유기 소자를 봉지하기 위하여, 봉지 조성물을 유기 소자에 인가한 후 봉지 조성물에 UV를 조사하여 경화시킨다.
탄성 중합체, 봉지, 오일, 유기 소자

公开(公告)号：KR100423721B1

公开(公告)日：2004-03-22

申请号：KR1020010062698

申请日：2001-10-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주철원 ,  김성진 ,  백규하 ,  이희태 ,  이상균 ,  박성수

IPC: C25D17/06

Abstract: PURPOSE: A plating apparatus having electrode ring is provided to form a plating film having a uniformed thickness by adhering the electrode ring to the upper end of a plating tank so that an electric field is uniformly distributed on the surface of wafers during electroplating. CONSTITUTION: The plating apparatus comprises a plating tank; a plural first polarity contact point rods and a second polarity contact point rod formed on the plating tank; a loop shaped electrode ring(200) which is connected to the plural first polarity contact point rods, and on the inner surface of which a plurality of stepped projections(220) are formed so that the bodies to be plated are rested on the stepped projections with the circumference of the edge of various bodies to be plated having different size being contacted with the plurality of stepped projections(220), wherein the plating apparatus further comprises a metal box arranged at the lower part of the electrode ring to be connected to the second polarity contact point rod; and a sprayer arranged at the lower part of the metal box to spray a plating solution, wherein the plating tank comprises first plating tank on which the electrode ring and metal box are mounted, and second plating tank on which the sprayer is mounted, the first and second plating tanks are separately connected to each other, wherein the plating apparatus further comprises a plating tank of which outer wall covers the plating tank, and the upper part of which is opened, and a lid installed to open or close an opening part of the plating tank outer wall, wherein a power supply terminal connected to the first and second polarity contact point rods is installed on the lower surface of the lid, wherein the residual surface of the electrode ring is coated with a chemical resistant coating material(210) except a surface on which the bodies to be plated are rested and supported and a part of the electrode ring which comes in contact with the first polarity contact point rods, and wherein the coating material(210) is Teflon or polyethylene.

Abstract translation: 目的：提供具有电极环的电镀设备，通过将电极环粘附到电镀槽的上端以形成具有均匀厚度的电镀膜，从而在电镀期间电场均匀分布在晶片的表面上。 构成：电镀设备包括电镀槽; 形成在所述镀槽上的多个第一极性接点棒和第二极性接点棒; 一个与多个第一极性接触点杆连接的环形电极环（200），在其内表面上形成多个阶梯状突起（220），以使待电镀的物体靠在阶梯状突起 其中待镀的各种物体的边缘的周边具有与多个阶梯状突起（220）接触的不同尺寸，其中电镀装置还包括布置在电极环的下部以连接到 第二极性接触点杆; 以及布置在所述金属盒的下部以喷射电镀液的喷雾器，其中所述电镀槽包括其上安装有所述电极环和金属箱的第一电镀槽和其上安装所述喷雾器的第二电镀槽，所述第一电镀槽 以及第二电镀槽彼此分开连接，其中，所述电镀设备还包括电镀槽，所述电镀槽的外壁覆盖所述电镀槽并且其上部被打开;以及盖，其被安装以打开或关闭所述电镀槽的开口部 电镀槽外壁，其中连接到第一和第二极性接触点杆的电源端子安装在盖的下表面上，其中电极环的残留表面涂覆有耐化学腐蚀涂层材料（210） 除了待电镀的物体被搁置和支撑的表面以及与第一极性接触点杆接触的电极环的一部分之外，并且其中， 涂层材料（210）是聚四氟乙烯或聚乙烯。

公开(公告)号：KR100404319B1

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：KR1020000083260

申请日：2000-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성진 ,  주철원 ,  백규하 ,  이희태 ,  박성수 ,  송민규

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본 발명은 구리 교차오염을 방지할 수 있는 고 밀도/ 고 균일성 솔더 범프(solder bump) 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게 설명하면 고 밀도/고 균일성을 갖는 솔더 볼 형성방법 및 구리 교차오염문제의 해결방법에 관한 것이다.
상기한 문제를 해결하기 위해 본 발명은 대규모 집적회로 칩 기판위에 전기도금용 전극을 스퍼터링(sputtering)한 후, 다중코팅방법으로 감광제막 코팅을 하여 비아(via)를 형성한 다음에 솔더(solder) 도금을 위한 구리 씨드(Cu seed)를 스퍼터링(sputtering)하여 솔더 볼(solder ball)을 형성하는 것을 특징으로 하는 솔더 범프 형성방법이 제공된다.

Abstract translation: 目的：制造能够防止硅实验室中铜交叉污染的焊料凸块的方法是通过充分使用常规装置来降低制造成本，从而形成高球和高密度焊球。 构成：用于电镀的电极（4）溅射在高集成电路芯片衬底（1）上。 涂覆光致抗蚀剂层以形成通孔。 用于焊接电镀的铜种子被溅射以形成焊球。 用于防止铜和焊料镀覆的铜/钛晶种在光致抗蚀剂层上被薄的溅射。 光致抗蚀剂层通过多涂层技术形成。

公开(公告)号：KR100395489B1

公开(公告)日：2003-08-25

申请号：KR1020000083173

申请日：2000-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성진 ,  주철원 ,  백규하 ,  박성수 ,  이희태 ,  송민규

IPC: H01L21/60

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a bump is provided to minimize stress generated by the difference of a thermal expansion coefficient between a chip and a substrate, by forming the bump of a high aspect ratio. CONSTITUTION: Photoresist is coated several times to form a relatively thick photoresist. An exposure and development process is selectively performed regarding the photoresist to form a plurality of vias. A bump material is plated on the via. The photoresist is stripped. The plated bump material is reflowed to a spherical bump by a reflow method.

Abstract translation: 目的：通过形成高纵横比的凸点，提供一种用于制造凸点的方法，以最小化由于芯片和衬底之间的热膨胀系数的差异而产生的应力。 构成：光致抗蚀剂被多次涂覆以形成相对厚的光致抗蚀剂。 关于光致抗蚀剂选择性地执行曝光和显影工艺以形成多个通孔。 通孔上镀有凸块材料。 光刻胶被剥离。 电镀凸点材料通过回流方法回流成球形凸点。

公开(公告)号：KR100384896B1

公开(公告)日：2003-05-22

申请号：KR1020000087545

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 허진 ,  현석봉 ,  박성수 ,  이희태 ,  백규하

IPC: H04B7/00

CPC classification number: H04W48/16 ,  H04W28/06 ,  H04W48/18 ,  H04W48/20

Abstract: In the adaptive wireless network system having a central optimizer and a method thereof, and in the record medium capable of being read through a computer having a writing of a program to realize the inventive method, in which information for a use wave environment of a corresponding subnet is gained from an access point regardless of a sort of wireless communication instruments so as to apply an optimum transmission/reception type of the corresponding subnet thereto; the system includes an optimizing unit for selecting optimum transmission/reception types of sub networks and transmitting them; an access point determining unit for providing node activity representative data and activity representative data of access point itself, to the optimizing unit, and determining it as the optimum transmission/reception type; and a communication node determining unit for re-determining its own transmission/reception type according to a requirement of the access point determining unit.

Abstract translation: 在具有中央优化器及其方法的自适应无线网络系统中，以及在能够通过具有程序写入的计算机读取的记录介质中实现本发明的方法，其中相应的使用波形环境的信息 子网是从接入点获得的，而不管哪种无线通信设备，以便向其应用相应子网的最佳发送/接收类型; 该系统包括优化单元，用于选择子网络的最优发送/接收类型并发送它们; 接入点确定单元，用于向优化单元提供节点活动代表性数据和接入点自身的活动代表性数据，并将其确定为最优发送/接收类型; 以及通信节点确定单元，用于根据接入点确定单元的需求重新确定其自己的发送/接收类型。

公开(公告)号：KR1020020054227A

公开(公告)日：2002-07-06

申请号：KR1020000083260

申请日：2000-12-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성진 ,  주철원 ,  백규하 ,  이희태 ,  박성수 ,  송민규

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a solder bump capable of preventing copper cross contamination in a silicon laboratory is to reduce fabricating cost by sufficiently using a conventional apparatus so that a high ball and a high density solder ball are formed. CONSTITUTION: An electrode(4) for electroplating is sputtered on a high integrated circuit chip substrate(1). A photoresist layer is coated to form a via. A copper seed for solder plating is sputtered to form the solder ball. A copper/titanium seed for preventing the copper and solder from being plated is thinly sputtered on the photoresist layer. The photoresist layer is thickly formed by a multi-coating technology.

Abstract translation: 目的：制造能够防止硅实验室中的铜交叉污染的焊料凸块的方法是通过充分使用常规装置来降低制造成本，从而形成高球和高密度焊球。 构成：用于电镀的电极（4）溅射在高集成电路芯片衬底（1）上。 涂覆光致抗蚀剂层以形成通孔。 用于焊接电镀的铜种子被溅射以形成焊球。 用于防止铜和焊料电镀的铜/钛晶种在光致抗蚀剂层上被薄的溅射。 光致抗蚀剂层通过多涂层技术形成。

公开(公告)号：KR1019990047342A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970065703

申请日：1997-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박종문 ,  진영모 ,  남기수 ,  윤용선 ,  백규하

IPC: H01L21/28

Abstract: 금속 배선간의 연결을 금속비아 기둥을 이용하되, 여기에 금속비아 기둥이 연속되는 공정 과정중에 쓰러지는 문제점을 보완함으로써, 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 다층 금속 배선방법이 개시되어 있다. 본 발명은, 금속배선 회로를 정의할때, 감광막 대신 금속 비아 기둥을 지지하는 절연막을 이용하여 금속식각을 수행하는 방법을 고안함으로써, 미세형상 형성을 용이하게 할 수 있도록 하였다. 금속 배선간의 전기적인 절연은 절연막 증착, SOG 갭-채움,절연막 증착을 통하여 이루어지며, CMP 공정기술을 이용하여 비아 기둥의 최상면이 드러나는 지점을 기준으로 평탄화를 수행한 후 2차 금속배선을 형성시킨다. 이후, 2차 금속배선 이전 까지의 단계를 반복 수행함으로써, 수율이 향상되고 공정이 용이한 다층 금속배선을 형성한다.

公开(公告)号：KR1019980045950A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960064202

申请日：1996-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백규하 ,  윤용선 ,  남기수 ,  김여환

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명의 고전압 전력소자는 층간 절연막을 게이트측에서 드레인영역측으로 경사지게 형성하고, 이 층간 절연막상에 그의 일측이 게이트와 중첩(overlap)되며, 타측이 드레인영역(33)과 접속되는 V-자형 구조를 가지는 드레인 금속 전계판을 형성한 구성을 가지고 있다.
이러한 드레인 금속 전계판을 추가로 형성한 본 발명의 전력소자는 드레인 전압이 증가할 수록 금속 전계판에 가해지는 전압이 증가하고 이에 의한 수직 전계(vertical electric field)에 의해 수평전계가 감소하게 된다.
따라서, 드레인으로부터 거리에 반비례하여 수직전계를 가해줌으로서 핀치저항을 드레인 부근에 만들고, 드레인 전압이 낮은 경우 핀치저항이 발생하지 않으므로 저항 특성이 개선되어 드레인 전압이 증가할 수록 드레인으로부터 핀치저항이 증가하는 특성을 가지고 있어 고 전압에 사용이 가능하다.